「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic EL element has a passivation layer in which a layer including at least one selected from a nitride, an oxide, and an oxide-nitride and a layer including a fluoride are laminated.例文帳に追加

パッシベーション層が、窒化物、酸化物及び酸窒化物から選ばれる少なくとも１つを含む層と、フッ化物を含む層とを積層したものである有機ＥＬ素子とする。 - 特許庁

The organic EL element 1 has a first electrode layer (a positive electrode) 3, an organic EL layer 4, and a second electrode layer (a negative electrode) 5 laminated in turn on the surface of a glass substrate 2.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、ガラス基板２の表面に第１電極層（陽極）３、有機ＥＬ層４、第２電極層（陰極）５が順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor layer 10 present on an insulation layer 20 has a lower semiconductor layer 10b present under an element isolation portion 14 and a body 10a present under a closed-curve portion 150.例文帳に追加

絶縁層２０上の半導体層１０は、素子分離部１４の下方の下方半導体層１０ｂと、閉曲線部１５０の下方にあるボディ１０ａとを備えている。 - 特許庁

The diffractive element is produced by forming a cover layer 20D and a diffraction pattern layer 20E on an upper face 20Ca and a lower face 20c, respectively, of a base layer 20C comprising an injection molded product.例文帳に追加

本発明は、射出成型品でなるベース層２０Ｃの上面２０Ｃａ及び下面２０Ｃｂにカバー層２０Ｄ及び回折パターン層２０Ｅがそれぞれ形成される。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor element 1, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4 and a p-type semiconductor layer 5 are successively laminated on an n-type GaN substrate 2.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。 - 特許庁

The organic EL element 1 is formed by laminating a substrate 6, an anode 2, a hole injection layer 7, a light-emitting layer 4, an electron injection layer 5 and a cathode 3 in this order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、基板６、陽極２、正孔注入層７、発光層４、電子注入層５および陰極３がこの順で積層されて構成される。 - 特許庁

To provide an integrated circuit element, having a planarized inter- level dielectric layer with a low permittivity (K) containing an FSG layer of which conductive layer is protected from exposure to fluorine.例文帳に追加

伝導層がフッ素への露出から保護されたＦＳＧ層を含む平坦化された低Ｋのレベル間誘電体層を有する集積回路素子が提供される。 - 特許庁

To provide a bipolar semiconductor element capable of keeping a forward voltage low by reducing a stress at an interface between a drift layer and a layer adjacent to the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層とドリフト層に隣接する層との界面の応力を低減して、順方向電圧を低く抑えることができるバイポーラ半導体素子を提供する。 - 特許庁

A suspension substrate 1 according to the invention comprises an insulating layer 10 and a metal support layer 11 provided on one surface of the insulating layer 10 on an actuator element 44 side.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０のアクチュエータ素子４４側の面に設けられた金属支持層１１とを備えている。 - 特許庁

COLORED COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE TRANSFER MATERIAL, SHADING LAYER FOR DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE LAYER, COLOR FILTER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, AND SHADING LAYER-HAVING SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

着色組成物及び感光性転写材料、表示装置用遮光層及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びに表示装置用遮光層付き基板 - 特許庁

A part of P-type type substrate 2 is etched to form a P-type layer 1 comprising an insulation region 3, over which an element formation layer comprising an N-type operation layer 5 is formed.例文帳に追加

Ｐ型基板２の一部にエッチングを施して絶縁領域３を備えたＰ型層１を形成し、その上にＮ型の動作層５を含む素子形成層を形成する。 - 特許庁

The surface electrode 3 is composed of a base layer 4 which is formed in such a way that it has contact with the ceramic element body 2 and a surface layer 5 which is formed on the base layer 4.例文帳に追加

表面電極３を、セラミック素体２に接するように形成される下地層４と、下地層４上に形成される表面層５とをもって構成する。 - 特許庁

It further comprises an activating layer cutting process wherein a first diving groove 13 is formed on the inactivating layer 32a of the piezoelectric head driving element material 30, then the activating layer 31 is cut out.例文帳に追加

圧電ヘッド駆動素子素材３０の不活性層３２に第１の分割溝１３を形成して活性層３１を分断する活性層分断工程を有する。 - 特許庁

A distance between two peripheral roll surfaces with the air layer between them is operated and when the distance is longer than a prescribed value, the element corresponding to the air layer is numerically calculated as an insulating layer.例文帳に追加

２つのロール周面の空気層を隔てた距離を演算し、所定の値以上であると空気層に相当する要素を絶縁層として数値計算する。 - 特許庁

The fixed resistance elements 4, 5 are composed of an element part 12 provided with a fixed magnetic layer, nonmagnetic layer and free magnetic layer and a first soft magnetic material 23 positioning above the elementary part 12.例文帳に追加

固定抵抗素子４，５は、固定磁性層、非磁性層及びフリー磁性層を備える素子部１２と、素子部１２の上方に位置する第１軟磁性体２３を備える。 - 特許庁

The element satisfies inequality of n_3<n_1<n_2, where n_1 is the refractive index of the intermediate- refractive-index layer, n_2 is the refractive index of the high-refractive-index layer, and n_3 is the refractive index of the low-refractive-index layer.例文帳に追加

ここで、中間屈折率層の屈折率をｎ_1、高屈折率層の屈折率をｎ_2、低屈折率層の屈折率をｎ_3としたとき、ｎ_3＜ｎ_1＜ｎ_2である。 - 特許庁

The substrate 10 for a semiconductor element is provided, on the surface of the substrate 11, with a first thin film layer 12, a second thin film layer 13 and a surface thin film layer 14 in this order.例文帳に追加

半導体素子用基板１０は、基板１１の表面に、第１薄膜層１２と第２薄膜層１３と表面薄膜層１４とをこの順に積層して備える。 - 特許庁

A substrate for a suspension 1 comprises an insulator layer 10 and a metal support layer 11 provided on the face of an actuator element 44 side of the insulator layer 10.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０のアクチュエータ素子４４の側の面に設けられた金属支持層１１とを備えている。 - 特許庁

The light emitting element is provided, on a substrate, with an active layer 5 of the quantum well structure formed by alternately laminating a quantum well layer 51 and a barrier layer.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。 - 特許庁

The organic light-emitting element comprises a first layer containing a cyano group containing compound, a light-emitting layer, and an electron transport layer containing anthracene based compound and quinolate based compound.例文帳に追加

シアノ基含有化合物を含む第１層、発光層及びアントラセン系化合物とキノレート系化合物とを含む電子輸送層を具備する有機発光素子である。 - 特許庁

To solve a problem where the electrode of a semiconductor element cannot be strongly and electrically connected to a wiring conductor layer since the nickel of a nickel-plated layer is moved and diffused to the surface of a gold-plated layer.例文帳に追加

ニッケルめっき層のニッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散して半導体素子の電極を配線導体層に強固に電気的接続できない。 - 特許庁

These two plate materials are respectively constituted with an ultra-fine line circuit layer, an insulating layer provided on the same flat surface, and the semiconductor element provided on the ultra-fine line circuit layer.例文帳に追加

該２個の板体は共に超細線回路層、これと相同平面上の絶縁層、該超細線回路層上に設置される半導体素子により組成する。 - 特許庁

A polycide pattern 18 having a silicide layer 17 is formed, and a connection region 15 of an element is formed where an upper section of a source/drain diffusing layer 15 is formed of the silicide layer 17.例文帳に追加

シリサイド層１７を有するポリサイドパターン１８を形成すると共に、ソース／ドレイン拡散層１５の上部をシリサイド層１７とする素子の接続領域（１５）を形成する。 - 特許庁

The photocatalyst element 3b has a layer 9 with the same refractive index as the coloring matter deactivation preventive layer 7 formed between the surface of the prism 5 and the metallic film layer 6.例文帳に追加

光触媒素子３ｂは、プリズム５の表面と金属被覆層６との間に、色素失活防止層７と同一の屈折率を備える層９を備える。 - 特許庁

By heating the resin filling layer 4 in a semi-cured state, a space between the resin filling layer 4 and the semiconductor element 2 is filled with the liquidated resin filling layer 4.例文帳に追加

半硬化状態の充填樹脂層４を加熱することにより、充填樹脂層４と半導体素子２との間の隙間を流動した充填樹脂層４で埋める。 - 特許庁

The light-emitting element has an electron barrier layer 16 between an active layer 15 made of ZnSeTe or BeZnSeTe and a second guide layer 17 made of an MgSe/BeZnSeTe superlattice.例文帳に追加

ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。 - 特許庁

The GaN layer is transversely epitaxially grown on the substrate 1, an element layer is grown on the GaN layer, at which stage a semiconductor device such as a GaN-based semiconductor laser is manufactured.例文帳に追加

この基板上にＧａＮ層を横方向エピタキシャル成長させ、その上に素子層を成長させてＧａＮ系半導体レーザなどの半導体装置を製造する。 - 特許庁

The baked electrode layer 16A and a first plated layer 20A are connected with each other on the side 10a of the dielectric element 10 through the resin electrode layer 18A.例文帳に追加

焼付電極層１６Ａと第１めっき層２０Ａとは、誘電体素体１０の側面１０ａ側において、樹脂電極層１８Ａを介して接続されている。 - 特許庁

This nitride semiconductor light emitting element includes a reflecting layer 31 formed in a predetermined pattern at least at the part between the transparent conductive layer and the metallic electrode layer.例文帳に追加

この窒化物半導体発光素子は、前記透光性導電層と金属電極層との間で、少なくとも一部に所定のパターンで反射層３１が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

The insulating layer 32 is stacked on an n-side pad electrode 10b of the bluish violet semiconductor laser element 10, and a conductive layer 32a is formed on the insulating layer 32.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側パッド電極１０ｂ上に絶縁層３２が積層され、絶縁層３２上には導電層３２ａが形成されている。 - 特許庁

The adoption of the AlGaN layer for a layer for holding a voltage of the nitride semiconductor element in place of a GaN layer can increase the breakdown voltage.例文帳に追加

本発明によれば、窒化物半導体素子の電圧を保持する層として、ＧａＮ層の代わりにＡｌＧａＮ層を用いることによって降伏電圧を高くすることができる。 - 特許庁

An adhesive layer 8 is formed on the resist layer 4 of a chip mounting part, and a bare IC6 which is a semiconductor element is mounted on the adhesive layer 8.例文帳に追加

チップ搭載部のレジスト層４上には、接着剤層８が形成されており、その接着剤層８上に半導体素子であるベアＩＣ６が搭載されている。 - 特許庁

On a single crystal Si substrate on which an element isolation layer 3 has been formed, a SiGe layer 11 and a Si layer 13 are laminated sequentially by the epitaxial growth method.例文帳に追加

素子分離層３が形成された単結晶のＳｉ基板１上に、エピタキシャル成長法によってＳｉＧｅ層１１とＳｉ層１３とを順次積層する。 - 特許庁

The electrochromic element comprises a transparent conductive film 2, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer 5, a reduction coloring layer and a transparent conductive film 10 sequentially constructed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に透明導電膜２、酸化発色層、電解質層５、還元発色層、透明導電膜１０が順次構成されているエレクトロクロミック素子である。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes a semiconductor substrate, a first conductivity-type lower clad layer, an active layer, a second conductivity-type upper clad layer, an electrode and a reflection film.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板、第１導電型の下部クラッド層、活性層、第２導電型の上部クラッド層、電極、及び反射膜を備えている。 - 特許庁

In this light emitting element, a composite dielectric layer and a luminescent layer are laminated and provided, and the composite dielectric layer is composed of a perovskite compound and a spinel compound.例文帳に追加

複合誘電体層と発光層が積層して設けられている発光素子において、前記複合誘電体層がペロブスカイト化合物とスピネル化合物からなる発光素子。 - 特許庁

To provide a method of forming a nitride semiconductor layer capable of further improving flatness of the surface of a semiconductor layer comprising a light emitting element layer.例文帳に追加

発光素子層を有する半導体層の表面の平坦性をより一層向上させることが可能な窒化物系半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor element is manufactured by cutting such a semiconductor wafer 1, a portion is subjected to the laser process where the metal layer exists, or the metal layer and the resin layer 16 exist.例文帳に追加

このような半導体ウェーハ１を切断して半導体素子を製造するにあたり、金属層または金属層と樹脂層１６とが存在する部分をレーザ加工する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a luminescent layer between an anode and a cathode, and a layer containing a binaphthyl compound represented by formula (I) between the anode and the luminescent layer.例文帳に追加

陽極、陰極との間に発光層を有し、陽極と発光層との間に下記式で表されるビナフチル系化合物を含む層を有する有機電界発光素子。 - 特許庁

A hard mask spacer layer and a hard mask layer are formed on an MTJ element, and a first parallel line pattern (first photoresist film) of a first size width is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

ＭＴＪ素子上に、ハードマスクスペーサ層およびハードマスク層を形成し、ハードマスク層上に第１サイズの幅の第１平行ラインパターン（第１フォトレジスト膜）を形成する。 - 特許庁

An optical semiconductor element 1 includes a first semiconductor layer 3 that is provided on a clad layer 2, and includes a waveguide core layer 3a and slab layers 3b in both sides thereof.例文帳に追加

光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。 - 特許庁

Element separating structure 10a is formed in a semiconductor substrate 100 on which a silicon layer 1, a compound semiconductor layer 2 and a semiconductor layer 3 are laminated in order.例文帳に追加

シリコン層１と、化合物半導体層２と、半導体層３とがこの順で積層された半導体基板１００に素子分離構造１０ａが設けられている。 - 特許庁

An intermediate layer 3 is used to magnetically separate the soft-magnetic back lining layer 2 and the magnetic recording layer 4, and a non-magnetic element or a non-magnetic alloy is used suitably.例文帳に追加

中間層３は、軟磁性裏打ち層２と磁気記録層４を磁気的に分離するために用いられ、非磁性元素あるいは非磁性合金が適宜用いられる。 - 特許庁

This element is constituted by laminating an anode 1, an electroluminescent layer 2, a transparent layer 3, a layer 4 having a low refractive index, and a translucent substrate 5 such as a glass substrate or the like in this order.例文帳に追加

陰極１、エレクトロルミネッセンス層２、透明電極層３，低屈折率層４およびガラス基板等の透光性の基板５がこの順に積層配置されている。 - 特許庁