「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor light-emitting element comprises: a light emitting layer composed of a III-V compound semiconductor; a first electrode having a reflection metal layer; an insulation layer having an opening; a first conductivity type layer; a second conductivity type layer; and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence.例文帳に追加

無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。 - 特許庁

In a magnetic memory structure 36, an MTJ element 37 has a cap layer 51, which is formed by laminating an internal diffusion barrier layer 511, an oxygen adsorption layer 512, and an upper metal layer 513, sequentially from a free layer 50 side.例文帳に追加

磁気メモリ構造３６におけるＭＴＪ素子３７は、フリー層５０の側から順に内部拡散バリア層５１１と酸素吸着層５１２と上部金属層５１３とが積層されてなるキャップ層５１を有している。 - 特許庁

A plate-shaped image formation plate 400 having a three-layer structure such as an image formation medium layer, an electrostatic slit layer where a conductive line loop consisting of a conductive line and a switching element is arrayed and a data layer penetrating through the loop of the electrostatic slit layer is used.例文帳に追加

作像媒体層と、導体線とスイッチング素子で導体線ループとしたものを並べた静電スリット層と、静電スリット層のループを貫通するデータ層の３層構造を持つプレート状の作像プレート４００を用いる。 - 特許庁

An organic EL element 50 has a lamination structure of a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light-emitting layer 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, and an electron injection electrode 8, on a substrate 1.例文帳に追加

有機ＥＬ素子５０は、基板１上においてホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７および電子注入電極８の積層構造を有する。 - 特許庁

The OLED element 50A includes a first electrode 310, a second electrode 320, a third electrode 330, a hole injection layer 321, a hole transport layer 322, a luminescent layer 323, an electron transport layer 324 and an electron injection layer 325.例文帳に追加

ＯＬＥＤ素子５０Ａは、第１電極３１０、第２電極３２０、第３電極３３０、正孔注入層３２１、正孔輸送層３２２、発光層３２３、電子輸送層３２４及び電子注入層３２５を備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

The gate electrode 20 is equipped with a base layer 30, a seed layer 31 formed of metal element having a smaller ionization tendency than that of the base layer 30, and a wiring layer 32 formed on the seed layer 31.例文帳に追加

ゲート電極２０が、ベース層３０と、ベース層３０の上に設けられ、ベース層３０をなす元素よりもイオン化傾向の小さい金属元素からなるシード層３１と、シード層３１の上に設けられた配線層３２とを有する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a compound semiconductor layer 50 having a light emitting layer 24 and has an oxide transparent electrode layer 30 laminated on the compound semiconductor layer 50 and for applying a light emitting drive voltage to the light emitting layer 24.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０と、該化合物半導体層５０に積層される、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層３０とを有する。 - 特許庁

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride.例文帳に追加

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。 - 特許庁

A dielectric layer 105 is formed along the surface of the first conductive layer 103 and an element isolation structure 104, a capping layer 106a is formed along the surface of the dielectric layer 105, and then a hard mask layer 107 is formed on it.例文帳に追加

第１導電層１０３と素子分離構造１０４の表面に沿って誘電体層１０５を形成し、誘電体層１０５の表面に沿ってキャッピング層１０６ａを形成し、この上にハードマスク層１０７を形成する。 - 特許庁

In the optical element with the reflection-preventive film, on a substrate, the reflection-preventive film is formed and includes an intermediate- refractive-index layer, a high-refractive-index layer formed on the intermediate- refractive-index layer, and a low-refractive-index layer formed on the high- refractive-index layer.例文帳に追加

基板上に反射防止膜が形成され、反射防止膜が、中間屈折率層と、中間屈折率層上に形成された高屈折率層と、高屈折率層上に形成された低屈折率層とを含む。 - 特許庁

At the deep-layer side of a first layer, a second layer S2 consisting of the GaN-based semiconductor with a smaller band gap than that of the first layer is subjected to heterojunction, and electrodes P1 and P2 of both pole sides are provided in the first layer as a photoconductive element.例文帳に追加

第一層の深層側には、第一層よりも小さいバンドギャップを有するＧａＮ系半導体からなる第二層Ｓ２をヘテロ接合し、第一層に両極側の電極Ｐ１、Ｐ２を設けて光導電素子とする。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 can be formed through such a manner that a member equipped with an isolation layer (e.g. a porous layer) under the semiconductor layer 3 where the semiconductor element is formed and the board 20 are laminated together, and the member is divided along the isolation layer.例文帳に追加

半導体層３は、例えば、半導体素子が形成された半導体層３の下に分離層（例えば、多孔質層）を有する部材と基板２０とを貼り合わせた後に、該部材を分離層で分割することにより形成されうる。 - 特許庁

The nitride light-emitting device is so constituted such that a substrate, a n-type clad layer, a light-emitting layer, p-type clad layer, an ohmic contact layer made of indium oxide with a doping element and a reflecting layer are laminated, in this order.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

For the light emitting element 100, a p-type GaAs layer 7 as an electrode junction layer and an ITO electrode layer 8 as an oxide transparent electrode layer are made in this order on the side of the first main surface 17 of a luminous layer part 24.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４の第一主表面１７側に、電極接合層としてのｐ型ＧａＡｓ層７と酸化物透明電極層としてのＩＴＯ電極層８とがこの順序にて形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device exhibiting excellent solder resistance by sealing a semiconductor element mounted on a lead frame having a plating layer selected from a silver plating layer, a nickel plating layer, a nickel - palladium plating layer or a nickel - palladium - gold plating layer.例文帳に追加

銀メッキ、ニッケルメッキ層、ニッケル−パラジウムメッキ層又はニッケル−パラジウム−金メッキ層から選ばれるメッキ層を有するリードフレームに搭載された半導体素子を封止して得られた耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The storage element stores information by reversing magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal generated in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

In the GaN-based light emitting element, an n-type GaN layer 12, n-type SLS layer 14, light emitting layer 16, p-type SLS layer 17, p-type GaN layer 18, p-type electrode pad 20, n-type electrode pad 22, and transparent electrode 24 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＳＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型ＧａＮ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、透明電極２４を形成する。 - 特許庁

The organic EL element is provided with a substrate 1, an anode 2, and an electron injecting layer 6 between a cathode 2 and a light-emitting layer 4, and also, a control layer 5 between the light-emitting layer 4 and the electron injecting layer 6.例文帳に追加

基板、陽電極を有し、陰電極と発光層との間に電子注入層を有する有機ＥＬ素子であって、前記発光層と前記電子注入層との間に制御層を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

A reproducing head 10 is composed of: an insulating layer 11 laminated on the upper part of a substrate 9: a lower shield layer 12: a reproduction gap layer 13; a reproduction element 14 embedded in the reproduction gap layer 13; and an upper shield layer 15.例文帳に追加

再生ヘッド１０は、基板９の上部に積層された絶縁層１１と、下部シールド層１２と、再生ギャップ層１３と、再生ギャップ層１３に埋設された再生素子１４と、上部シールド層１５とで構成される。 - 特許庁

That in which a semiconductor element structure and an insulating layer 16 as an upper layer, a surface electrode 17, and a protection layer 18 are formed in the front surface side of a semiconductor wafer 30 is prepared, a surface resist layer 31 is formed on the upper layer.例文帳に追加

半導体ウェハ３０の表面側に半導体素子構造および上部層としての絶縁層１６、表面電極１７、保護膜１８が形成されたものを用意し、上部層上に表面レジスト３１を形成する。 - 特許庁

In addition, the memory element also includes: a coercive force enhancement layer consisting of at least one of Cr, Ru, W, Si, and Mn adjacent to the memory layer; and a spin barrier layer made of an oxide adjacent to the coercive force enhancement layer.例文帳に追加

これに加え、記憶層に隣接する、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｗ、Ｓｉ、Ｍｎの少なくとも一つからなる保磁力強化層と、保磁力強化層に隣接する酸化物によるスピンバリア層を設ける。 - 特許庁

The switching element comprises a source diffusion layer 9, a channel diffusion layer 7, and a drain diffusion layer 5, and is an LDMOS transistor, having the surface of the channel diffusion layer 7 immediately under a gate electrode 19 as a channel region.例文帳に追加

スイッチング素子は、ソース拡散層９、チャネル拡散層７及びドレイン拡散層５を備え、ゲート電極１９直下のチャネル拡散層７表面をチャネル領域とするＬＤＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

The heater 33 is interposed between the base body and the releasing layer, and also the base body, the heating element, the heat resistant insulating layer, the heat transfer layer and the releasing layer are layered in this order outward in a radial direction.例文帳に追加

ベース体と離型層との間にヒータ３３が介在されるとともに、ベース体と、発熱体と、耐熱絶縁層と、伝熱層と、離型層とが、半径方向外方にこの順番で積層される。 - 特許庁

The thermionic cathode is equipped with an n-type diamond layer as an electron emission substance on a surface of a substrate, and the n-type diamond layer includes a layer containing a transition metal element on its surface layer part.例文帳に追加

基体の表面上に電子放出物質としてｎ型ダイヤモンド層を備え、該ｎ型ダイヤモンド層がその表層部に遷移金属元素を含有する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

An insulating layer to be formed into partition walls 16 is formed on a transparent substrate 11 and a transparent electrode layer 12 and thereafter, a photosensitive resin layer having a luminescent element pattern is formed on the insulating layer.例文帳に追加

透明基板１１および透明電極層１２上に、隔離壁１６となる絶縁層を形成した後、この絶縁層上に発光素子パターンを有する感光性樹脂層を形成する。 - 特許庁

A photoelectric element 10 includes a light absorption layer 16 that is a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, which are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

The element 30 includes an underlayer 32, a magnetized free layer 33 formed on the underlayer 32, and a fixed magnetization layer 35 formed on the magnetized free layer 33 via a nonmagnetic layer 34.例文帳に追加

その磁気抵抗素子３０は、下地層３２と、下地層３２上に形成された磁化自由層３３と、磁化自由層３３上に非磁性層３４を介して形成された磁化固定層３５とを備える。 - 特許庁

In this ultrasonic wave probe, a piezoelectric element 1 sending/ receiving an ultrasonic wave is jointed with a single layer or a multilayer acoustically matching layer 2, the acoustically matching layer 2 is jointed with an acoustic lens 4 via an adhesive layer 3.例文帳に追加

超音波を送受信する圧電素子１は、一層あるいは多層の音響整合層２と接着され、音響整合層２は、接着剤層３を介して音響レンズ４と接着される。 - 特許庁

The first layer including the first metal oxide layer 111 and the second layer including the second metal oxide layer 114 form a p-n junction, thereby the memory element is imparted with rectifying capability.例文帳に追加

第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層はｐ−ｎ接合を形成し、これによりメモリ素子に整流性が付与される。 - 特許庁

The storage element 3 comprises: the storage layer 16 that holds information in a magnetization state of a magnetic body; and a magnetization fixing layer 14 provided on the storage layer 16 through a tunnel barrier layer 15.例文帳に追加

この記憶素子３は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１６と、記憶層１６に対してトンネルバリア層１５を介して設けられている磁化固定層１４とを備える。 - 特許庁

The laminate inductance element comprises a magnetic layer 1, a conductor layer 3 which forms a laminate winding in the magnetic layer, and a nonmagnetic layer 2 formed to divide a magnetic path.例文帳に追加

一つの積層型インダクタンス素子内に、二つ以上のコイルを積層形成し、素子内部でコイルの端部を接続し、最外導電体層間の厚さを上限として非磁性層２を形成する。 - 特許庁

To improve light extraction efficiency in a semiconductor light-emitting element constituted by laminating each layer of an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer on a growth substrate having translucency.例文帳に追加

透光性を有する成長基板上に、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層の各層が積層されて成る半導体発光素子において、光取出し効率を向上する。 - 特許庁

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system.例文帳に追加

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。 - 特許庁

The photoelectric transfer element 1 comprises an electrode 3, an electron transport layer 4, a colorant layer D, an electrolyte layer 5, an electrode 6, and a jointing film 7, which joints the electrode 3 and the electron transporting layer 4.例文帳に追加

光電変換素子１は、電極３と、電子輸送層４と、色素層Ｄと、電解質層５と、電極６と、電極３と電子輸送層４とを接合する接合膜７とを有する。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal display element utilizing a reflection plate improved in the reliability of a noble metal layer by forming the noble metal layer such as silver layer on a non-noble metal layer.例文帳に追加

非貴金属層上に銀などの貴金属層を形成し、該貴金属層の信頼性を向上させた反射板を用いる液晶表示素子と、該液晶表示素子の製造方法とを提供する。 - 特許庁

Also, an inter-layer insulating film 4 is formed on the substrate 2, a polysilicon layer 5 is formed in a protective region B on the inter-layer insulation film 4, and an element 6 is formed inside the polysilicon layer 5.例文帳に追加

また、基板２上に層間絶縁膜４を形成し、層間絶縁膜４上における保護領域Ｂに多結晶シリコン層５を形成し、多結晶シリコン層５内に素子６を形成する。 - 特許庁

In the organic EL element 13, a first electrode layer 17 (positive electrode), the organic EL layer 18 as a light-emitting layer, and a second electrode layer 19 (negative electrode) are laminated on the substrate 12 in this order, and covered by a passivation film 20.例文帳に追加

有機ＥＬ素子13は、第１電極層17（陽極）、発光層としての有機ＥＬ層18、第２電極層19（陰極）の順に基板12上に積層され、パッシベーション膜20により被覆されている。 - 特許庁

The heater 33 is interposed between the base body and the releasing layer, and also the base body, the heating element 35, the heat resistant insulating layer, the heat transfer layer and the releasing layer are layered in this order outward in a radial direction.例文帳に追加

ベース体と離型層との間にヒータ３３が介在され、ベース体と、発熱体３５と、耐熱絶縁層と、伝熱層と、離型層とが、半径方向外方にこの順番で積層される。 - 特許庁

The heater 33 is interposed between the base body and the releasing layer, and also the base body, the heating element, the heat resistant insulating layer, the heat transfer layer, and the releasing layer, are layered in this order outward in a radial direction.例文帳に追加

ベース体と離型層との間にヒータ３３が介在されるとともに、ベース体と、発熱体と、耐熱絶縁層と、伝熱層と、離型層とが、半径方向外方にこの順番で積層される。 - 特許庁

A lattice strain relaxing layer 12, a clad layer 13, an active layer 14, and a clad layer 15 are formed with InAlGaP on an n-GaP substrate 11 which is transparent to InAlGaP semiconductor element radiation light.例文帳に追加

ＩnＡlＧaＰ系半導体素子放射光に透明なｎ‐ＧaＰ基板１１上に、ＩnＡlＧaＰによって格子歪緩和層１２,クラッド層１３,活性層１４及びクラッド層１５を形成する。 - 特許庁

An anode 3, a hole transport layer 4, an electron block layer 5, a light-emitting layer 6, an electron injection layer 7 and a cathode are laminated in that order on a transparent substrate 2 to manufacture the organic electroluminescent element 1.例文帳に追加

透明基板２上に、陽極３、正孔輸送層４、電子ブロック層５、発光層６、電子注入層７及び陰極８をこの順に積層して、有機ＥＬ素子１を製造する。 - 特許庁