「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

PHOTOSENSITIVE MATERIAL, PHOTOSENSITIVE LIQUID AND PHOTOSENSITIVE ELEMENT FOR FORMATION OF REFLECTION LAYER HAVING ROUGH SURFACE, METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTION LAYER FOR REFLECTION TYPE LCD USING THE SAME AND REFLECTION LAYER FOR REFLECTION TYPE LCD例文帳に追加

凹凸反射層形成用感光材、感光液、感光性エレメント及びこれを用いた反射型ＬＣＤ用反射層の製造法及び反射型ＬＣＤ用反射層 - 特許庁

This P-N junction light emitting element is formed by sequentially forming an N-type GaN layer 12, an N-type GaN-based layer 14, and a P-type GaN-based layer 16 on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に順次Ｎ型ＧａＮ層１２、Ｎ型ＧａＮ系層１４、Ｐ型ＧａＮ系層１６を形成し、ＰＮ接合型発光素子を形成する。 - 特許庁

A second diffusion layer 126 is spaced apart from the first diffusion layer 116 through an element isolation film 102 and has the same conductivity type as the first diffusion layer 116.例文帳に追加

第２拡散層１２６は、素子分離膜１０２を介して第１拡散層１１６と離間しており、第１拡散層１１６と同一導電型を有している。 - 特許庁

The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加

前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁

The via connection region 122 is connected to the lower layer 131 of the wiring layer metal 13, or the lower electrode of the capacitance element C1, and the via connection region 162 is connected to the upper layer 132 of the one-wiring layer metal 13, or an upper electrode of the capacitance element C1.例文帳に追加

ビア接続領域１２２は配線層メタル１３の下部層１３１、すなわち容量素子Ｃ１の下部電極と接続され、ビア接続領域１６２は容量素子Ｃ１の上部電極である一配線層メタル１３の上部層１３２と接続されている。 - 特許庁

An upper surface of an element isolation layer 23B in the second region is higher than that of an element isolation layer 23A in the first region, and the curvature radius of an upper corner of a charge storage layer 32B in the second region is larger than that of a charge storage layer 43 in the third region.例文帳に追加

第２の領域の素子分離層２３Ｂの上面は、第１の領域の素子分離層２３Ａの上面より高く、第２の領域の電荷蓄積層３２Ｂは、上部の角の曲率半径が、第３の領域の電荷蓄積層４３よりも大きい。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

The insulating layer 20 is formed by oxidizing Al of high concentration contained in an AlAs layer formed on a p-type contact layer 13 of the semiconductor light detecting element 10, and stuck on the semiconductor laser element 40 with the metal layer 30.例文帳に追加

絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 - 特許庁

Laminated on the polished surface of the element is an interlayer insulating layer 12, and on which an oxide superconducting layer 13 as a lower electrode, a barrier layer 14 and an oxide superconducting layer 15 are sequentially laminated in this order, thus completing an oxide superconducting element.例文帳に追加

この表面上に層間絶縁層１２を積層し、その上に下部電極を構成する酸化物超電導層１３、バリア層１４、上部電極を構成する酸化物超電導層１５を形成して酸化物超電導素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide an optical coupling device which improves the adhesion between a lead frame, having a plating layer composed of an Au layer or a multilayer film having the Au layer as the outmost layer, and an epoxy resin for sealing a light receiving element and a light emitting element and secures the reliability during high temperature operation.例文帳に追加

Ａｕ層単独または最外層がＡｕ層である多層膜からなるめっき層を有するリードフレームと受発光素子封止用のエポキシ樹脂との密着性を向上させ、高温動作においても信頼性を確保できる光結合装置を提供する。 - 特許庁

The first semiconductor layer (120) contains a gettering element and a catalyst element accelerating the crystallization of the second semiconductor layer, and the active layer (132) overlaps with the first semiconductor layer (120) when viewed from the normal direction of the back surface (112b) of the transparent substrate (112).例文帳に追加

第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 - 特許庁

Liquid 15 such as pure water is sequentially supplied by a nozzle 35 to a gap between the element formation layer 11 and the peeling layer 12, which is generated by peeling, so that electric charge generated on surfaces of the element formation layer 11 and the peeling layer 12 is diffused by the liquid 15.例文帳に追加

剥離によって生じた素子形成層１１と剥離層１２の隙間にノズル３５によって純水などの液体１５が逐次供給されるため、液体１５により素子形成層１１および剥離層１２の表面に発生した電荷が拡散される。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element, a layer in contact with a luminous layer contains a metal complex compound in a specific structure in an organic electroluminescence element where an organic thin-film layer having at least the luminous layer is clamped between positive and negative electrodes.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極間に、少なくとも発光層を有する有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と接する層が、特定構造の金属錯体化合物を含有する。 - 特許庁

By providing a transmission prevention layer on the protection layer and heat-treating the protection layer using the heat caused by the energy generation element with oxygen blocked, the protection layer in an area corresponding to the energy generation element is subjected to phase transition from the β phase to the α phase.例文帳に追加

保護層の上に透過防止層を設け、酸素を遮断した状態でエネルギー発生素子の発生する熱を用いて保護層を熱処理を行うことで、エネルギー発生素子に対応する領域の保護層をβ相からα相に相転移させる。 - 特許庁

The antenna element 1, its grounding layer 13, the antenna circuit 14 and its grounding layer 15 are arranged on the multilayer circuit board 7 so that the distance from the antenna element 1 to its grounding layer 13 is greater than that from the antenna circuit 14 to its grounding layer 15.例文帳に追加

アンテナエレメント１からそのアース層１３までの間の距離が、アンテナ回路１４からそのアース層１５までの間の距離より大きくなるように、アンテナエレメント１とそのアース層１３，及びアンテナ回路１４とそのアース層１５を多層回路基板７に配置する。 - 特許庁

Also the optical element contains at least a supporting body 1, the alignment layer 2, and an optical functional layer 3 including a liquid crystalline compound, and the optical element is characterized by having the alignment layer formed by using the composition for the alignment layer related to the invention.例文帳に追加

また、少なくとも支持体１、配向膜２、及び液晶性化合物を含んでなる光学機能層３を含む光学素子であって、該配向膜が前記本発明に係る配向膜用組成物を用いて形成されていることを特徴とする光学素子である。 - 特許庁

A nozzle 35 sequentially supplies a liquid 15 such as pure water to the gap generated due to peeling between the element formation layer 11 and the peeling layer 12, and thus, the liquid 15 can disperse the charges generated on the surfaces of the element formation layer 11 and the peeling layer 12.例文帳に追加

剥離によって生じた素子形成層１１と剥離層１２の隙間にノズル３５によって純水などの液体１５が逐次供給されるため、液体１５により素子形成層１１および剥離層１２の表面に発生した電荷が拡散される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor layer includes: a first precursor layer-fabricating step of fabricating a first precursor layer containing a metal element; a second precursor layer-fabricating step of forming a second precursor layer by coating a chalcogen element-containing organic compound on a surface of the first precursor layer; and a semiconductor layer-fabricating step of fabricating the semiconductor layer including a metal chalcogen compound semiconductor by heating the second precursor layer.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属元素を含む第１の前駆体層を作製する第１の前駆体層作製工程と、第１の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第２の前駆体層を形成する第２の前駆体層作製工程と、第２の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 - 特許庁

Each of the first light-emitting element and the second light-emitting element has a first layer, including an organic compound and an inorganic compound and a second layer including a light-emitting substance, which are stacked between a pair of electrodes.例文帳に追加

第１の発光素子と第２の発光素子の各々は、一対の電極の間に、有機化合物と無機化合物を含む第１の層と、発光物質を含む第２の層とを有する。 - 特許庁

The device body 1B includes a lower conductor layer 43 used for consisting a first passive element and an upper conductor layer 73 used for consisting a second passive element.例文帳に追加

デバイス本体１Ｂは、第１の受動素子を構成するために用いられる下部導体層４３と、第２の受動素子を構成するために用いられる上部導体層７３とを含んでいる。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (a semiconductor device) has a transistor element 31, a first STI separating layer 32, a second STI separating layer 33, an insulating film 41, and a resistor element 34.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、第１ＳＴＩ分離層３２と、第２ＳＴＩ分離層３３と、絶縁膜４１と、抵抗素子３４とを有する。 - 特許庁

The thin film device comprises: a first thin film element layer (13); a first electrode terminal (16); a first nonconduction terminal (17); a second thin film element layer (23); a second electrode terminal (26); and a second nonconduction terminal (27).例文帳に追加

薄膜デバイスは、第１の薄膜素子層(13)と、第１の電極端子(16)と、第１の非導通端子(17)と、第２の薄膜素子層(23)と、第２の電極端子(26)と、第２の非導通端子(27)と、を含む。 - 特許庁

The thermoelectric element layer 41 is constituted as a skeleton type thermoelectric element made by bonding p-type elements and n-type elements with a soft layer, and is fixed to an inner face of the bellows 36.例文帳に追加

この熱電素子層４１は、ｐ型素子とｎ型素子とが柔軟層により拘束されたスケルトン型の熱電素子として構成されており、ベローズ３６の内側の面に固定されている。 - 特許庁

To provide a novel compound which can be formed into a thin layer and, despite this, has excellent hole-transporting properties; and a light emitting element such as an organic EL element including a hole-transporting layer comprising the novel compound.例文帳に追加

薄い層に形成することが可能でありながら正孔輸送性に優れた新規化合物及びそれを正孔輸送層に用いる有機ＥＬ素子のような発光素子の提供。 - 特許庁

To provide a novel compound which can be formed into a thin layer and exhibits excellent hole-transporting characteristics; and a light-emitting element, such as an organic EL element, which has an organic layer containing the compound.例文帳に追加

薄い層に形成することが可能でありながら正孔輸送性に優れた新規化合物及び該化合物を含む有機層を有する有機ＥＬ素子等の発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-layered piezoelectric actuator element of which an inner electrode layer and a ceramic layer are difficult to peel off each other, even though a tensile stress is generated inside the multi-layered piezoelectric element.例文帳に追加

積層型圧電アクチュエータ素子の内部に引張り応力が生じても内部電極層とセラミックス層とが剥離しにくい積層型圧電アクチュエータ素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

A perpendicular magnetization magnetoresistance effect element corrects a difference in record holding time corresponding to storing information by differentiating areas of a reference layer 106 and a record layer 107 which compose the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する参照層１０６と記録層１０７の面積を異ならせることにより、保存している情報に応じた記録保持時間の差を補正する。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

To complete an electronic element layer and an optical element layer on different planes in a simple and easy way, by the use of a semiconductor manufacturing process and a transmission technology concerning a totally reflected signal in an optical waveguide structure.例文帳に追加

半導体製造工程と光導波路構造の全反射信号伝送の技術を利用し、簡単かつ容易に異なる平面での電子素子層と光子素子層が完成できる。 - 特許庁

To provide a fixing device capable of preventing poor insulation between the heat generation layer of a heating element and a flexible member caused by shaving of the insulating layer of the heating element.例文帳に追加

加熱体の絶縁層の削れに起因して発生する加熱体の発熱層と可撓性部材との絶縁不良の発生を未然に防ぐことができるようにした定着装置の提供。 - 特許庁

A conductor layer 4 is formed between the semiconductor element 1 and the second insulation substrate 3b, and an external connection terminal of the semiconductor element 1 and the conductor layer 4 are so connected that conduction may be permitted between them.例文帳に追加

半導体素子１と第２の絶縁基板３ｂとの間には導体層４が設けられ、半導体素子１の外部接続端子と導体層４とは導通可能に接続されている。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having an anode, a cathode and a light emitting layer laid between them, the organic electroluminescent element comprises the light emitting layer containing the organometallic complex.例文帳に追加

陽極、陰極、およびこれらの間に設けられた発光層とを有する有機電界発光素子において、発光層がこの有機金属錯体を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The light emitting element has an organic layer, a luminous layer, and a second electrode formed in order on the first electrode, and the transistor and the light emitting element are electrically connected through a wiring.例文帳に追加

発光素子は、 第１の電極の上に、有機層と、発光層と、第２の電極とが順に形成されたものであり、配線を介してトランジスタと発光素子とは電気的に接続している。 - 特許庁

Of each pixels, an organic EL element for a white dot has a light emission layer emitting white light and an organic EL element for a red dot has a light emission layer emitting red light.例文帳に追加

それぞれの画素において、白色ドットの有機ＥＬ素子は白色を発光する発光層を有し、赤色ドットの有機ＥＬ素子は赤色を発光する発光層を有する。 - 特許庁

Also, a collector intermediate layer 113 for protecting a collector layer surface exposed in a groove formed in the periphery of the element area at the time of forming the element separating area is arranged.例文帳に追加

また、素子分離領域を形成する際に素子領域周辺に設けられる溝に露出するコレクタ層表面を保護するコレクタ中間層１１２を設けることを特徴とする。 - 特許庁

In an organic EL element 10, a first electrode 2, an organic compound layer including a luminous layer 4, a second electrode 6 and a sealing base material 13 are formed, in the order on an element substrate 1.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０では、素子基板１上に、第１電極２、発光層４を含む有機化合物層、第２電極６、及び、封止基材１３をこの順で形成する。 - 特許庁

Moreover, a rate of glass element to metal material in the conductor layer for inductor is 0 or is smaller than the rate of glass element for the metal material in the conductor layer for capacitor.例文帳に追加

また、インダクタ用導体層における金属材料に対するガラス成分の割合は、０であるか、キャパシタ用導体層における金属材料に対するガラス成分の割合よりも小さい。 - 特許庁

To provide an organic EL element which prevents oxidation of an electron injection layer of the organic EL element provided with the electron injection layer and which has high reliability and manufacturing yield, and provide a light emitting device.例文帳に追加

電子注入層を備えた有機ＥＬ素子の該電子注入層の酸化を防止し、高い信頼性と製造歩留まりを有する有機ＥＬ素子および発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method or the like of an optical element by which the optical element can be manufactured so that optical characteristics of a liquid crystal layer are not deteriorated and a surface protection function of the liquid crystal layer is provided.例文帳に追加

液晶層の光学特性を損なうことなく且つ液晶層の表面保護機能を具備するように製造することが可能な光学素子の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The N type layer 20 on the deep side is made of an element (for example, phosphorus (P)) smaller in mass (atomic weight) than an element (for example, arsenic (As)) forming the N type layer 22 on the shallow side.例文帳に追加

深い方のＮ型層２０は、浅い方のＮ型層２２を構成する元素（例えば、砒素（Ａｓ））よりも質量（原子量）が小さい元素（例えば、燐（Ｐ））により構成される。 - 特許庁

An intermediate layer 3, composed of component of a surface layer (Ni) of the thin-film element and component of a protective film 2 which components have functionally gradient composition, is interposed between the thin-film element 1 and the protective film 2.例文帳に追加

薄膜素子１と保護膜２の間に、薄膜素子表面層（Ｎｉ）と保護膜２の成分で構成され、それらが傾斜組成を有する中間層３が介在されている。 - 特許庁

The solid-state imaging device have pixels, each of the pixels (5.6 mm square in size) being composed of the condensing element 1, a color filter, a light shield layer (Al wiring) 3, a photodetecting element (Si photodiode) 4, an Si substrate 5, and a flattened layer 6.例文帳に追加

各画素（サイズ□５．６mm）は、集光素子１、カラーフィルタ２、遮光層（Ａｌ配線）３、受光素子（Ｓiフォトダイオード）４、Ｓi基板５及び平坦化層６から構成されている。 - 特許庁

First, a dielectric oxide film, a solid-state electrolyte layer, a negative electrode extraction layer are formed in order on the surface of a positive electrode element attached with a positive electrode lead-out wire 3 to form a capacitor element.例文帳に追加

まず、陽極導出線３が取り付けられた陽極素子の表面に、誘電体酸化皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成してコンデンサ素子を形成する。 - 特許庁