「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic electroluminescent element having a transparent hygroscopic layer and the strong sealing structure, and its manufacturing layer.例文帳に追加

有透明吸湿層を備えるとともに堅固な密封構造を有する，有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A bluish violet semiconductor laser element 10 is adhered to the fusion layer H on the conductive layer 31a of the secondary substrate 31.例文帳に追加

副基板３１の導電層３１ａ上には、融着層Ｈを介して青紫色半導体レーザ素子１０が接着されている。 - 特許庁

In the organic EL element, an electron injection layer including a reducible dopant is preferably arranged on an interface between the negative electrode and the organic layer.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子において、陰極と有機層との界面に還元性ドーパントを含む電子注入層を設けてもよい。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an Li_1-bNa_bGaO_2 buffer layer 102 is formed between a sapphire substrate 101 and a quantum well light emitting layer 105.例文帳に追加

サファイア基板１０１と量子井戸発光層１０５との間に、Ｌｉ_１−ｂＮａ_ｂＧａＯ_２バッファ層１０２を形成している。 - 特許庁

An ideal varistor element 2 has a configuration where an internal electrode layer 12, and a varistor layer 14 made of a varistor material are laminated alternately.例文帳に追加

好適なバリスタ素体２は、内部電極層１２及びバリスタ材料からなるバリスタ層１４が交互に積層された構成を有する。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element for controlling the deterioration of a crystal property of a semiconductor layer resulting from the processing of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の加工に起因する半導体層の結晶性の悪化を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An organic electroluminescent element includes: a substrate 1; a first electrode 2; an organic layer 6 including a luminescent layer 5; and a second electrode 7.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１と、第１電極２と、発光層５を含む有機層６と、第２電極７とを備えている。 - 特許庁

The first magnetic layer L1 is located on the side closer to a substrate on which the magnetoresistance effect element is formed than the second magnetic layer L2.例文帳に追加

第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置している。 - 特許庁

ORGANIC ELECTRONICS ELEMENT WINDING TO PAST DRYING AGENT FILM AFTER FORMING COATED LAYER OR AFTER FORMING COUPLED ELECTRODE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

塗布層形成後或いは対電極層形成後に乾燥剤フィルムを貼合して巻き取る有機エレクトロニクス素子とその製造方法 - 特許庁

Furthermore, the dielectric layer and the luminous layer or the like are formed on the setter, and this setter is removed in the manufacturing process of the EL element.例文帳に追加

また、誘電体層及び発光層等は、セッター上で形成され、このセッターはＥＬ発光素子の製造過程で取り除かれる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRON ACCEPTOR ORGANIC MATTER LAYER FOR COMPOSING PHOTOVOLTAIC ELEMENT FOR PHOTOSENSOR AND/OR ELECTRON DONOR ORGANIC MATTER LAYER例文帳に追加

光センサー用光起電力素子を構成する電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層の製造方法 - 特許庁

An outer electrode layer 26 and an inner electrode layer 27 are formed in a solid electrolyte 28, in a sensor element 2 of this gas sensor 1.例文帳に追加

ガスセンサ１のセンサ素子２は、固体電解質体２８に外側電極層２６及び内側電極層２７が形成されている。 - 特許庁

A sensor element 2 of the gas sensor 1 is formed with a detection electrode layer 26 and an inner electrode layer 27 in a solid electrolyte 28.例文帳に追加

ガスセンサ１のセンサ素子２は、固体電解質体２８に検知電極層２６及び内側電極層２７が形成されている。 - 特許庁

An oxygen-group element other than oxygen is arranged at least on an interfacial surface between the hydrogen-permeable metal layer 22 and the electrolyte layer 21.例文帳に追加

そして、少なくとも水素透過性金属層２２と電解質層２１との界面に、酸素以外の酸素族元素が配置されている。 - 特許庁

To improve luminous efficiency and reliability of an organic EL element using a cathode having a metal layer and an oxide conductive layer.例文帳に追加

金属層および酸化物導電層を有する陰極を用いた有機ＥＬ素子の発光効率および信頼性を向上させる。 - 特許庁

An organic EL element is formed on a support substrate 8 pinching an organic layer at least including a luminous layer with a pair of electrodes.例文帳に追加

支持基板８には、少なくとも発光層を含む有機層を一対の電極により狭持してなる有機ＥＬ素子を形成する。 - 特許庁

This is the organic EL element in which the organic layer 5 having at least a light emitting layer is formed between opposed anode and cathode.例文帳に追加

少なくとも発光層を有する有機層５を対向する陽極と陰極との間に形成してなる有機ＥＬ素子である。 - 特許庁

The light-emitting device has a color filter in addition to a resonator structure having a light-emitting element, a reflecting layer, and a half-transparent half-reflecting layer.例文帳に追加

発光装置は、発光素子と反射層と半透明半反射層を有する共振器構造に加えて、カラーフィルタを備える。 - 特許庁

As an emission layer 5, a layer is used, where the concentration of each element Si, Ge, Mg, Cd and Zn is 10^19 cm^-3 or less (4).例文帳に追加

［４］発光層５として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃｄ及びＺｎの各元素の濃度が１０^19ｃｍ^-3以下である層を用いる。 - 特許庁

To provide an EL element which can be manufactured simply, and especially in which formation of a light shielding layer and patterning of a light-emitting layer can be made simply and easily.例文帳に追加

簡易に製造できるＥＬ素子、特に遮光層の形成や発光層のパターニングが簡易にできるＥＬ素子の提供。 - 特許庁

In this state, a groove 24 is inserted into the element layer 16, the releasing layer 14 is melted, and a contact type magnetic head 50 is separated from the substrate 12.例文帳に追加

この状態で、素子層１６に溝２４を入れ、リリース層１４を溶解して、接触型磁気ヘッド５０を基板１２から分離する。 - 特許庁

ORGANIC LIGHT-EMITTING LAYER FORMING MATERIAL, COATING LIQUID FOR FORMING ORGANIC LIGHT-EMITTING LAYER USING THE SAME, ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT USING COATING LIQUID FOR FORMING ORGANIC LIGHT-EMITTING LAYER, AND LIGHT SOURCE DEVICE USING ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

有機発光層形成用材料，有機発光層形成用材料を用いた有機発光層形成用塗布液，有機発光層形成用塗布液を用いた有機発光素子および有機発光素子を用いた光源装置 - 特許庁

The temperature detector 2 has the temperature detecting element 21, an inside protection layer 22 which seals the temperature detecting element 21 together with part of the electrode line 24, and an outside protection layer 23 which covers the outside of the inside protection layer 22 together with part of the electrode line 24.例文帳に追加

感温体２は、感温素子２１と、感温素子２１を電極線２４の一部と共に封止する内側保護層２２と、内側保護層２２の外側を電極線２４の一部と共に覆う外側保護層２３とを有する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction element is formed on a buffer layer 30 so that the position of the bottom surface 42L of the tunnel barrier layer 42 can be formed higher than that of the top surface 60U of the TaO layer 60 of the element side wall conductive film.例文帳に追加

素子側壁導電性膜であるＴａＯ層６０の上面６０Ｕよりも、トンネルバリア層４２の下面４２Ｌの位置のほうが高く形成できるように、バッファ層３０上に磁気トンネル接合素子を形成する。 - 特許庁

Such a digital photoreceptor drum is used as an image carrier 2, that is an exposure source/latent image formation integrated type digital photoreceptor drum including a light emitting element matrix layer and a photoreceptor layer layered on the light emitting element matrix layer, and charged by a charging means.例文帳に追加

像担持体２として、発光素子マトリックス層と、発光素子マトリックス層に積層されていて、帯電手段で帯電される感光体層と、を有する露光源−潜像形成一体型のデジタル感光体ドラムを用いる。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

A conductor is formed in the hole, and a second insulating layer is formed on the first insulating layer while covering the conductor, and a mask layer that has an opening in a region containing the semiconductor memory element and covers the peripheral circuit element is formed thereon.例文帳に追加

孔内に導電体を形成し、導電体を覆い、第１の絶縁層上に第２の絶縁層、その上に半導体メモリ素子を含む領域に開口を有し、周辺回路素子上を覆うマスク層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing light emitting element by which a compound semiconductor layer containing a light emitting layer can be stuck surely to an element substrate without causing cracking nor chipping even when the semiconductor layer is extremely thin and warps.例文帳に追加

発光層部を含む化合物半導体層がごく薄く、また反りを生じている場合であっても、素子基板への貼り合わせを、割れや欠けを生ずることなく確実に行なうことができる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To maintain parpendicular magnetization by eliminating the influence of magnetic layer developing in a boundery between a magnetic layer and a thin nonmagnetic layer in a giant magnetoresistive effect element and a tunnel magnetoresistive effect element which use parpendicular magnetization.例文帳に追加

垂直磁化を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子においては、磁性層と薄い非磁性層との界面に生じる磁極の影響が著しいため、垂直磁化を安定に維持することが困難である。 - 特許庁

The surface of the core element wire a and the sheath element wire b is covered with a nickel/brass plating layer 9 having a nickel content of 20 to 30 wt.% comprising the inner layer 9A side of nickel and the surface layer 9B side of brass, as thick as 0.2 to 0.4μm.例文帳に追加

コア素線ａ及びシース素線ｂの表面を、内層９Ａ側をニッケル、表層９Ｂ側をブラスにしたニッケル含有量が２０〜３０重量％のニッケル・ブラスメッキ層９により厚さ０．２〜０．４μｍで被覆する。 - 特許庁

A light-emitting device comprises a semiconductor light-emitting element 11 mounted on a substrate 10, a phosphor containing layer 13 arranged on the semiconductor light-emitting element 11 and a plate-like optical layer 14 mounted on the phosphor containing layer 13.例文帳に追加

基板１０上に搭載された半導体発光素子１１と、半導体発光素子１１上に配置された蛍光体含有層１３と、蛍光体含有層１３の上に搭載された板状光学層１４とを有する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a compound semiconductor layer 50 having a light emitting layer 24 composed of a group III-V compound semiconductor, and the element substrate 7 stuck to the second principal surface side of the semiconductor layer 50.例文帳に追加

発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４を有した化合物半導体層５０と、該化合物半導体層５０の第二主表面側に貼り合わされた素子基板７とを有する。 - 特許庁

The pixel electrode 20 and the switching element 10 are formed on one and the same substrate P, and the pixel electrode 20 is arranged on a layer (a first layer L1) closer to the substrate P compared with the semiconductor layer 11 of the switching element 10.例文帳に追加

画素電極２０とスイッチング素子１０とが同一の基板Ｐ上に形成されており、スイッチング素子１０における半導体層１１に比べて基板Ｐ側の層（第１層Ｌ１）に画素電極２０が配されている。 - 特許庁

To provide such a magnetism detection element that can ensure electrical insulation between a spin valve multilayer film and a hard bias layer in a CPP type magnetism detection element applying a vertical bias magnetic field to a free magnetic layer through the hard bias layer.例文帳に追加

ハードバイアス層によってフリー磁性層に縦バイアス磁界を与えるＣＰＰ型の磁気検出素子において、スピンバルブ多層膜とハードバイアス層の電気的絶縁を確実にとることのできる磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

The capacity element 100 includes a first capacitor conductive layer 114 arranged on the element separation area 300 and a side wall-like second capacitor conductive layer 116 formed along one side of the first capacitor conductive layer 114.例文帳に追加

容量素子１００は、素子分離領域３００上に配置された第１キャパシタ導電層１１４と、第１キャパシタ導電層１１４の一側面に沿って形成された、サイドウォール状の第２キャパシタ導電層１１６とを含む。 - 特許庁

The layer conductor element 30 is formed at the pasting position of the ceramic dielectric layers 50 in such a positional relation as one major surface of the layer conductor element 30 coincides with the pasting surface in the layer thickness direction.例文帳に追加

それらセラミック誘電体層５０の貼り合わせ位置において層状導体要素３０は、該層状導体要素３０の一方の主表面が貼り合わせ面と層厚方向に一致した位置関係にて形成されてなる。 - 特許庁

To provide an organic EL element with a thick light-emitting layer, the recombination of a hole and an electron being conducted even on the inside of the light-emitting layer, markedly suppressed deterioration of the light- emitting layer, and the enhanced substantially durability of the element as a whole.例文帳に追加

発光層が厚く、且つホールと電子との再結合が発光層の内部においてもなされ、発光層の劣化が大幅に抑制され、素子全体としての耐久性が格段に向上した有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The first substrate 1 provided with the element 5 via a separation layer 3 is arranged opposite to the second substrate 7 provided with an adhesive layer 9, under the condition where the element 5 comes into tight-contact with the adhesive layer 9, to be held in decompressed atmosphere.例文帳に追加

剥離層３を介して素子５が設けられた第１の基板１と、接着層９が設けられた第２の基板７とを、素子５と接着層９とを密着させる状態で対向配置して減圧雰囲気内に保つ。 - 特許庁

In this manufacture, a first layer metallic wiring 2, an SiOF film 3, and an F diffusion preventing film 6 are formed on the surface of the base layer 1 including a substrate, an element made on the substrate, and an insulating layer formed to cover the substrate and the element.例文帳に追加

基板と基板上に形成された素子と基板及び素子を覆うように形成された絶縁層とを含む下地層１の表面に、第１層金属配線２と、ＳｉＯＦ膜３と、Ｆ拡散防止膜６とを形成する。 - 特許庁

The TMR element 23 is disposed vertically, that is, a magnetic recording layer 24, a magnetization fixing layer 25 and a tunnel insulation layer 19 for constituting the TMR element 23 are formed perpendicular with respect to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＴＭＲ素子２３は縦型に配置されており、すなわち、ＴＭＲ素子２３を構成する磁気記録層２４、磁化固着層２５及びトンネル絶縁膜１９は、半導体基板に対して垂直方向に形成されている。 - 特許庁

After starting the polymerization, the element substrate 1 and the sealing substrate are stuck through the first resin material layer 11 and the second resin material layer 13 to seal the element 3 into the second resin material layer 13.例文帳に追加

この重合を開始させた後、第１樹脂材料層１１と第２樹脂材料層１３とを介して素子基板１と封止基板とを貼り合わせ、第２樹脂材料層１３中に有機電界発光素子３を封止する。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor light receiving element having a light receiving layer having a group III-V compound semiconductor layer including Sb as a group V constituent element, and an n-type InP window layer and reducing a dark current.例文帳に追加

Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

The plate-like optical layer 14 is smaller than a top face of the semiconductor light-emitting element 11 and each of lateral faces of the phosphor containing layer 13 has an inclined surface 130 extending from an edge of the semiconductor light-emitting element 11 toward an edge of the plate-like optical layer.例文帳に追加

板状光学層１４は、半導体発光素子１１の上面より小さく、蛍光体含有層１３の側面は、半導体発光素子１１の端部から板状光学層の端部に向かう傾斜面１３０を備える。 - 特許庁

EUV LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS HAVING OPTICAL ELEMENT WITH SELF-ASSEMBLED MONOMOLECULAR LAYER, OPTICAL ELEMENT WITH SELF-ASSEMBLED MONOMOLECULAR LAYER, METHOD OF APPLYING SELF-ASSEMBLED MONOMOLECULAR LAYER, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

自己集合単分子層を伴う光学エレメントを備えたＥＵＶリソグラフィ投影装置、自己集合単分子層を伴う光学エレメント、自己集合単分子層を適用する方法、デバイス製造法およびそれによって製造したデバイス - 特許庁