「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element has at least electrode layers 2 and 6, a light emitting layer 5, and a p-type semiconductor layer 3 on a substrate 1, and is characterized in having an intermediate layer 4, containing at least one kind of element selected from the fourth to fifth groups of the periodic table, between the light emitting layer 5 and p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも電極層２，６と、発光層５と、ｐ型半導体層３を有し、発光層５とｐ型半導体層３との間に、周期律表の第４族〜第６族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する中間層４を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the electroluminescence element in which at least the transparent positive electrode layer, the light emitting medium layer and the negative electrode layer are successively layered on the transmissive substrate and which is coated and sealed by the moisture-proof film, the electroluminescence element having at least one layer of an easy-adhering insulating layer on the light transmissive substrate is provided.例文帳に追加

透光性基板上に、少なくとも透明陽極層、発光媒体層、陰極層を順次積層し、耐湿性フィルムで被覆封止してなるエレクトロルミネッセンス素子において、透光性基板上に少なくとも一層の易接着絶縁層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

In this organic EL element 100, an element substrate 120, in which a lower electrode 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, a luminescent layer 105, an electrode transport layer 106, an electron injection layer 107, and an upper electrode 108 are formed on a support substrate 101, is sealed by a sealing film 110.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００では、支持基板１０１上に下部電極１０２、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７および上部電極１０８が形成されて構成された素子基板１２０が、封止膜１１０によって封止される。 - 特許庁

The flexible display device includes: the flexible substrate 27; the display element layer 25 formed on the flexible substrate 27; and the insulating protective layer 23 covering the display element layer 25, wherein at least one of the etching ratio of glass to the insulating protection layer and the etching ratio of stainless steel to the insulating protection layer is 1:20 or higher.例文帳に追加

更に、フレキシブル基板２７と；フレキシブル基板２７上に形成された表示素子層２５と；表示素子層２５を保護する絶縁保護層２３を備えて、ガラス：絶縁保護層のエッチング比及びステンレス：絶縁保護層のエッチング比の中、少なくともいずれか一つは１：２０以上であるフレキシブル表示装置。 - 特許庁

The iron based parts are provided with an iron based base material 13X, a surface modification layer 12X in which at least a nitrogen element is diffused as a surface modification diffusing element and formed on the upper layer of the base material 13X, and an oxide layer 11X formed on the upper layer of the surface modification layer 12X and consisting of lithium-iron compound oxide.例文帳に追加

鉄系の基材１３Ｘと、少なくとも窒素元素が表面改質拡散元素として拡散されるとともに、基材１３Ｘの上層に形成された表面改質層１２Ｘと、表面改質層１２Ｘの上層に形成されたリチウム・鉄複合酸化物よりなる酸化物層１１Ｘと、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first semiconductor layer 33 formed on a support substrate 31 via an embedded oxide layer 32; and a second semiconductor layer 34 formed on the support substrate, a first element is formed in the first semiconductor layer, and a second element is formed in the second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板３１上に埋め込み酸化物層３２を介在して形成された第１の半導体層３３と、この支持基板上に形成された第２の半導体層３４とを備え、上記第１の半導体層中に第１の素子が形成され、上記第２の半導体層中に第２の素子が形成されている。 - 特許庁

The submount has a submount substrate, a solder layer formed on the main surface of the submount substrate, and a solder layer where a transition element layer using at least one kind of transition element as a main constitutent and a precious metal layer using at least one kind of precious metal as a main constituent are laminated from the side of the submount substrate between the submount substrate and solder layer.例文帳に追加

サブマウントは、サブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層と、それらの間に、サブマウント基板側から遷移元素の少なくとも１種を主成分とする遷移元素層と貴金属の少なくとも１種を主成分とする貴金属層とが積層されたはんだ密着層を備える。 - 特許庁

The MR head 10 has a magnetic shield layer 12 also acting as a lower electrode, a magnetic gap controlling layer 14 formed on the lower electrode and magnetic shield layer 12, an MR element 30 formed on the magnetic gap controlling layer 14, and a magnetic shield layer 28 also acting as an upper electrode formed on the MR element 30.例文帳に追加

ＭＲヘッド１０は、下電極兼磁気シールド層１２と、下電極兼磁気シールド層１２上に形成された磁気ギャップ調整層１４と、磁気ギャップ調整層１４上に形成されたＭＲ素子３０と、ＭＲ素子３０上に形成された上電極兼磁気シールド層２８とを備えている。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having a substrate, a magnetic body layer formed on the substrate and the surface protective film formed on the magnetic body layer, a monitor layer having a second element whose elution amount is more than that of a first element contained in the magnetic body layer to a prescribed extracting liquid is formed at the lower part of the magnetic body layer.例文帳に追加

基板と基板上に形成された磁性体層と磁性体層上に形成された表面保護膜とを有する磁気記録媒体において、所定の抽出液に対して磁性体層に含まれる第１の元素より溶出量の多い第２の元素を有するモニタ層を、磁性体層の下に形成した。 - 特許庁

An organic light emitting display device comprises: a substrate; an element circuit arranged above the substrate; a pixel electrode electrically connected to the element circuit; a pixel defining layer exposing the pixel electrode; an intermediate layer arranged on the pixel electrode, the intermediate layer being configured to emit light; and a first ion injected layer formed on the pixel defining layer.例文帳に追加

基板と、基板上に配される素子回路部と、素子回路部と電気的に連結される画素電極と、画素電極を露出させる画素定義膜と、画素電極上に配されて光を放出する中間層と、画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と、を備える有機発光表示装置。 - 特許庁

POLYMER, MATERIAL FOR LUMINESCENT LAYER, MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, COMPOSITION FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC SOLAR CELL ELEMENT, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL LIGHTING UTILIZING THE SAME例文帳に追加

重合体、発光層材料、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、これらを利用した有機電界発光素子、有機太陽電池素子、有機ＥＬ表示装置、及び有機ＥＬ照明 - 特許庁

In the heat exchanger, a heat exchange element 3 is formed by arranging a heat transfer tube 2 passing a heat transfer element in an external surface of a heat transfer tube 1 passing a heat transfer target element, and a resin layer 4 is provided in an outer circumference of the heat exchange element 3.例文帳に追加

被伝熱体を流す伝熱管１の外面に伝熱体を流す伝熱管２を配して熱交換体３が形成され、熱交換体３の外周に樹脂層４が設けられている熱交換器。 - 特許庁

A light emitting element array comprises: a light emitting element package having a light emitting element and a body containing a first and a second lead frame electrically connected to the light emitting element; and a substrate in which the light emitting element package is arranged thereon and which has a base layer and a metal layer arranged on the base layer and electrically connected to the light emitting package.例文帳に追加

本発明の一実施例は、発光素子、及び前記発光素子と電気的に接続している第１及び第２リードフレームを有するボディーを備える発光素子パッケージと、前記発光素子パッケージが配置され、ベース層、及び前記ベース層上に配置され、前記発光素子パッケージと電気的に接続しているメタル層を有する基板とを備える発光素子アレイである。 - 特許庁

In the semiconductor device 900, the function layer including a projected semiconductor element 13 and a semiconductor element member 500 including an electrode 13h, which drives the semiconductor element and is provided at the surface of the function layer and circumference of the external edge of the semiconductor element, are bonded to a predetermined substrate 600.例文帳に追加

突設された半導体素子１３を含む機能層と、半導体素子を駆動させ、機能層の表面でかつ半導体素子の外縁の周囲に設けられている電極１３ｈと含む半導体素子部材５００を、所定の基板６００に接着してなる半導体装置９００である。 - 特許庁

The optical transmitting apparatus has at least a semiconductor laser element having an active layer region for a laser oscillation and a cladding region for an optical confinement, a light emitting element capable of feeding an optical energy to the active layer region of the semiconductor laser element, and a driving circuit of the semiconductor laser element.例文帳に追加

本発明は、レーザ発振の為の活性層領域と光閉じ込め用のクラッド領域とを有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の前記活性層領域に光エネルギーを供給可能な発光素子と、当該半導体レーザ素子の駆動回路とを、少なくとも有する。 - 特許庁

A better conductive bus line 35 than an element 31a is brought into contact with the element 31a in a lengthwise direction of the element 31a and annexed as a 2-layer film structure on each of both side surfaces of the element 31a of the side opposed to a second electrode layer 15 of a detector 10.例文帳に追加

検出器１０の第２電極層１５と対向する側のエレメント３１ａの両サイド面上に、エレメント３１ａよりも良導電性のバスライン３５を、エレメント３１ａの長さ方向に、該エレメント３１ａに接触させて２層膜構造として併設する。 - 特許庁

To effectively prevent occurrence of separation and a crack of a mold resin layer around an opening on the surface of a semiconductor element, in the semiconductor element formed so as to expose a part of the surface of the semiconductor element by forming an opening on a mold resin layer molding the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子をモールドするモールド樹脂層に開口部を設けることにより、半導体素子の表面の一部を露出させるようにしたものにあって、半導体素子の表面の開口部の周囲におけるモールド樹脂層の剥離や亀裂の発生を効果的に防止する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor element region where a semiconductor element is formed by selectively etching a semiconductor layer and a monitor region which is made of the same material with the semiconductor layer and provided with a monitoring semiconductor element for inspecting an amount of selective etching on the semiconductor element.例文帳に追加

半導体層が選択エッチングされることにより半導体素子が形成される半導体素子領域と、前記半導体層と同じ材質からなり、前記半導体素子が選択エッチングされた量を検査するモニタ用半導体素子が設けられたモニタ領域とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The image sensor includes: a semiconductor substrate; a plurality of picture elements disposed on the semiconductor substrate, each of which has one picture element electrode; a photoconductive layer and a transparent conductive layer disposed successively on each picture element electrode; and a shield element disposed between the respective picture element electrodes.例文帳に追加

イメージセンサーは、半導体基板と、半導体基板の上に定められ、各々１個の画素電極を有する複数の画素と、画素電極の上に順次設置される光伝導層及び透明導電層と、それぞれの画素電極の間に設けられるシールド素子とを含む。 - 特許庁

The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer.例文帳に追加

面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が３〜５重量％にまで低下する時期を予測する。 - 特許庁

An element isolation section includes the element isolating film formed on two regions and made of a silicon oxide film formed on a surface of a silicon substrate, and a field channel isolation layer formed between element isolation films, formed on the two regions and made of a reverse conductivity type layer to the conductivity type of an active element.例文帳に追加

素子分離部が、２つの領域に形成され、シリコン基板表面に形成されたシリコン酸化膜より成る素子分離膜と、２つの領域に形成された素子分離膜間に形成され、前記能動素子の導電型とは逆の導電型層から成るフィールドチャネル分離層よりなる。 - 特許庁

The lamp fitting 10 includes an LED element 11 and a phosphor layer 13 arranged separated from the LED element so that light L from the LED element can enter, and is structured so as to irradiate outside mixed color light L1 of the light from the LED element and the phosphor excited from the phosphor layer.例文帳に追加

ＬＥＤ素子１１と、ＬＥＤ素子からの光Ｌが入射するようにＬＥＤ素子から離れて配置された蛍光体層１３と、を含んでおり、ＬＥＤ素子からの光と蛍光体層で励起された蛍光との混色光Ｌ１を外部に照射するように、灯具１０を構成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4 and an etching stop layer 5 which are stacked in order on a substrate 1, a second ridge upper clad layer 7 provided on the layer 5, and optical confinement layers 10 provided on the sides of the layer 7.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、基板１の上に順に積層された下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４、およびエッチングストップ層５と、エッチングストップ層５の上に設けられたリッジ形の上部第２クラッド層７と、上部第２クラッド層７の側方に設けられた光閉じ込め層１０とを備えている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 is provided with a hole injection electrode layer 12, an electron injection electrode layer 14, an organic material layer 13 pinched between the hole injection electrode layer 12 and the electron injection electrode layer 14, and a protective film 20 coating an exposed face each of the electron injection electrode layer 14 and the organic material layer 13.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１は、ホール注入電極層１２と、電子注入電極層１４と、ホール注入電極層１２と電子注入電極層１４との間に挟持された有機物層１３と、電子注入電極層１４と有機物層１３の露出面を被覆する保護膜２０とを有する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 is provided with a hole injection electrode layer 12, an electron injection electrode layer 14, an organic compound layer 13 pinched between the hole injection electrode layer 12 and the electron injection electrode layer 14, and a protective film 20 coating the exposed faces of the electron injection electrode layer 14 and the organic matter layer 13.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１は、ホール注入電極層１２と、電子注入電極層１４と、ホール注入電極層１２と電子注入電極層１４との間に挟持された有機物層１３と、電子注入電極層１４と有機物層１３の露出面を被覆する保護膜２０とを有する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 is provided with a hole injection electrode layer 12, an electron injection electrode layer 14, an organic compound layer 13 laid between the hole injection electrode layer 12 and the electron injection electrode layer 14, and a protection film 20 coating the exposed faces of the electron injection layer 14 and the organic compound layer 13.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１は、ホール注入電極層１２と、電子注入電極層１４と、ホール注入電極層１２と電子注入電極層１４との間に挟持された有機物層１３と、電子注入電極層１４と有機物層１３の露出面を被覆する保護膜２０とを有する。 - 特許庁

To suppress reduction of power loss in a photovoltaic element comprising a transparent electrode layer, a photovoltaic conversion layer, a first rear surface electrode layer, an insulation layer, and a second rear surface electrode layer formed from the light incident side wherein the transparent electrode layer has an electric continuity with the second rear surface electrode layer through holes.例文帳に追加

光入射側から、少なくとも透明電極層、光電変換層、第一の裏面電極層、絶縁層、第二の裏面電極層を有し、透明電極層と第二の裏面電極層が貫通孔を介して電気的に導通された光起電力素子における電力損失の低減を抑制する。 - 特許庁

In the organic electronics element having at least one layer of a gas barrier layer on the flexible support, an electrode layer, and an organic material layer formed by coating, after forming the organic material layer, a film forming the coupled electrode layer having a drying agent containing layer is pasted.例文帳に追加

可撓性の支持体上にガスバリア層、電極層及び塗布により形成された有機材料層を少なくとも１層有する、有機エレクトロニクス素子において、前記有機材料層を形成したのち、乾燥剤含有層を有する対電極層を形成したフィルムが貼合されてなることを特徴とする有機エレクトロニクス素子。 - 特許庁

Further, in this scintillator panel comprising a base material for supporting a phosphor layer and a reflecting layer for reflecting a light converted by the phosphor layer toward a photoelectric converting element, the circumference of the reflecting layer including the base material surface side, phosphor layer side and end surface thereof is covered with an insulating layer or a reflecting layer protective film.例文帳に追加

蛍光体層を支持するための基材と、蛍光体層で変換された光を光電変換素子側へ反射させる反射層とを備えたシンチレータパネルにおいて、反射層の基材面側及び蛍光体層側及び端面を含める全周を絶縁層もしくは反射層保護膜で覆う。 - 特許庁

An organic layer 14 comprising, in the following order, a hole supply layer 14A (a hole injection layer 14a and a hole transport layer 14b), a light-emitting layer 14B, and an electron transport layer 14C containing an arylpyridine derivative is laminated on an anode 13, and a cathode 15 is formed on the organic layer 14 to obtain the organic electroluminescent element.例文帳に追加

陽極１３上に正孔供給層１４Ａ（正孔注入層１４ａ，正孔輸送層１４ｂ），発光層１４Ｂおよびアリールピリジン誘導体を含む電子輸送層１４Ｃからなる有機層１４をこの順に積層し、有機層１４上に陰極１５を形成して有機電界発光素子を得る。 - 特許庁

The light- emitting element is also provided with a low-refractive index layer 3 having a lower refractive index than the most substrate-side layer of the light-emitting region layer 2 has, a antireflection layer 4, or a light scattering layer 5 which scatters the light made incident to the substrate 1 from the layer 2 in between the substrate 1 and layer 2.例文帳に追加

さらに、半導体発光素子は、基板１と発光領域層２との間に、発光領域層２の最基板側層よりも屈折率が小さい低屈折率層３、あるいは反射防止層４、あるいは発光領域層２から基板１に入射する光を散乱させる光散乱層５を設けている。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having an organic layer between a positive electrode and a negative electrode, either one of both electrodes consists of a single layer body of Al alloy layer or a multi-layer body of Al alloy layer and a buffer layer, and the organic layer contains phosphorescence luminous compound.例文帳に追加

陽極と陰極との間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、両電極のどちらか一方が、Ａｌ合金層の単層体またはＡｌ合金層とバッファー層との多層体からなり、該有機層が燐光発光性化合物を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In the organic EL element in which a hole injection layer 30, a hole transporting layer 40, a luminous layer 50, an electron transporting layer 60, an electron injection layer 80, and a negative electrode 90 are laminated in order, a diffusion layer 70 made of electron injecting material is provided in the electron transporting layer 60.例文帳に追加

陽極２０の上に、正孔注入層３０、正孔輸送層４０、発光層５０電子輸送層６０、電子注入層８０、陰極９０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子において、電子輸送層６０内に、電子注入性材料からなる拡散層７０が設けられている。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.例文帳に追加

下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。 - 特許庁

The MR magnetic head has a reading part obtained by laminating an upper shielding layer 5 on a lower shielding layer 2 by way of a nonmagnetic layer 3 and disposing an MR element 4 in the nonmagnetic layer and a writing part obtained by disposing an upper magnetic pole layer 9 on the upper shielding layer by way of a gap layer 6.例文帳に追加

下部シールド層２の上に非磁性層３を介して上部シールド層５を積層するとともに、非磁性層内にＭＲ素子４を配置してなるリード部と、その上部シールド５層と、その上部シールド層の上にギャップ層６を介して上部磁極層９を配置するライト部とを備えたＭＲ磁気ヘッドである。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

A spacer layer (105) and a Schottky junction forming layer (107) for forming a portion of a barrier layer are formed of an undoped compound semiconductor layer (InP, GaP, AlP, etc.) including P as a component element, and the carbon planar doped layer (106) is formed in the surface of the spacer layer (105) which has contact with the Schottky junction forming layer (107).例文帳に追加

バリヤ層の一部を構成するスペーサ層（１０５）およびショットキー接合形成層（１０７）を、Ｐを一成分元素ととして含むアンドープの化合物半導体層（ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰなど）から形成し、スペーサ層（１０５）のショットキー接合形成層（１０７）に接する面に、炭素のプレーナドープ層（１０６）を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a BOX layer 3, an SOI layer 4 formed on the BOX layer 3, a LOCOS layer 7 formed on the BOX layer 3, and an partial depletion type SOI-MOS FET 10 formed in a region (that is, element region) of the SOI layer 4 surrounded by the LOCOS layer 7 in a plan view.例文帳に追加

ＢＯＸ層３と、ＢＯＸ層３上に形成されたＳＯＩ層４と、ＢＯＸ層３上に形成されたＬＯＣＯＳ層７と、ＳＯＩ層４のうちの、ＬＯＣＯＳ層７により平面視で囲まれている領域（即ち、素子領域）に形成された部分空乏型のＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ１０と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor device has a semiconductor substrate 11 which includes an element, interlayer insulating layers (silicon oxide layer and a BPSG layer) made on the semiconductor substrate 11, a through-hole made in the interlayer insulating layer, a barrier layer made on the interlayer insulating layer and the through-hole, and a wiring layer made on the barrier layer.例文帳に追加

半導体装置は、素子を含む半導体基板１１、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁層（シリコン酸化層，ＢＰＳＧ層）、層間絶縁層に形成されたスルーホール、層間絶縁層およびスルーホールの表面に形成されたバリア層、およびバリア層の上に形成された配線層４０を有する。 - 特許庁

A transmission line structure chip constituting a power supply decoupling element is formed of a laminated structure comprising an aluminum layer 61, an etching layer 62 not impregnated with polythiophene, an resist layer 63, an etching layer 64 impregnated with polythiophene, a magnetic thin film layer 65, a carbon-containing layer 66, a metal powder film layer 67, and a polythiophene layer 68.例文帳に追加

電源デカップリング素子を構成する伝送線路構造チップは、アルミニウム層６１、ポリチオフェンが含浸されていないエッチング層６２、レジスト層６３、ポリチオフェンが含浸されているエッチング層６４、磁性薄膜層６５、カーボン含有層６６、金属粉皮膜層６７、ポリチオフェン層６８で構成される積層構造体から形成される。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes: a substrate; a first electrode layer regularly patterned on the substrate; a low-refraction conductive layer arranged on the first electrode layer and including a conductive material with a refractive index smaller than that of an organic layer; the organic layer arranged on the low-refraction conductive layer; and a second electrode layer formed on the organic layer.例文帳に追加

基板と、基板上に規則的にパターニングされた第１電極層と、前記第１電極層上に配置され、有機層よりも屈折率が小さい導電性物質を含む低屈折導電層と、前記低屈折導電層上に配置される有機層と、前記有機層上に形成される第２電極層と、を備える有機発光素子。 - 特許庁

A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers.例文帳に追加

強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes a substrate 10, a first cladding layer 12 provided on the substrate 10, a multiquantum well layer 14 provided on the first cladding layer 12, a second cladding layer 16 provided on the multiquantum well layer 14, and a frost-processed layer 30 provided on the second cladding layer 16 and formed of an AlInGaP layer.例文帳に追加

基板１０と、基板１０上に配置された第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に配置された多重量子井戸層１４と、多重量子井戸層１４上に配置された第２クラッド層１６と、第２クラッド層１６上に配置され、ＡｌＩｎＧａＰ層で形成されたフロスト処理層３０とを備える半導体発光素子。 - 特許庁

A non-volatile memory element manufacturing method includes a process of forming a tunnel layer including a metal silicate layer on a semiconductor substrate; a process of forming a charge trap layer on the metal silicate layer; a process of forming a charge block layer on the charge trap layer; and a process of forming a gate layer on the charge block layer.例文帳に追加

半導体基板上に金属シリケート層を含むトンネル層を形成する工程と、前記金属シリケート層上に電荷トラップ層を形成する工程と、前記電荷トラップ層上に電荷ブロック層を形成する工程と、前記電荷ブロック層上にゲート層を形成する工程とを含んで非揮発性メモリ素子製造方法を構成する。 - 特許庁