「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

The touch screen comprises a transparent multi-layer composition including: (a) a first conductive layer containing an intrinsically conductive polymer and film forming binder; (b) a second conductive layer; and (c) a spacer element separating the first conductive layer and second conductive layer, wherein the first conductive layer further includes an actinic radiation absorbing compound.例文帳に追加

(a)真性伝導性ポリマーと皮膜形成性バインダーとを含有する第１導電層、(b)第２導電層、及び(c)該第１導電層と該第２導電層を隔離するスペーサ要素を含んで成り、さらに該第１導電層が化学線吸収化合物を含むことを特徴とする透明多層体。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element having a high magnetoresistive effect is obtained by forming a high-polarizability layer having a thickness of ≤10 nm in contact with the interface between a nonmagnetic layer and an intermediate layer as an Fe-rich Fe-O layer and heat-treating the Fe-O layer into a ferromagnetic Fe-O layer.例文帳に追加

非磁性層中間層界面に接して１０ｎｍ以下の厚さの高分極率層を、ＦｅリッチなＦｅ—Ｏ層として形成し、熱処理によって強磁性Ｆｅ−Ｏ層の積層膜とし、これによって高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

The photodetecting element comprises an SiGe graded buffer layer 2 of an n-conductivity disposed on an Si layer 1, an i-SiGe layer 3 which is an intrinsic semiconductor absorbing light disposed on the SiGe graded buffer layer, and an SiGe layer 4 of a p-conductivity disposed on the i-SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１上に位置するｎ導電型のＳｉＧｅグレーデッドバッファ層２と、ＳｉＧｅグレーデッドバッファ層上に位置し、光吸収を行なう真性半導体であるｉ-ＳｉＧｅ層３と、そのｉ-ＳｉＧｅ層上に位置するｐ導電型のＳｉＧｅ層４とを備える。 - 特許庁

A segment SG1 constituting the TMR element 50 includes: a first laminate 20 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21; and a second laminate 30 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。 - 特許庁

The substrate 10 for element mounting includes an insulating resin layer 12, the wiring layer 14 provided on one principal surface S1 of the insulating resin layer 12, and a projection electrode 16 electrically connected to the wiring layer 14 and protruding from the wiring layer 14 toward the insulating resin layer 12.例文帳に追加

素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面Ｓ１に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６とを備える。 - 特許庁

The storage element has a storage layer 17 in which the orientation of magnetization changes corresponding to information, a fixed magnetization layer 15 having magnetization perpendicular to the film surface and becoming the reference of information stored in the storage layer, and an intermediate layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer and the fixed magnetization layer.例文帳に追加

記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層１６とを有する。 - 特許庁

The element mounting substrate 10 includes an insulating resin layer 12, a wiring layer 14 provided on one main surface S1 of the insulating resin layer 12, and a bump electrode 16 that is electrically connected with the wiring layer 14 to project to the insulating resin layer 12 side from the wiring layer 14.例文帳に追加

素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面Ｓ１に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６とを備える。 - 特許庁

The memory element comprises a lower electrode, an n+ interface layer formed on the lower electrode, a buffer layer formed on the n+ interface layer, an oxide layer which has a variable resistance characteristics and is formed on the buffer layer, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されたｎ＋界面層と、ｎ＋界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

For the inorganic EL element provided with a first electrode, a first insulating layer, a light-emitting layer, a second insulating layer, and a second electrode on a substrate, a barrier layer is formed between the second insulating layer and the second electrode, and damage of the second insulating layer is restrained in formation of the second transparent electrode.例文帳に追加

基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、および第２電極を備えた無機ＥＬ素子であって、第２絶縁層と第２電極との間にバリア層を形成し、第２透明電極の形成時における第２絶縁層のダメージを抑制した無機ＥＬ素子。 - 特許庁

A transparent electrode layer 12 is formed on a transparent substrate 11, an organic electroluminescence layer 13, a metal electrode layer 14 and a low light-reflective layer 21 are layered on the transparent electrode layer 12 to be crossed with the layer 12, so as to constitute an organic electroluminescence element 20.例文帳に追加

透明基板１１上に透明電極層１２を形成し、この透明電極層１２上に透明電極層１２と交差するように有機電界発光層１３、金属電極層１４および低光反射層２１を積層して有機電界発光素子２０が構成される。 - 特許庁

The solar cell is also provided with a compound layer 20 containing a group Ia element and Al in at least one interlayer selected from among the interlayers between the substrate 11 and the first conductive layer 13, between the first conductive layer 13 and the light absorbing layer 14, and between the light absorbing layer 14 and the second conductive layer 17.例文帳に追加

基板１１と第１の導電層１３との間、第１の導電層１３と光吸収層１４との間、および光吸収層１４と第２の導電層１７との間から選ばれる少なくとも１つの層間に、Ｉａ族元素とＡｌとを含む化合物層２０を備える。 - 特許庁

As a recording layer with a thickness of 2-4 nm, a first reaction layer the main component of which is Si, a second reaction layer the main component of which is Cu, and a barrier layer the constitutent of which comprises an element which does not form an alloy with Si and Cu and are provided between the first reaction layer and the second reaction layer.例文帳に追加

記録層として、主成分がＳｉである第１反応層、主成分がＣｕである第２反応層および第１反応層と第２反応層の間に構成元素がＳｉ及びＣｕと合金を形成しない元素からなる厚み２ｎｍ以上４ｎｍ以下のバリア層を設ける。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

The element also includes an ohmic contact layer 27a formed on the p-type nitride semiconductor layer, an optically-transparent conductive oxide layer 27b formed on the ohmic contact layer, and a highly reflective metal layer 27c formed on the optically-transparent conductive oxide layer.例文帳に追加

上記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層２７ａと、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層２７ｂと、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層２７ｃを有する。 - 特許庁

The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.例文帳に追加

第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子において、第１の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第２の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁

The electrochromic element includes an electrochromic layer 18, an electrolyte layer 16, and a relative electrode layer 14, and is characterized in that a solid inorganic electrolyte film is included as a protective film 22 in the interface between one of the electrochromic layer 18 and relative electrode layer 14, and the electrolyte layer 16.例文帳に追加

エレクトロクロミック層１８、電解質層１６及び相対電極層１４を含み、前記エレクトロクロミック層１８及び相対電極層１４のうちどちらか一方の層と前記電解質層１６との界面に固体無機電解質膜を保護膜２２として含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having at least a layer of organic layer containing a luminous layer between a pair of electrodes, a hole transporting layer containing a hole transporting material is provided between the luminous layer and a positive electrode, and the hole transporting layer further contains a phosphine oxide compound.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記発光層と陽極との間に、ホール輸送材料を含有するホール輸送層を有し、該ホール輸送層がさらにホスフィンオキサイド化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element 1 comprises: an n-type semiconductor layer 140; a light-emitting layer 150; a p-type semiconductor layer 160; a transparent conductive layer 170; a p-electrode 300 formed on the transparent conductive layer 170; and an n-electrode 400 formed on the n-type semiconductor layer 140.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。 - 特許庁

The TMR element contains a laminate structure composed of at least a pin layer 2, a barrier layer 3, a metal oxide buffer layer 4, and a free layer 5, and basically the buffer layer 4 has a substrate which is composed of a material which is easy to oxidize, as compared with a material constituting the free layer 5.例文帳に追加

少なくともピン層２／バリア層３／金属酸化物バッファ層４／フリー層５からなる積層構成を含むＴＭＲ素子であって、バッファ層４がフリー層５を構成する材料に比較して酸化され易い材料を基材としたものであることが基本になっている。 - 特許庁

In the electrochromic element having a transparent conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolytic layer, a reduction coloring layer, and a transparent conductive film laminated on a substrate, one or two or more layers out of the oxidation coloring layer, electrolytic layer, reduction coloring layer, and the transparent conductive film, are deposited with a gas flow sputtering method.例文帳に追加

基板上に、透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び透明導電膜が積層されたエレクトロクロミック素子の酸化発色層、電解層、還元発色層及び透明導電膜のうちのいずれか１層又は２層以上をガスフロースパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

The CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistive element has a structure wherein a magnetic intermediate layer 30 and an oxide insulation layer 31 are provided between a fixed magnetization layer 28 and a free magnetization layer 33 via a lower side non-magnetic intermediate layer 29 and an upper side non-magnetic intermediate layer 32.例文帳に追加

ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）磁気抵抗効果素子において、固定磁化層２８と自由磁化層３３との間に、下側非磁性中間層２９及び上側非磁性中間層３２を介して、磁性中間層３０及び酸化絶縁層３１を設けた構造とする。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element is provided with an acoustic multilayer film 105 formed by alternately laminating an Al_2O_3 layer (high acoustic impedance layer) 102 and a SiO_2 layer (low acoustic impedance layer) 103 on a substrate 101 comprising single crystal silicon or the like and the uppermost layer of which is a SiO_2 layer 104.例文帳に追加

単結晶シリコンなどから構成された基板１０１の上に、Ａｌ_2Ｏ_3層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ_2層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ_2層１０４とされた音響多層膜１０５を備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes: a first layer composed of an n-type nitride semiconductor; and a second layer composed of a p-type nitride semiconductor arranged on the first layer wherein, in a first region of a part of the surface of the first layer, the second layer is removed and the first layer appears.例文帳に追加

ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、第１の層の表面の一部の第１の領域において、第２の層が除去されて第１の層が現われている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 has a semiconductor layer 11, in which an n-type clad layer 12, a photoactive layer 13, and a p-type clad layer 14 are formed in turn on one main face of an n-type substrate 10, and each p-type cap layer 21-23 formed on the semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。 - 特許庁

An element mounting substrate 10 comprises: an insulating resin layer 12; a wiring layer 14 provided on one main surface of the insulating resin layer 12; and a projection electrode 16 which is electrically connected to the wiring layer 14 and projects from the wiring layer 14 toward the insulating resin layer 12 side.例文帳に追加

素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６と、を備える。 - 特許庁

To increase a resistance changing rate of a spin valve film and to reduce a coercive force of a free layer by increasing a combination energy for an antiferromagnetic layer and a 1st ferromagnetic layer of a spin valve element and increasing an antiferromagnetic combination energy for the 1st ferromagnetic layer and a 2nd ferromagnetic layer through an Ru antiferromagnetic combination layer.例文帳に追加

スピンバルブ素子の反強磁性層と第１強磁性層の結合エネルギー及び、Ru反強磁性結合層を通した第１強磁性層と第２強磁性層の反強磁性的結合エネルギーを大きくし、スピンバルブ膜の抵抗変化率を大きくし、自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

A storage element comprises: a storage layer holding information by a magnetization state of a magnetic substance; a magnetization fixed layer having magnetization which serves as reference for information stored in the storage layer; and an intermediate layer of a nonmagnetic substance provided between the storage layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

上記記憶素子は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having at least a layer of organic layer containing a luminous layer between a pair of electrodes, the luminous layer contains a host material and a luminescent material, and further at least the layer of organic layer contains a phosphine oxide compound.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記発光層がホスト材料と発光材料を含有し、さらに前記少なくとも一層の有機層がホスフィンオキサイド化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The thin film EL element is formed by sequentially stacking, on a glass substrate 1, a lower electrode layer 2, a lower insulation layer 3, the luminescent layer 4, an upper insulation layer 5 and an upper electrode layer 6, and EL light emission 7 of the luminescent layer 4 is outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶縁層５および上部電極層６を順次積層することにより形成されており、発光層４のＥＬ発光７はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁

The capacitance element is provided with a first metal layer 11, a dielectric material layer 12 formed on the first metal layer 11, and a second metal layer 13 which is formed on the dielectric material layer 12; and is provided with a plurality of projected portions 15 at the surface opposing to the first metal layer 11.例文帳に追加

第１の金属層１１と、第１の金属層１１上に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上に形成され、第１の金属層１１と対向した面に複数の凸部１５が設けられた第２の金属層１３とを具備したことを特徴する。 - 特許庁

In the organic EL light emitting element in which a substrate, a metal anode, an organic EL layer, and a transparent cathode are sequentially laminated, the organic EL layer includes a hole injection layer, a reflecting layer to make the positive hole pass through, a hole transfer layer, and an organic light emitting layer in this order.例文帳に追加

基板と、金属陽極と、有機ＥＬ層と、透明陰極とが順次積層されている有機ＥＬ発光素子において、有機ＥＬ層は正孔注入層、正孔を通過させる反射層、正孔輸送層および有機発光層をこの順に含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 - 特許庁

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer, and the magnetization coupling layer is composed of a laminate structure of two layers.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに磁気結合層が２層の積層構造となっている。 - 特許庁

Preferably, the coloring layer is directly bonded to a sealing material sealing a solar cell element.例文帳に追加

好ましくは、着色層は、太陽電池素子を封止する封止材と直接接着される。 - 特許庁

Further, a shield layer is formed so that the high frequency generating from the element itself is not leaked to the outside.例文帳に追加

さらに、シールド層を設け、素子自体が発生する高周波を外部にもらさないようにする。 - 特許庁

DIBENZOAZEPINE COMPOUND, POLYMER CONTAINING THE DIBENZOAZEPINE COMPOUND AS SKELETON, AND ORGANIC THIN LAYER EL ELEMENT例文帳に追加

ジベンゾアゼピン化合物、該ジベンゾアゼピン化合物を骨格とする高分子、および有機薄膜ＥＬ素子 - 特許庁

To provide a formation method of an oxide layer, and a manufacturing method of a semiconductor element including the same.例文帳に追加

酸化物層の形成方法及びそれを含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MULTIFUNCTIONAL SHEET ABSORBER HAVING PLURAL-LAYER STRUCTURE AND ABSORBER PRODUCT USING THIS ABSORBER AS ONE ELEMENT例文帳に追加

複層構造を有する多機能シ—ト状吸収体とそれを一要素とする吸収体製品 - 特許庁

The liquid crystal display element is equipped with the liquid crystal alignment layer obtained from this liquid crystal aligning agent.例文帳に追加

液晶表示素子は、上記の液晶配向剤から得られた液晶配向膜を具備する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having a hole injection layer which is applied with a cascade shower treatment.例文帳に追加

電子シャワー処理された正孔注入層を備える有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The sulfur compound detection element has a sensitive layer primarily consisting of the tungsten oxide semiconductor to which lead is added.例文帳に追加

鉛成分を添加してある酸化タングステン半導体を主成分とする感応層を備えた。 - 特許庁

The liquid crystal display element has a liquid crystal layer composed of the liquid crystal composition.例文帳に追加

上記液晶組成物からなる液晶層を有することを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁