「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic thin film transistor element contains a compound represented by formula (1) in a semiconductor layer.例文帳に追加

下記一般式（１）で表される化合物を半導体層に含有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

In this nitride semiconductor light emitting element, an emission layer 3 is formed on a GaN substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子において、発光層３はＧａＮ基板１上に形成される。 - 特許庁

Al ALLOY-REFLECTING ELECTRODE FILM FOR FORMING ANODE LAYER OF TOP-EMISSION TYPE ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜 - 特許庁

A polysilicon layer 13 is formed on a gate insulating film 12 in a semiconductor element region 11.例文帳に追加

半導体素子領域１１のゲート絶縁膜１２上にポリシリコン層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, having a nitride semiconductor layer with a low residual oxygen concentration.例文帳に追加

残留酸素濃度が低い窒化物半導体層を備えてなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element 40 comprises a piezoelectric layer 43 sandwiched between upper and lower electrodes 44, 42.例文帳に追加

上部電極(45)と下部電極(42)に挟まれた圧電体層(44)を備える圧電体素子(40)である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁

MATERIAL FOR ELECTRON TRANSPORT-INJECTION LAYER USING SILOLE DERIVATIVE COMPOUND, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

シロール誘導体化合物を用いた電子輸送・注入層用材料及び有機電界発光素子 - 特許庁

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法及びＩＩＩ族窒化物半導体素子 - 特許庁

The phosphor layer 24 has a phosphor which is excited with light from the light emitting diode element 13 to emit light.例文帳に追加

蛍光体層24は、発光ダイオード素子13の光で励起されて発光する蛍光体を有する。 - 特許庁

To improve heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

The contact layer 105 has thin parts 105a formed on element isolation regions 106.例文帳に追加

コンタクト層１０５には，素子分離領域１０６上に薄厚部１０５ａが形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with an alignment layer formed from the liquid crystal aligning agent.例文帳に追加

液晶表示素子は上記液晶配向剤から形成された液晶配向膜を具備する。 - 特許庁

METHODS OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, OPTICALLY ANISOTROPIC BODY, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT例文帳に追加

液晶配向膜の製造方法、光学異方体の製造方法、及び液晶素子の製造方法 - 特許庁

As a result, a structure wherein the transfer substrate is formed directly on the element forming layer (3) is obtained.例文帳に追加

それにより、素子形成層(3)上に直接転写基板を形成する構造が得られる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a resistance change preserving layer, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

抵抗変化保存層を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermosensitive recording element which shows high recording sensitivity, satisfactory image quality and outstanding coating layer strength.例文帳に追加

記録感度並びに画質が良好で、塗工層強度に優れた感熱記録体の提供。 - 特許庁

An optical element including a first layer 011 made of a medium having optical anisotropy.例文帳に追加

光学素子は、光学異方性を持つ媒質により形成された第１の層０１１を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element including a semiconductor layer having uniform compositions across a surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面内で半導体層の組成が均一な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The element layer 103 and the structures 101 and 102 can be fastened by thermal crimping.例文帳に追加

素子層１０３と構造体１０１，１０２とは、加熱圧着により固着させることができる。 - 特許庁

The liquid crystal display element is equipped with the liquid crystal alignment layer formed of the liquid crystal aligning agent.例文帳に追加

液晶表示素子は、上記液晶配向剤から形成された液晶配向膜を具備する。 - 特許庁

This filter element 1 has a laminated structure interposed an intermediate layer 3 between respective surface layers 2 of two layers.例文帳に追加

２層の表面層２，２間に中間層３を介在させた積層構造のフィルタ素子１。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element with high performance wherein a hole transport layer is formed by a wet method.例文帳に追加

正孔輸送層を湿式法で作製できる高性能の有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

IN-LAYER LENS AND FORMATION METHOD THEREOF, SOLID PHOTOGRAPHING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC INFORMATION EQUIPMENT例文帳に追加

層内レンズおよびその形成方法、固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 - 特許庁

To provide a compound semiconductor material for use of manufacturing the active layer of a thin film transistor element.例文帳に追加

薄膜トランジスタ素子活性層製造に使用される化合物半導体材料の提供。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR COLORED LAYER FORMATION, COLOR FILTER AND COLOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色層形成用感放射線性樹脂組成物、カラーフィルタおよびカラー液晶表示素子 - 特許庁

SUBSTRATE WITH LIGHT SHIELDING LAYER, ITS PRODUCTION AS WELL AS SPUTTERING TARGET, COLOR FILTER SUBSTRATE AND DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

遮光層付き基板、その製造方法並びにスパッタターゲット、カラーフィルタ基板、及び表示素子 - 特許庁

To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING SILICON-BASED THIN FILM, METHOD FOR DEPOSITING SILICON-BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系半導体層の形成方法及び光起電力素子 - 特許庁

A support base material 13 which can be peeled later is fixed to an upper surface of the element formation layer 11.例文帳に追加

素子形成層１１の上面には、後で剥離可能な支持基材１３が固定される。 - 特許庁

When a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, whose impurity concentration is high than that of the first semiconductor layer, are formed on a semi-insulating substrate and the resistance element is formed on the second semiconductor layer, an electrode of the resistance element is formed on the region of the second semiconductor layer in which region the resistance element is to be formed, and the region is electrically isolated.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、第１の半導体層と、第１の半導体層より不純物濃度の高い第２の半導体層が形成され、この第２の半導体層上に抵抗素子を形成する場合、第２の半導体層の抵抗素子形成予定領域上に抵抗素子の電極を形成し、抵抗素子形成予定領域を電気的に分離する。 - 特許庁

A separate distance between an element isolation diffusion layer 25 and a drain diffusion layer 24 is made smaller than that between the element isolation diffusion layer 25 and a buried diffusion layer 22, a breakdown voltage between the element isolation diffusion layer 25 and a drain electrode becomes small, and a surge voltage applied to a drain can be restricted by the breakdown voltage, so that the drain can be improved in surge resistance.例文帳に追加

素子分離拡散層２５とドレイン拡散層２４との離間距離を、素子分離拡散層２５と埋め込み拡散層２２との離間距離よりも小さくするため、素子分離拡散層２５とドレイン電極３３間の降伏電圧が小さくなり、ドレインに印加されるサージ電圧をその降伏電圧で制限することが出来るため、ドレインのサージ耐量を大きくすることができる。 - 特許庁

In the CMOS semiconductor element where a gate electrode of two-layer structure consisting of a lower layer metal layer and an upper layer metal layer of different nitrogen content is formed in the NMOS region and the PMOS region on a semiconductor substrate through a gate insulating film, the lower layer metal layer is made shorter than the upper layer metal layer in the gate length direction.例文帳に追加

半導体基板上のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域にゲート絶縁膜を介してそれぞれ窒素含有量の異なる下層金属層とその上に積層された上層金属層から成る２層構成のゲート電極が形成されたＣＭＯＳ半導体素子であって、前記下層金属層を前記上層金属層よりゲート長方向の長さを短くする。 - 特許庁

The paper container is formed by working a layered body in which an outermost layer, a paper base material layer, an adhesive resin layer, a barrier layer, a resin film layer consisting of polyethylene terephthalate or nylon, an anchor coat layer and an innermost layer are successively layered, and the anchor coat layer is formed by coating aqueous dispersion element containing the specified acid modification polyolefin resin on the film layer and drying it.例文帳に追加

最外層、紙基材層、接着樹脂層、バリア層、ポリエチレンテレフタレート又はナイロンからなる樹脂フィルム層、アンカーコート層及び最内層を順次積層した積層体を製函してなる紙容器であって、該アンカーコート層が、特定の酸変性ポリオレフィン樹脂を含む水性分散体を該フィルム層へ塗布して乾燥することにより形成したものであることを特徴とする紙容器である。 - 特許庁

In the laser element, the superlattice layer has a superlattice undoped layer, in which impurities are not doped in both the AlxGa1-xN layer and the InyGa1-yN layer on the active layer side, and a superlattice impurity doped layer, in which impurities are doped in at least one of the AlxGa1-xN layer and the InyGa1-yN layer outside the active layer.例文帳に追加

また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層は、活性層側に前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層および前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ層のいずれにも不純物がドープされていない超格子ノンドープ層と、活性層の外側に前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層または前記Ｉｎ_yＧａ_1_-yＮ層の少なくとも一方に不純物がドープされた超格子不純物ドープ層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。 - 特許庁

The MRAM includes: a substrate; a lower wiring layer formed on the upper part of the substrate; an upper wiring layer formed on the upper part of the lower wiring layer; a magnetic shield layer arranged at a first height between the lower wiring layer and the upper wiring layer and having a plurality of holes formed on the layer; and an MRAM element part arranged between the lower wiring layer and the upper wiring layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、基板と、その基板の上方に形成された下部配線層と、その下部配線層の上方に形成された上部配線層と、下部配線層と上部配線層との間の第１高さに配置され、複数の孔が形成された磁気シールド層と、前記下部配線層と上部配線層との間に配置された磁気ランダムアクセスメモリ素子部とを備える。 - 特許庁

The light-emitting element includes: an electron transport layer; a hole transport layer that opposes the electron transport layer and is provided separately; a luminous layer having a layer made of semiconductor fine particles clamped between the electron transport layer and the hole transport layer; a first electrode connected to the electron transport layer electrically; and a second electrode connected to the hole transport layer electrically.例文帳に追加

発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に電気的に接続された第２の電極とを備える。 - 特許庁

The multi-layer type piezoelectric element 1 is formed in a manner such that a plurality of laminated layer units 15 in which a ceramic layer 151 and inner electrode layers 153, 154 are alternately laminated, are laminated, and the laminated layer units 15 are bonded to each other with a joining material layer 13.例文帳に追加

セラミック層１５１と内部電極層１５３、１５４とを交互に積層してなるユニット積層体１５を複数積み重ねると共にユニット積層体１５間を接合材層１３により接着してなる積層型圧電体素子１である。 - 特許庁

An antenna element 2 is constituted by forming a conductive pasted layer 13 on the clear coating layer 12, a transparent adhesion layer 14 is formed on the conductive pasted layer 13, and the adhesion layer 14 is covered with the second release sheet 11.例文帳に追加

そして、クリアコーティング層１２の上に導電性ペースト層１３を形成することにより、アンテナエレメント２を構成し、導電性ペースト層１３の上に透明な粘着層１４を形成して、粘着層１４を第２剥離シート１１により覆う。 - 特許庁

On the semiconductor, the highly bonded structure is provided in which an oxide layer 12 composed of the oxide of the element constituting the semiconductor, an oxide adhesive layer 16, an adhesive force generating layer 14 (including the case where this layer 14 becomes extinct), and the insulating layer 15, are laminated upon another in this order.例文帳に追加

半導体上に、この半導体を構成する元素の酸化物層12、酸化物接着層16、接着力発生層（消滅している場合を含む）14および絶縁層15がこの順序で積層された高接着構造を設ける。 - 特許庁

The organic EL element 100 has a structure wherein a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transportation layer 4, a light emitting layer 5, an emission assist layer 6, an electron transportation layer 7 and an electron injection electrode 8 are formed sequentially on a substrate 1.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、基板１上にホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、発光アシスト層６、電子輸送層７および電子注入電極８が順に積層された構造を有する。 - 特許庁

On the organic EL display device 1, an organic EL element 10 has a structure of laminating a transparent anode layer 12, a hole transport layer 13, a light emitting layer 14, an electron transport layer 15, and a cathode 16 on upper layer side of a substrate 11 in this sequence.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１において、有機ＥＬ素子１０は、基板１１の上層側に、光透過性の陽極層１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、および陰極層１６がこの順に積層された構成を有する。 - 特許庁

An MTJ element is comprised of a free layer 11 wherein a magnetization state is changed in accordance with data, a tunnel insulating layer 12 disposed on the free layer 11, and a pin layer 13 which is disposed on the tunnel insulating layer 12 and in which a magnetization state is fixed.例文帳に追加

ＭＴＪ素子は、データに応じて磁化状態が変化するフリー層１１と、フリー層１１上に配置されるトンネル絶縁層１２と、トンネル絶縁層１２上に配置され、磁化状態が固定されるピン層１３とから構成される。 - 特許庁

A dummy layer is formed on an element separating area in a logical operation circuit by patterning a stopper layer and a first conductive layer in a memory area as well as the stopper layer and the first conductive layer in a logical operation circuit area.例文帳に追加

メモリ領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングするとともに、ロジック回路領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングすることにより、ロジック回路内の前記素子分離領域上にダミーゲート層を形成する。 - 特許庁