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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
To provide an electroluminescent element having improved light-emitting efficiency of a desired light-emitting layer and an organic electroluminescent device having the electroluminescent element.例文帳に追加
所望の発光層の発光効率が向上された有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。 - 特許庁
Subsequently, an insulation film 27 or the like is formed on the transistor, further a lower part shield layer 28 and an MR element (data read-out element) 32 or the like are formed.例文帳に追加
その後、トランジスタの上に絶縁膜27等を形成し、更に下部シールド層28及びMR素子(データ読出し素子)32等を形成する。 - 特許庁
A memory element (19) temporarily sets (110, 210) the magnetization of the reference layer in a known direction, and can be read by deciding (112, 212) a resistance state of the element.例文帳に追加
メモリ素子(10)は、基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定し(110,210)、素子の抵抗状態を判定する(112,212)ことにより読み出され得る。 - 特許庁
A thickness ds in the thin-layer part is set to a size which satisfies the element characteristics required by the formed semiconductor element.例文帳に追加
この際、当該薄層化部分における厚みdsが、作り込む半導体素子に要求される素子特性を満たす寸法となるようにしておく。 - 特許庁
CURABLE COMPOSITION FOR SOLID STATE IMAGING ELEMENT; PHOTOSENSITIVE LAYER, PERMANENT PATTERN, WAFER LEVEL LENS, AND SOLID STATE IMAGING ELEMENT INCLUDING THE SAME; AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法 - 特許庁
The method of forming the phase-change material layer, the method of forming the phase-change memory element using the method and the phase-change memory element are disclosed.例文帳に追加
相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor optical element capable of preventing an active layer from being damaged during a manufacturing process of the semiconductor optical element.例文帳に追加
半導体光素子の作製プロセス中、活性層にダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。 - 特許庁
The non-feeding conductor element 11 formed of a rectangular conductor board opposing to the radiation conductor element 7 is arranged on the surface 2A of the multi-layer substrate 2.例文帳に追加
多層基板2の表面2Aには、放射導体素子7と対向した矩形導体板からなる無給電導体素子11を設ける。 - 特許庁
The upper wiring layer has a first region overlapping the characteristic check element and a second region not overlapping the characteristic check element.例文帳に追加
前記上部配線層は、前記特性チェック素子に重なる第1領域と、前記特性チェック素子に重ならない第2領域とを備える。 - 特許庁
In the electronic substrate 1 provided with an inductor element 40 on a base 10, a core 42 of the inductor element 40 is formed of a magnetic layer 31.例文帳に追加
基体10上にインダクタ素子40を備えた電子基板1であって、インダクタ素子40のコア42が、磁性層31で形成されている。 - 特許庁
In the same way, the conductive spacer of the second element from the bottom is made to be abutted on or adjacently opposed to the carbon paste layer of the third element from the bottom.例文帳に追加
同様に、下から2枚目の素子の導電性スペーサを下から3枚目の素子のカーボンペースト層に当接又は近接対向させる。 - 特許庁
An Al oxide layer 90 in the thickness of 40 nm is provided between the first semiconductor element 84A and the second semiconductor element 86.例文帳に追加
第1の半導体素子84Aと第2の半導体素子86との間には、膜厚40nmのAl酸化層90が介在している。 - 特許庁
The element connection side edge of a first bonding wire 8 connected to the first semiconductor element 5 is buried into the insulating resin layer 10.例文帳に追加
第1の半導体素子5に接続された第1のボンディングワイヤ8の素子接続側端部は絶縁性樹脂層10内に埋め込まれている。 - 特許庁
Thereafter the optical element 1, a molded product in which the substrate 10, the base layer 21 and the optical element body 22 are integrally formed, is pulled apart from the mold 30.例文帳に追加
その後、基板10とベース層21と光学素子本体22とが一体化した成形品である光学素子1を型30から引き離す。 - 特許庁
The first pad PD 1 is arranged on an upper layer of the first electrostatic discharge protection element ESD-L so as to overlap one part or the entire of the electrostatic discharge element ESD-L.例文帳に追加
第1の静電気保護素子ESD−Lの一部又は全部と重なるようにその上層に第1のパッドPD1が配置される。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element having a 600-660 nm wavelength band with improved current constriction layer and whose element surface is improved in planarity and crystallinity.例文帳に追加
電流狭窄層の結晶性改善により特性が向上した波長600〜660nm帯の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
In this gas sensor 1, a plurality of the spacers 75 held in between the detection element 11 and the heater element 12 are embedded in the adhesive layer 70.例文帳に追加
このガスセンサ1において、接着層70には、検出素子11とヒータ素子12とで挟持される複数のスペーサ75が埋設されている。 - 特許庁
Further, it is desirable to provide a heat insulation layer 9 made of a material of a small heat conductivity between the recording element 2, and the reproducing element 3 and heaters 4.例文帳に追加
更に望ましくは、記録素子2と再生素子3及びヒータ4との間に、低熱伝導率の材料からなる断熱層9を設ける。 - 特許庁
A first conductive element 12 in a first conductive element layer 5 continuously extends along a plane which is crossed with an electromagnetic wave incident direction.例文帳に追加
第1導体素子層5の第1導体素子12は、電磁波入射方向に対して交差する平面に沿って連続的に延びている。 - 特許庁
The gas concentration detecting element 10 includes the porous protection layer 170 for covering the surface of the gas concentration detecting element 10 exposed to the gas to be measured.例文帳に追加
ガス濃度検出素子10は、被測定ガスに晒されるガス濃度検出素子10の表面を覆う多孔質保護層170を具備する。 - 特許庁
The light emitting transistor element uses the light emission of a diphenylpyrene-based organic compound prepared from dibromopyrene, which is shown in the figure, as a light emission layer of the transistor element.例文帳に追加
例えば下記ジブロモピレンより得られるジフェニルピレン系有機化合物発光をトランジスタ素子の発光層に使用した発光トランジスタ素子。 - 特許庁
The light emitting element 34 and the light receiving element 35 are covered with a light-transmitting resin 36, and a light reflecting resin layer 48 is formed on the surface of the light-transmitting resin.例文帳に追加
発光素子34及び受光素子35を透光性樹脂36で覆い、その表面に光反射樹脂層48を形成する。 - 特許庁
To provide a polymer emitter composition capable of giving a light emitting element having a longer life when using the luminescent layer of the light emitting element.例文帳に追加
発光素子の発光層に用いたとき、寿命の一層長い発光素子を与えることができる高分子発光体組成物を提供する。 - 特許庁
A retardation compensating element 57 is provided between a reflective electrode of a reflective display element 54 and a polarization and split layer 64 of a polarization beam splitter 51.例文帳に追加
反射表示素子54の反射電極と偏光ビームスプリッタ51の偏光分離層64との間に、位相差補償素子57を設ける。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an optical element capable of efficiently manufacturing the optical element provided with a resin layer and having a non-circular outer peripheral shape.例文帳に追加
樹脂層を有する外周形状が非円形の光学素子を効率的に製造できる光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a light emitting element including a light emitting layer improved in the crystal growth thereof for ensuring an easier mass-production system, and also provide a method of manufacturing the light emitting element.例文帳に追加
結晶性が改善された発光層を有し量産化が容易な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The shield element includes a shield electrode and an insulating structure which covers the shield electrode and separates it from the picture element electrodes and the photoconductive layer.例文帳に追加
そのうちシールド素子は、シールド電極と、シールド電極を被覆し、これを画素電極と光伝導層から分離する絶縁構造とを含む。 - 特許庁
The perpendicular magnetic recording layer is made of alloy material that contains one element selected from iron and cobalt and one element selected from platinum and palladium.例文帳に追加
垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち1つの元素と、プラチナ及びパラジウムのうち1つの元素とを含有する合金材料からなる。 - 特許庁
An element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface by implanting prescribed element ion from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェーハの表面から所定の元素イオンを注入して、この表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成する。 - 特許庁
The red semiconductor laser element 2 and the infrared semiconductor laser element 3 are manufactured by forming a semiconductor layer on a GaN substrate.例文帳に追加
赤色半導体レーザ素子2および赤外半導体レーザ素子3はGaAs基板上に半導体層を形成することにより作製される。 - 特許庁
A sensor element 12a includes MOSFET, and has a diffusion layer with a larger surface area as a passive element and facing to the conductor pattern 101.例文帳に追加
センサ要素12aは、MOSFETを含み、表面積が大きい方の拡散層が受動素子となり、導体パターン101に対向している。 - 特許庁
The reproducing layer 13 is made of a amorphous alloy containing a rare earth element and a transition metal, and the rare earth element contains Gd and Y or La.例文帳に追加
再生層13は、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、希土類元素は、Gdと、YまたはLaとを含む。 - 特許庁
To provide an organic semiconductor element capable of maintaining element characteristics by preventing the deterioration of an organic semiconductor layer due to the irradiation of energy ray.例文帳に追加
エネルギー線の照射による有機半導体層の劣化を防止して素子特性を維持することが可能な有機半導体素子を提供する。 - 特許庁
An electrode is formed so that a current flows horizontal to a thin film resistance layer in a high resistance element and flows vertical in a low resistance element.例文帳に追加
高抵抗素子は薄膜抵抗層に対し電流が水平に流れ、低抵抗素子は垂直に流れるように電極を形成する。 - 特許庁
To easily form a semiconductor element while avoiding degradation of characteristics, in a semiconductor element with a substrate formed on one surface of a semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層の一方の面に基板が形成された半導体素子について、特性の劣化を避けながら容易に形成することを実現する。 - 特許庁
The semiconductor optical apparatus comprises a submount 1; a semiconductor laser element 2; and an alloy layer arranged between the submount 1 and a semiconductor laser element 2.例文帳に追加
サブマウント1と、半導体レーザ素子2と、サブマウント1および半導体レーザ素子2の間に配置された合金層を備えた構造を有する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a first element isolation region 19 and a second element isolation region 29 which are both provided in a semiconductor layer 10.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、半導体層10に形成された第1素子分離領域19および第2素子分離領域29を含む。 - 特許庁
The light-emitting element on the pixel and the monitoring element have transparent electrodes 165, 171, an organic compound layer 167, and a reflecting electrode 168, respectively.例文帳に追加
画素部の発光素子及びモニター素子は、それぞれ、透明電極165、171、有機化合物層167、反射電極168を有する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a piezoelectric element capable of efficiently manufacturing the thin piezoelectric element comprising a piezoelectric layer and having no warpage.例文帳に追加
厚みが薄く、反りのない圧電体層を備えた圧電素子を効率よく製造することが可能な圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The thermistor element 2 has the element body 4 having two or more built-in internal electrode layers 8a to 8c so as to sandwich a thermistor layer 6 therebetween.例文帳に追加
サーミスタ層6を挟むように二以上の内部電極層8a〜8cが内蔵してある素子本体4を有するサーミスタ素子2である。 - 特許庁
On the insulating film layer a6, the inductive element pattern is provided with the belt-like patterns b63 and b64 to form the capacitance element C62 for adjusting characteristics.例文帳に追加
絶縁膜層a6上で、誘導素子パターンに帯状パターンb63,b64を設けて特性調整用の容量素子C62を形成する。 - 特許庁
Each layer of the organic EL element is laminated in thickness direction of the light box, and the light emitted from the organic EL element 20 is emitted from the outgoing face.例文帳に追加
有機EL素子20の各層は、ライトボックスの厚さ方向に積層し、有機EL素子20で発した光は、出射面から発せられる。 - 特許庁
To provide an organic EL element of high color conversion efficiency and capable of a full color display of high color purity, and to provide a method for easily obtaining a light-emitting layer contained in the element having superior smoothness and uniformity.例文帳に追加
色変換効率が良く、色純度に優れたフルカラー表示を行うことができる有機EL素子を提供すること。 - 特許庁
When the optical element is incorporated in the reflection type liquid crystal display, the optical element functions as the light scattering layer, and a viewing angle property can be improved.例文帳に追加
反射型液晶表示装置にこの光学素子を組み込めば、光散乱層として機能し、視野角特性の改善が可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting element for efficiently taking out light generated in a luminous layer to the outside, and to provide a manufacturing method of the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加
発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A display device 1 includes: a thin film organic EL element 20; and a secondary battery layer 10 provided on one face of the organic EL element 20.例文帳に追加
表示装置1は、薄膜状の有機EL素子20と、有機EL素子20の一方の面側に設けられる二次電池層10とを備える。 - 特許庁
METHOD FOR CLEANING HEAT MODE TYPE RECORDING MEDIUM LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING PRODUCT HAVING RECESS AND PROJECTION, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL ELEMENT例文帳に追加
ヒートモード型記録材料層の洗浄方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法 - 特許庁
The base material for a semiconductor device comprises a substrate, a GaInNP buffer layer or a GaNP buffer layer deposited on the substrate, and a base layer for formation of a functional element deposited on the GaInNP buffer layer or the GaNP buffer layer, wherein the base layer for a functional element includes a high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer as the uppermost layer and also includes a low crystalline AlGaN semiconductor layer.例文帳に追加
半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたGaInNPバッファ層またはGaNPバッファ層と、このGaInNPバッファ層またはGaNPバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Al_x Ga_1-x N半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性AlGaN半導体層を有することを特徴とする。 - 特許庁
The light emitting device has: a semiconductor laser element which includes at least a substrate, a first conductivity type clad layer, an active layer, a second conductivity type clad layer in this order; and a phosphor which absorbs laser light emitted by the semiconductor laser element and radiates fluorescence, the semiconductor laser element being a self-excited laser element.例文帳に追加
少なくとも基板と、第1導電型クラッド層と、活性層と、第2導電型クラッド層とを、少なくともこの順に備えている半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が発するレーザ光を吸収して蛍光を放射する蛍光体とを備える発光装置であって、半導体レーザ素子が自励発振レーザ素子であることを特徴とする、発光装置。 - 特許庁
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