「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

There are provided a thin-plate center layer 3 comprising an electric element, a laminate film layer 2 arranged above and below the center layer 3, and a cover case layer 1 arranged above and below the laminate film layer as a sandwich structure.例文帳に追加

電気素子を有する薄板状の中心層３と、中心層３の上下に配置されるラミネートフィルム層２と、このラミネートフィルム層の上下に配置されるカバーケース層１と、を備えて、サンドイッチ形構造にして構成される装置カバーケース構造とした。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁

The element includes a first conductivity type first semiconductor layer 10, a second conductivity type second semiconductor layer 20, a light-emitting layer 30 between them, a first electrode 40 in contact with the first conductor layer, and a second electrode 50 in contact with the second semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型の第１半導体層１０と、第２導電型の第２半導体層２０と、その間の発光層３０と、第１半導体層に接する第１電極４０と、第２半導体層に接する第２電極５０と、を備える。 - 特許庁

A spin element comprises: a semiconductor layer 3 composed of single-crystal Si; a first tunnel insulating layer T1 formed on a surface of the semiconductor layer 3; and a first ferromagnetic metal layer 1 formed on the first tunnel insulating layer T1.例文帳に追加

このスピン素子は、単結晶のＳｉからなる半導体層３と、半導体層３の表面上に形成された第１トンネル絶縁層Ｔ１と、第１トンネル絶縁層Ｔ１上に形成された第１強磁性金属層１とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a capacitive element 100 including a first electrode layer 40, a ferroelectric layer 50 and a second electrode layer 60, and contact parts 200 and 300 including a first plug conductive layer 30 and a contact conductive layer 110.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第１電極層４０、強誘電体層５０、および第２電極層６０を含む容量素子１００と、第１プラグ導電層３０およびコンタクト導電層１１０を含むコンタクト部２００，３００と、を含む。 - 特許庁

The detector 20 is constructed by laminating a recording light side electrode layer 21, a recording photoconductive layer 22, an electric charge transporting layer 23, a reading photoconductive layer 25, and a reading light side electrode layer 25 having a stripe electrode 26 constructed of an element 26a in this order.例文帳に追加

検出器２０は、記録光側電極層２１、記録用光導電層２２、電荷輸送層２３、読取用光導電層２４、エレメント２６ａから成るストライプ電極２６を有する読取光側電極層２５をこの順に積層してなる。 - 特許庁

The compound wiring member includes: a copper layer 3 for mounting the element, which is formed on one side surface of a flexible base plate 2; a resin layer 4 formed on the other side surface of the flexible base plate 2; and an elongation preventive layer 5, stuck to the resin layer 4, for preventing elongation of the resin layer 4.例文帳に追加

フレキシブル基板２の片側面に形成された素子実装用の銅層３と、フレキシブル基板２の反対側面に形成された樹脂層４と、樹脂層４に貼り合わされ樹脂層４の伸びを防止する伸び防止層５とを備えた。 - 特許庁

To put it concretely, the TMR element 4 is provided with: a first magnetic layer 44 being the magnetism sensitive layer; second magnetic layers 41 and 42 in which the magnetization direction is fixed; and a non-magnetic layer (insulating layer) 43 sandwiched between the magnetism sensitive layer 44 and the fixing layers 41 and 42.例文帳に追加

具体的には、ＴＭＲ素子４は、感磁層である第１磁性層４４と、磁化方向が固定された第２磁性層４１，４２と、感磁層４４及び固定層４１，４２に挟まれた非磁性層（絶縁層）４３とを含んで構成される。 - 特許庁

The spin conversion element is successively provided with a high-coercitivity magnetic layer 2 having magnetization fixed in one direction, an insulating layer 3, and a non-magnetic conductive layer 4 having each conduction electron that is ferromagnetically coupled with the high-coercitivity magnetic layer 2 via the insulating layer 3.例文帳に追加

一方向に固定された磁化を有する高保磁力磁性層２と、絶縁層３と、絶縁層３を介して高保磁力磁性層２と強磁性的結合した伝導電子を有する非磁性の導電層４とを順に備える。 - 特許庁

The organic EL element 11 is constructed by arranging an organic layer between an anode 12 and a cathode 13, and the organic layer is constituted of a hole injecting layer 14, a hole transporting layer 15, and an electron transporting luminous layer 16 successively from the anode 12 side.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は陽極１２と陰極１３との間に有機層が設けられて構成され、該有機層は陽極１２側から順に正孔注入層１４、正孔輸送層１５及び電子輸送性発光層１６で構成されている。 - 特許庁

A hole injection electrode 12, a hole carrier layer 14, an organic luminescent layer 16, a hole blocking layer 18, an electron carrier layer 20, a buffer layer 22, and an electron injection electrode 24 are laminated in this order on a substrate 10 to form this organic electroluminescent element.例文帳に追加

基板１０上にホール注入電極１２、ホール輸送層１４、有機発光層１６、ホールブロック層１８、電子輸送層２０、バッファ層２２、電子注入電極２４をこの順番に積層し、有機電界発光素子を形成した。 - 特許庁

An organic EL element substrate 10 includes a substrate 11 on which a first electrode layer 14 is formed, an organic EL coating layer 21 formed on the first electrode layer 14, and an organic EL vapor deposition layer 25 formed on the organic EL coating layer 21.例文帳に追加

有機ＥＬ素子基板１０は、第１電極層１４が形成された基板１１と、第１電極層１４上に設けられた有機ＥＬ塗布層２１と、有機ＥＬ塗布層２１上に設けられた有機ＥＬ蒸着層２５とを備えている。 - 特許庁

A hybrid power generation element 100 comprises a first insulator layer 10, a support member 11, a first electrode layer 12, a piezoelectric layer 13, a second electrode layer 14, a second insulator layer 15, a magnet 16, and a coil 17.例文帳に追加

ハイブリッド発電素子１００は、第１の絶縁体層１０と、支持部材１１と、第１の電極層１２と、圧電体層１３と、第２の電極層１４と、第２の絶縁体層１５と、磁石１６と、コイル１７と、を備えているものである。 - 特許庁

This organic EL element is formed by laminating at least a positive electrode 2, a first luminescent layer 5, a hole barrier layer 6, a second luminescent layer 7, and a negative electrode 9 in this order, and the first luminescent layer 5 and the second luminescent layer 7 are both made of a hole transporting material.例文帳に追加

少なくとも陽極２、第一発光層５、正孔障壁層６、第二発光層７、及び陰極９をこの順に積層してなり、第一発光層５と第二発光層７がともに正孔輸送性材料からなる有機ＥＬ素子。 - 特許庁

The film 8 has a laminated-layer structure laminating a resin layer 8a, an inorganic layer 8b, a resin layer 8c, and an inorganic barrier layer 8d in this sequence from lower layers and is also formed on the substrate 2 over the outer edge of the element 3.例文帳に追加

バリア多層膜８は、下層から順に樹脂層８ａ、無機物バリア層８ｂ、樹脂層８ｃ、無機物バリア層８ｄの順に積層した積層構造を成しており、有機ＥＬ素子３の外縁を跨って透明基板２上にも形成されている。 - 特許庁

A closed magnetic path layer 16 is provided on a ferromagnetic layer 14 that becomes the memory layer of a laminated MTJ element 1, and the ferromagnetic layer 14 and a closed magnetic path layer 16 are jointed via metal layers 15 and 15' at both ends and are separated at a central part.例文帳に追加

積層したＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層１４の上に閉磁路層１６を設け、両端部において金属層１５、１５´を介して強磁性層１４と閉磁路層１６を接合し、かつ中央部においては離間させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for evenly depositing silicon oxide layer having a low permittivity used for a gap filling layer in a sub- micron element, a premetal dielectric layer, an intermetal dielectric layer, shallow trench separating dielectric layer and the like.例文帳に追加

サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。 - 特許庁

To provide an alignment layer which can impart a preferable molecular alignment state to a liquid crystal layer on the alignment layer, to provide a liquid crystal aligner to form the layer, and to provide a liquid crystal display element having preferable black display characteristics and having the alignment layer.例文帳に追加

配向膜上の液晶層に良好な分子配向状態を付与することのできる配向膜、それを与える液晶配向剤、および該配向膜を有する黒表示特性の良好な液晶表示素子を提供することである。 - 特許庁

This organic EL element 10 is provided with an optical multilayer body 2, an organic EL layer 3 and a cathode layer 4 in this order on one face side of a substrate 1, and a layer in contact with the organic EL layer 3 out of the optical multiplayer body 2 is an anode layer 2A.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０は、基板１の一面側に光学多層体２、有機ＥＬ層３、陰極層４が順に設けられたものであり、光学多層体２のうち有機ＥＬ層３と接する層が陽極層２Ａとなっている。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes: a substrate 101; an anode layer 113 on the substrate 101, which includes WO_xN_y (2.2≤x≤2.6, 0.22≤y≤0.26); a light-emitting structure layer 120 on the anode layer 113; and a cathode layer 131 on the light-emitting structure layer 120.例文帳に追加

基板１０１、基板１０１上のＷＯ_ｘＮ_ｙ（２．２≦ｘ≦２．６、０．２２≦ｙ≦０．２６）を含むアノード層１１３、アノード層１１３上の発光構造層１２０、発光構造層１２０上のカソード層１３１を含む有機発光素子である。 - 特許庁

The organic EL element 100 has a glass substrate 1 on which, a hole injection electrode 2 is formed and on which, a hole transport layer 3, a light emitting layer 4, a hole blocking layer 5 an electron transport layer 6 and an electron injection layer 7 are successively formed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００においては、ガラス基板１上にホール注入電極２が形成され、その上にホール輸送層３、発光層４、ホール阻止層５、電子輸送層６および電子注入電極７が順に形成されている。 - 特許庁

The oscillation element is equipped with the resonant tunneling diode constituted by interposing a gain medium constituted by including a first barrier layer, a quantum well layer 11, and a second barrier layer between a first thickness adjustment layer 9 and a second thickness adjustment layer 13.例文帳に追加

発振素子は、第1の障壁層と量子井戸層11と第2の障壁層とを含み構成される利得媒質を、第1の厚さ調整層9と第2の厚さ調整層13との間に介在させて構成されている共鳴トンネルダイオードを備える。 - 特許庁

In the friction layer 4 for the bearing element 1, particularly, a sliding bearing, which is composed of a synthetic polymer, particularly, a resin or lacquer layer, the polymer layer is composed of at least a first partial layer 5 and a second partial layer 6 having different compositions.例文帳に追加

合成ポリマー層、特に樹脂もしくはラッカー層から成る、軸受け要素(1)、特に滑り軸受けのための摩擦層(4)であって、そのポリマー層が、少なくとも、組成を異にする第1の部分層(5)及び第2の部分層(6)から成っているように、構成する。 - 特許庁

In the light-emitting element having an EL layer between an anode and a cathode, a first layer in which carriers are generated is formed between the cathode and the EL layer and in contact with the cathode, a second layer that transfers electrons generated in the first layer is formed in contact with the first layer, and a third layer that injects the electrons received from the second layer into the EL layer is formed in contact with the second layer.例文帳に追加

陽極と陰極との間にＥＬ層を有する発光素子において、陰極とＥＬ層との間にキャリアの発生が可能である第１の層を陰極と接して形成し、第１の層で生じた電子の受け渡しを行う第２の層を第１の層と接して形成し、第２の層から渡された電子をＥＬ層に注入する第３の層を第２の層と接して形成する。 - 特許庁

A stress-relaxing layer 20, comprising a buffer part 21 and a conductive part 22, consisting of nickel layer (conductive layer) 24 and a solder layer 23 and electrically connects an emitter electrode 25 to a circuit side electrode, is provided on the emitter electrode (element-side electrode) 25 on a semiconductor element 10.例文帳に追加

半導体素子１０上のエミッタ電極（素子側電極）２５の上に、緩衝部２１および、ニッケル層（導電性層）２４と半田層２３とからなる導電部２２を有し、エミッタ電極２５と回路側電極とを電気的に接続する応力緩和層２０が設けられている。 - 特許庁

This device has a silicon substrate 12, an isolation structure 10 present in the substrate 12 (for example, a shallow trench isolation), an active element structure (for example, a transistor structure), a dielectric layer covering the active element structure, and a metal interconnect layer (a first metal layer) 28 covering the dielectric layer 26.例文帳に追加

本発明のデバイスは、シリコン基板と、その基板内に有るアイソレーション構造（例えば、浅いトレンチ・アイソレーション）と、能動素子構造（例えば、トランジスタ構造）と、その能動素子構造を覆う誘電体層及びその誘電体層を覆うメタル・インターコネクト層（第１メタル層）を具備する。 - 特許庁

The binder layer 2 has the adhesiveness demonstrating adhesiveness for both of the transparent electrode 1e and the decorative layer 3 (the ink layer 3c) of the EL light emitting element 1 and the light transmitting property which does not shield light emitted from a light emitting layer 1d of the EL light emitting element 1.例文帳に追加

バインダ層２は、ＥＬ発光素子１の透明電極１ｅと装飾層３（インク層３ｃ）との双方に接着力を発揮する接着性と、ＥＬ発光素子１の発光体層１ｄで発光した光を遮断することのない光透過性とを有している。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element, that can prevent oxygen contained in a mirror reflection layer form diffusing into the upper and lower layers of the mirror reflection layer, and can maintain uniformity at the interface of the mirror reflection layer, in the magnetic detection element having mirror reflection layer made of an insulating oxide.例文帳に追加

絶縁酸化物からなる鏡面反射層を有する磁気検出素子において、鏡面反射層の上下の層に鏡面反射層に含まれる酸素が拡散することを防ぎ、鏡面反射層の界面の均一性を保つことのできる磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for an optical element capable of solving conventional problems by forming a light scattering layer with nitride-oxide, and by forming a capping layer which can prevent a crystallographic mismatch between the light scattering layer and a protective layer, and to provide a method of manufacturing the structure for the optical element.例文帳に追加

光散乱層を窒化物−酸化物で形成し、光散乱層と保護層との間に結晶学的ミスマッチを防止することが可能なキャッピング層を形成することにより、従来の問題点を解消することが可能な光素子用構造物及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An introduction passage 110 is opened on a gas sensor element surface 101, the gas sensor element surface 101 comprises a diffusion resistance layer 17 for coating the introduction passage 110, and a dense layer 162 for coating the sensor cell, and the heat blocking part 100 is located between the diffusion resistance layer 17 and the dense layer 162.例文帳に追加

またはガスセンサ素子表面１０１に導入路１１０が開口し、かつガスセンサ素子表面１０１は導入路１１０を覆う拡散抵抗層１７と、センサセルを覆う緻密層１６２とよりなり、拡散抵抗層１７と緻密層１６２との間に熱遮断部１０を有する。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition capable of forming an n-type diffusion layer in a specific part without forming an unwanted n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell element using a silicon substrate, a method for manufacturing the n-type diffusion layer, and a method for manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

On a lower shield layer 12 and an upper shield layer 19 holding an MR element 15 between them through a 2nd non-magnetic layer 14 and a 3rd non-magnetic layer 17, step parts 12a, 12b, 19a, 19b are arranged respectively at the positions corresponding to both end parts of the MR element 15.例文帳に追加

ＭＲ素子１５を第２の非磁性層１４及び第３の非磁性層１７を介して挟持する下層シールド層１２及び上層シールド層１９に、それぞれ、ＭＲ素子１５の両端部に相当する位置に段差部（１２ａ，１２ｂ、１９ａ，１９ｂ）を設ける。 - 特許庁

To provide a ZnO semiconductor element which can suppress deterioration in the planarity of an acceptor-doped layer or in a layer formed after the acceptor-doped layer without deteriorating a concentration of an acceptor element, in the case of forming a laminated body which includes an acceptor-doped layer composed of a ZnO semiconductor.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN.例文帳に追加

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。 - 特許庁

Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is employed as the material of a free magnetic layer 16 and a second fixed magnetic layer 14c, and the composition ratio of Ge element and Sn element is adjusted for adjusting the lattice constant of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16.例文帳に追加

第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の材料にＣｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金を用い、さらにＧｅ元素とＳｎ元素の組成比率を調節することで、第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の格子定数を調整している。 - 特許庁

The light advanced into the transparent layer 11 reaches the photoelectric conversion element 13 directly or after reflection on the reflective layer 12 and further reflection occurs on the interface of the atmosphere and the transparent layer, so that even the light confined in the transparent layer 11 reaches the photoelectric conversion element 13 easily.例文帳に追加

このため、透明層１１に進入した光は、直接、または反射層１２で反射された後に光電変換素子１３に到達するだけではなく、大気と透明層の界面で反射し、透明層１１に閉じ込められたものも光電変換素子１３に容易に到達する。 - 特許庁

To form the optical wave guide 9, the upper face of the element 1 is covered with a clad layer 91, a core layer 93 is formed on the clad layer, a core part 94 having a desired shape such that the core part 94 laps the light emitting part 101 of the element 1 in a planar view is patterned, and clad layer 97 is lapped on the core part 94.例文帳に追加

光導波路９の形成は、素子１の上面をクラッド層９１で覆い、その上にコア層９３を形成し、平面視で素子１の発光部１０１と重なるような所望形状のコア部９４をパターニングし、その上にクラッド層９７を重ねる。 - 特許庁

Alternatively, an introducing channel 110 is opened on a surface 101 of the gas sensor element, and the surface of gas sensor element 101 is composed of a diffusion resistive layer 17 covering the introducing channel 110 and a fine layer 162 covering the sensor cell, and a thermal insulating section 10 is arranged between the diffusion resistive layer 17 and the fine layer 162.例文帳に追加

またはガスセンサ素子表面１０１に導入路１１０が開口し，かつガスセンサ素子表面１０１は導入路１１０を覆う拡散抵抗層１７と，センサセルを覆う緻密層１６２とよりなり，拡散抵抗層１７と緻密層１６２との間に熱遮断部１０を有する。 - 特許庁

This light emitting element (organic EL element) is provided with an orange color light emitting layer 23 formed on a glass board 1, and a blue color light emitting layer 24 formed to be laminated in relation to the orange color light emitting layer 23 and for emitting the light having a wave length different from that of the orange color light emitting layer 23.例文帳に追加

この発光素子（有機ＥＬ素子）は、ガラス基板１上に形成されたオレンジ色発光層２３と、オレンジ色発光層２３に対して積層するように形成され、オレンジ色発光層２３とは異なる波長の光を発光する青色発光層２４とを備えている。 - 特許庁

In order to control the voltage of the magnetization state of a certain magnetic element, the magnetic property of a transfer layer is controlled by applying an electric field to the transfer layer by using the transfer layer having a magnetic order at least together with a ferroelectricity, and the magnetization direction of the magnetic element brought into contact with the transfer layer is changed.例文帳に追加

ある磁性体の磁化状態の電圧制御を行うために、少なくとも強誘電性とともに、磁気秩序を有する転移層を用い、転移層への電界印可により、転移層の磁性を制御し、且つ転移層と接する磁性体の磁化方向を変化させる。 - 特許庁

In an MTJ element 36 used in MRAM, etc., a cap layer 54 formed on a free layer 50 composed of NiFe is formed in a two-layered structure composed of a non-magnetic NiFeX layer 51 and a Ta layer 52.例文帳に追加

ＭＲＡＭ等に用いられるＭＴＪエレメント３６において、ＮｉＦｅからなるフリー層５０の上に形成されたキャップ層５４を、非磁性のＮｉＦｅＸ層５１およびＴａ層５２からなる２層構造とする。 - 特許庁

A TMR element 51 is provided with a TMR film 53 including an antiferromagnetic layer 61, a pinned layer 63, a barrier layer 65, and a free layer 67; and a lower magnetic shield film 55 provided at the lower part in the laminating direction of the TMR film.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５１は、反強磁性層６１、ピンド層６３、バリア層６５及びフリー層６７を含むＴＭＲ膜５３と、ＴＭＲ膜の積層方向下方に設けられた下部磁気シールド膜５５とを備える。 - 特許庁

The magnetic memory element having a nonmagnetic layer 14 between a first ferromagnetic layer 13 and a second ferromagnetic layer 15 is obtained by constituting the nonmagnetic layer 14 of a material which is changed in its electrical characteristics by an external magnetic field.例文帳に追加

第１の強磁性層１３と第２の強磁性層１５の間に非磁性層１４を有する磁気メモリ素子において、外部磁界により電気的特性が変化するもので非磁性層１４を構成する。 - 特許庁