「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic electroluminescent element has a diffraction grating 2 on a surface layer of a substrate 1, and an organic EL layer 5, containing a light-emitting layer interposed between a positive electrode 4 and a negative electrode 6, is arranged on the diffraction grating through a middle layer 3.例文帳に追加

有機エレクトロルミネセンス素子は基板１の表層に回折格子２を有し、この上に中間層３を介して、陽極４と陰極６の間に発光層を含む有機ＥＬ層５が設けられている。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 and a conductive layer 2 are alternately laminated, the diffusion distance of a metal constituent in the conductive layer 2 to the piezoelectric substrate layer 1 should be 0.1-3 μm.例文帳に追加

圧電体層１と導体層２とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記導体層２中の金属成分の、前記圧電体層１への拡散距離が０．１〜３μｍであることを特徴とする。 - 特許庁

A capacitor element 2 of the solid electrolytic capacitor includes: an anode body 3 serving as an anode; a dielectric coating 4; a solid electrolytic layer 5; an insulator layer 6; a carbon layer 7 serving as a cathode; and a silver paste layer 8.例文帳に追加

固体電解コンデンサのコンデンサ素子２は、陽極としての陽極体３と、誘電体被膜４と、固体電解質層５と、絶縁層６と、陰極としてのカーボン層７および銀ペースト層８とを備えている。 - 特許庁

To provide an adhesive agent layer excellent in durability to long severe conditions, relaxation to stress caused by dimensional change of an optical element, and processability, to provide a method for producing the layer, to provide optical elements having the adhesive agent layer, and to provide image display devices using the layer.例文帳に追加

長期の過酷条件下に対する、耐久性、光学部材の寸法変化に起因する応力の緩和性、ならびに加工性に優れる粘着剤層およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The protective layer 20 is constituted by laying an SiO_2 layer 20A and a TiO_2 layer 20B alternately and reflects spontaneous radiation light component emitted from an MQW layer 16 thus suppressing radiation to the outside of the LD element.例文帳に追加

保護層２０は、ＳｉＯ_2層２０Ａと、ＴｉＯ_2層２０Ｂとを交互に積層して構成されており、ＭＱＷ層１６から発せられる自然放射光成分を反射してＬＤ素子外部への放射を抑制する。 - 特許庁

A method of manufacturing the substrate for mounting an element comprises processes of forming an electrode precursor layer to the pattern of the electrode layer on a ceramic board or green sheet having a large diameter, forming a ceramic coating precursor layer on part of the electrode precursor layer, and baking the obtained precursor.例文帳に追加

本発明に係る素子搭載用基板は、セラミックス製基板と、該基板上に形成された電極層と、該電極層上の一部に形成された厚さ５〜５０μｍのセラミックス製被覆層とからなる。 - 特許庁

This connecting structure comprises the bioelectrode and a clamping clip, and the bioelectrode has a multiple-layered structure, a first insulating layer 41, a shielding layer 42, a second insulating layer 43, an electrode element layer 44 and an electrolyte 45 in descending order.例文帳に追加

生体電極と挟持クリップとで構成される接続構造であって、生体電極は、上から第１の絶縁層(41)、シールド層(42)、第２の絶縁層(43)、電極素子層（44）及び電解質(45)の複数層構成である。 - 特許庁

To make it possible to apply a stable bias magnetic field to a magnetism sensing layer by increasing the coercive force of a bias magnetic field application layer for applying to the magnetism sensing layer a bias magnetic field for making the magnetism sensing layer of a magnetoresistance effect element have a single magnetic domain.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を感磁層に印加するバイアス磁界印加層の保磁力を大きくして、安定したバイアス磁界を感磁層に印加できるようにする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes at least a metal oxide semiconductor layer and a buffer layer made of In_2S_3, wherein the buffer layer is formed on the metal oxide semiconductor layer by the spray method and its thickness is 0.2 to 1.0 μm.例文帳に追加

少なくとも、金属酸化物半導体層、及びＩｎ_２Ｓ_３からなるバッファー層を備え、該バッファー層は、金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成され、厚みが０．２〜１．０μｍである、光電変換素子。 - 特許庁

The piezoelectric element 17 is provided with a piezoelectric layer 31 consisting of an upper layer piezoelectric material 34 and a lower layer piezoelectric material 35 which are alternately stacked, and electrode layers 33, 36 and 37 for generating electric fields provided to the layer 31.例文帳に追加

圧電素子１７は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備える。 - 特許庁

An upper insulation layer 9 is provided on the MR element layer 5, the electrodes 7 and the soft magnetic film via a non-magnetic upper gap layer 8, and an upper shielding layer 10 having 3 μm thickness is formed thereon.例文帳に追加

そしてこれらのＭＲ素子層５及び電極７、軟磁性膜の上に、非磁性の上部ギャップ層８を介して上部絶縁層９が設けられ、さらにその上に上部シールド層１０が厚み３μｍで形成される。 - 特許庁

El element is obtainable by forming a luminous layer 12 on the dielectric layer 8 of the complex substrate and forming a transparent electrode 16 on the luminous layer 12, if required, by inserting an insulating layer 14.例文帳に追加

複合基板の誘電体層８の上に発光体層１２を形成し、発光体層１２の上に、必要に応じて絶縁層１４を介して、透明電極層１６を形成することで、ＥＬ素子が得られる。 - 特許庁

To provide a light emitting element that is improved in light emitting efficiency by utilizing a metallic layer as a reflection layer and is free from reflectance drop caused by the alloying of the metallic layer and a light emitting layer.例文帳に追加

金属層を反射層として利用することにより、素子からの光取出し効率が良好であり、金属層と発光層部との合金化による反射率低下の心配がない発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an excellent organic electroluminescent element which uses a compound having isoindole skeleton for various layer forming materials such as the material for an electric charge transporting layer, the host material for a light emitting layer, and light emitting layer dopant.例文帳に追加

イソインドール骨格を有する化合物を電荷輸送層材料、発光層ホスト材料および発光層ドーパントと、種々の層形成材料に使用することにより、優れた有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive element supplies a current to a magnetoresistive film 61 arranged between a lower shielding layer 43 and an upper shielding layer 44 through the lower shielding layer 43 and the upper shielding layer 44.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子は、下部シールド層４３および上部シールド層４４の間に配置される磁気抵抗効果膜６１に下部シールド層４３および上部シールド層４４を通じて電流を供給する。 - 特許庁

To provide a light emitting element capable of suppressing occurrence of a crystal defect such as a dislocation or the like by alleviating a strain generated between a clad layer and a guide layer or a strain generated between a contact layer and the clad layer.例文帳に追加

クラッド層とガイド層との間に生じる歪み、またはコンタクト層とクラッド層との間に生じる歪みを緩和し、転位などの結晶欠陥の発生を抑制することができる発光素子を提供する。 - 特許庁

The AlGaInP semiconductor light-emitting element has a light-emitting layer 3 and a contact layer 8 formed of (Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP(0≤y≤1, 0<z<1) between a light-emitting layer 3 and a transparent substrate 2 which is transparent to a light-emitting wavelength from the light-emitting layer 3.例文帳に追加

発光層３と、発光層３からの発光波長に対して透明な透明基板２との間に(Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP（0≦y≦1、0＜z＜1）からなるコンタクト層８を備えることを特徴とするAlGaInP系の半導体発光素子。 - 特許庁

In the organic EL element 13, a first electrode layer 17 (positive electrode), an organic EL layer 18 as a light-emitting layer, and a second electrode layer 19 (negative electrode) are laminated on the substrate 12 in this order, and the both electrode layers 17, 19 are formed transparent.例文帳に追加

有機ＥＬ素子13は、第１電極層17（陽極）、発光層としての有機ＥＬ層18、第２電極層19（陰極）の順に基板12上に積層され、両電極層17，19は透明に形成されている。 - 特許庁

At least the fixed layer 23 or the free layer 25 is a region adjacent to the non-magnetic conductive layer 24, and it comprises a region where concentration of the addition element becomes large as it comes close to the non-magnetic conductive layer 24.例文帳に追加

固定層２３とフリー層２５の少なくとも一方は、非磁性導電層２４に隣接する領域であって、非磁性導電層２４に近づくに従って添加元素の濃度が大きくなる領域を含んでいる。 - 特許庁

Related to a ferromagnetic tunneling effect element 10, a lower part ferromagnetic body layer 82, an oxidation-resistance layer 12, a tunnel barrier layer 84, and an upper part ferromagnetic body layer 86 are laminated in this order on a substrate 84.例文帳に追加

本発明に係る強磁性トンネル効果素子１０は、基板８８上に、下部強磁性体層８２、耐酸化層１２、トンネルバリア層８４及び上部強磁性体層８６が、この順に積層されてなるものである。 - 特許庁

The second semiconductor optical element includes the InP semiconductor layer 1b, an InAsP (indium arsenic phosphorus) semiconductor layer 19b, and a second active layer 23b and a second compound semiconductor layer 25b which are installed on the second region 61b.例文帳に追加

第２の半導体光素子部は、第２の領域６１ｂ上に設けられたＩｎＰ半導体層１ｂ、ＩｎＡｓＰ半導体層１９ｂ、第２の活性層２３ｂ及び第２の化合物半導体層２５ｂを含む。 - 特許庁

The inorganic EL element 1 is manufactured by laminating transparent electrode patterns 8 perpendicularly crossing a reaction prevention layer 5, a light emitting layer 6 an upper insulation layer 7, and a metal electrode pattern 3, on the high dielectric thick film layer 4.例文帳に追加

厚膜高誘電体層４の上に、反応防止層５、発光層６、上部絶縁層７、および金属電極パターン３と直交する透明電極パターン８を積層して無機ＥＬ素子１を作製する。 - 特許庁

A light emitting layer containing phosphor particles that make these semiconductor particles a base material, a dielectric layer, and a pair of electrodes which sandwich the dielectric layer and the light emitting layer are equipped to form the elecroluminescent element.例文帳に追加

この半導体粒子を母材とする蛍光体粒子を含む発光層と、誘電体層と、該誘電体層および該発光層をその間に挟む、一対の電極とを設けてなるエレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Further, a nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer having a polar plane at least partially, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

In the conjugative element 1, a depletion layer is formed within a semiconductor layer 2, and thereby, electrons existing in an electrode layer 4 cannot move to the semiconductor layer 2 when a voltage is impressed in a forward direction.例文帳に追加

この接合素子１では、半導体層２内に空乏層が形成されることにより、順方向に電圧が印加された際、電極層４に存在する電子は半導体層２に移動することができない。 - 特許庁

Typically it exists as a capping layer and is provided as the outer capping layer for the optical element or forms a sub-capping layer adjacent to the outer capping layer, formed of a different material.例文帳に追加

典型的にバックミンスターフラーレンはキャッピング層として存在し、光学素子のアウターキャッピング層として提供されるか、あるいは、異なる材料から形成されたアウターキャッピング層に隣接するサブキャッピング層を形成する。 - 特許庁

The field emission element includes a metal layer formed on a substrate, a current limiting layer formed on the metal layer, and a carbon nanotube emitter formed on the current limiting layer.例文帳に追加

本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。 - 特許庁

A structure of the cooling element comprises a working substance layer 13 exhibiting at least one carrier inducing magnetic effect, and an arrangement of an electrode layer 15 facing to the working substance layer 13 through at least one insulating layer 14.例文帳に追加

少なくとも１つのキャリア誘起磁性効果を示す作業物質層１３と、少なくとも１つの絶縁層１４を介して作業物質層１３と対向して電極層１５が配置された構造とする。 - 特許庁

To provide: a method for manufacturing a light-emitting element that can suppress the occurrence of peeling of a buffer layer at the time of manufacturing a light-emitting element having a Ga_2O_3 substrate; and a light-emitting element.例文帳に追加

Ｇａ_２Ｏ_３基板を有する発光素子の製造時におけるバッファ層の剥離の発生を抑制することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。 - 特許庁

A connection part 12 is formed under the second impurity diffusion layer in the element forming film, and electrically connects a body region of the first element with a body region of the second element.例文帳に追加

接続部１２は、素子形成膜における第２の不純物拡散層の下方に形成され、第１の素子のボディ領域と第２の素子のボディ領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a thermosensitive element can be disposed in a state where the element is electrically separated from a semiconductor substrate without being limited by the diffusing structure of a semiconductor layer underlying the thermosensitive element.例文帳に追加

感熱素子下の半導体層の拡散構造に制限されることがなく、感熱素子を半導体基板と電気的に分離して配置できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A group 18 element such as Ar and an impurity element used as a donor or acceptor are added to the semiconductor layer separated as an element, to form an n-type or p-type gettering site region.例文帳に追加

素子分離された半導体層に、Ａｒなどの第１８族元素と、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素とを添加し、ｎ型またはｐ型のゲッタリングサイト領域を形成する。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 includes a negative electrode active material with silicon as a constituting element, and a metallic conductive material with a metal element as a constituting element.例文帳に追加

負極２２の負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を構成元素として有する負極活物質と、金属元素を構成元素として有する金属導電物質とを含んでいる。 - 特許庁

This semiconductor device is structured by covering the passive element 3 and trimmable element 4 with a light transmissive resin layer 15 transmitting laser light Hv used to trim the trimmable element 4.例文帳に追加

この半導体装置では、受動素子３及びトリマブル素子４を、該トリマブル素子４のトリミング時に使用するレーザ光Ｈｖを透過させる光透過性樹脂層１５で被覆した構造とする。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a base material 2, a semiconductor element 3, and an adhesive layer 1 interposed between the base material 2 and the semiconductor element 3 and configured to bond the base material 2 and the semiconductor element 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、基材２と、半導体素子３と、基材２および半導体素子３の間に介在し、両者を接着する接着層１と、を備えている。 - 特許庁

The thin film 12 contains a compound semiconductor layer 12b, which is arranged so as to come into contact with the first electrode film 11 an contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含む。 - 特許庁

To provide a resistance change element with less amount of leak (and resultant short-circuit) even when a resistance changing layer is formed thin, and also to provide a method for manufacturing the same element and a resistance change memory using the same element.例文帳に追加

抵抗変化層を薄くしてもリーク（およびそれに伴うショート）が少ない抵抗変化素子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリを提供する。 - 特許庁

When an application element is designated, locations of customized items corresponding to the application element and application elements being in the lower layer of the application element are retrieved from the database.例文帳に追加

そして、業務要素が指定されると、その業務要素及びその業務要素の下層にある業務要素に対応するカスタマイズ項目の所在がそのデータベースから検索される。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor memory element comprises a switching element and the storage node connected to the switching element while the storage node has the lower electrode, the data storage layer, and the upper electrode.例文帳に追加

下部電極と、前記下部電極上に形成された一つの照射されたデータ保存層と、前記データ保存層上に形成された上部電極と、を含むストレージノードである。 - 特許庁

Then, the region guessed that a furniture element exists is collated with the furniture layer and when the element exists in the region which is guessed that the furniture exists, the element is recognized as the furniture.例文帳に追加

そして、建具要素が存在すると推察される領域を建具レイヤと照合し、建具が存在すると推察される領域に要素が存在する場合にこれを建具として認識する。 - 特許庁

The insulating layer is provided with a via hole which is formed so as to expose the resistive element, and a recess which is formed so as not to expose any resistive element, with a bottom thereof opposed to the resistive element.例文帳に追加

絶縁層は、抵抗素子が露出するように形成された貫通孔と、底部が抵抗素子と対向すると共に、抵抗素子が露出しないように形成された凹部と、を有する。 - 特許庁

To solve a problem of reliability of a light emitting element due to a deterioration in an organic compound layer in a light emitting unit with the light emitting element.例文帳に追加

発光素子を有する発光装置において問題となっているのが、有機化合物層の劣化による発光素子の信頼性である。 - 特許庁

The laminated ceramic electronic component further includes a coil element part 7 made of a ceramic green sheet 22 for an inner layer so that the density of the coil element part 7 after baking is 5.16 g/cm^3.例文帳に追加

一方、内層用セラミックグリーンシート２１にて構成されたコイル素子部７の焼成後の密度は、５．１６ｇ／ｃｍ^３ である。 - 特許庁

To provide a light emitting element such that a film thickness of a phosphor layer and a groove, formed on the light emitting element, can be made to be small, and white light can be obtained.例文帳に追加

発光素子に形成する蛍光体層の膜厚や溝を小さくでき、且つ、白色を得られる発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a light emitting element, capable of improving the electrical characteristics of an optical semiconductor layer and an electrode, and to provide a method of manufacturing such a light emitting element.例文帳に追加

光半導体層と電極との電気特性を向上させることが可能な発光素子、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁