「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

The element further comprises an insular current blocking layer 109 made of an LiGaO_2 epitaxially grown between the cladding layer 107 and the layer 108.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７とｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８との間には、エピタキシャル成長されたＬｉＧａＯ_２からなる島状の電流阻止層１０９を設けている。 - 特許庁

The memory element has a first conductive layer for composing the bit line, a second conductive layer for composing the word line, and the composite layer hardened by an optical action.例文帳に追加

記憶素子は、ビット線を構成する第１の導電層と、ワード線を構成する第２の導電層と、光学的作用により硬化する組成物層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head or the like capable of strongly fixing a direction of the magnetization of a fixed layer in spite of employing a spin valve magnetoresistive effect element not including a layer to fix the magnetization direction of the fixed layer.例文帳に追加

固定層の磁化の方向を固定するための層を含まないスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いながら、固定層の磁化の方向を強固に固定できるようにする。 - 特許庁

In the manufacture of the element, the Pt layer is formed by an electroplating method, but at this time, a photoresist pattern is used as a plating mask and the Ru layer is formed as a seed layer.例文帳に追加

誘電体素子の製造においては、該Ｐｔ層を電気めっき法により形成するが、このとき、めっきマスクとしてホトレジストパターンを用い、かつＲｕ層をシード層として形成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a first light emitting layer 3 and a second light emitting layer 9 laminated on a substrate 1 to emit lights of different chromaticities so that the first layer 3 is formed in a multiple quantum well structure.例文帳に追加

基板１上に、異なる色度の光を発光する第１発光層３と第２発光層９とが積層され、第１発光層３は多重量子井戸構造を成している。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element 10, an intermediate layer 120, a base layer 130, a multilayer semiconductor layer 100, and a light-transmitting electrode 170 are stacked sequentially on a light-transmitting substrate 110.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、透光性基板１１０上に、中間層１２０、下地層１３０、積層半導体層１００、透光性電極１７０が順に積層されている。 - 特許庁

A performance improving layer 153 for improving the luminescence performance is formed between the positive hole injection layer 151 and the luminescence layer 150 of one organic EL element of the organic EL elements.例文帳に追加

有機ＥＬ素子のうちの一の有機ＥＬ素子の、正孔注入層１５１と発光層１５０との間に、発光特性を向上させる特性向上層１５３が備えられている。 - 特許庁

The antenna includes an antenna element part by printing a lower conductor layer 2 and an upper conductor layer 16, which overlaps the lower conductor layer 2, on a base sheet 1 using conductive paste in accordance with screen printing.例文帳に追加

基材シート１上にスクリーン印刷法で導電性ペーストを用いて下導体層２とそれに重なる上導体層１６を印刷してアンテナ素子部を有するものとした。 - 特許庁

The light emitting element comprises a micro reflecting structure carrier 10 formed by performing an etching process, a reflective layer 11, a light emitting layer 15 and a transparent adhesive layer 12.例文帳に追加

該発光素子は、エッチング工程を実施することにより形成されたマイクロ反射構造キャリア１０、反射層１１、発光層１５及び透過性接着層１２を含んでいる。 - 特許庁

The memory element includes at least a first conductive layer 108, a silicon film 109 formed over the first conductive layer, and a second conductive layer 110 formed over the silicon film.例文帳に追加

メモリ素子は、第１の導電層１０８と、第１の導電層上に形成されたシリコン膜１０９と、シリコン膜上に形成された第２の導電層１１０と、を少なくとも有する。 - 特許庁

To prevent the coating of a wire led out of an organic EL element with a sealing layer, without lowering the sealing performance of the sealing layer such as a resin sealing layer.例文帳に追加

本発明の課題は、樹脂封止層といった封止層の封止性能の低下しないで、有機ＥＬ素子から導き出された配線に封止層を被膜しないようにすることである。 - 特許庁

A thin layer constituted of a magnetic material of a hard bias layer material and the like is newly deposited at an upper part of a free magnetic layer 68 of a GMR head, in the passive area under the overlaid lead element.例文帳に追加

ハード・バイアス層材料等の磁気材料から構成される薄層がオーバレイド・リード下のパッシブ領域にあるＧＭＲヘッドのフリー磁性層６８上部に新たに堆積される。 - 特許庁

Furthermore, a barrier layer is arranged between the above EL display element and the above damage protection layer and a sealing part is provided to fix the damage protection layer on the base plate.例文帳に追加

そして、前記ＥＬ表示素子と前記傷防止層の間にバリア層を更に設置したり、前記傷防止層を記基板上に固定する密閉部品を更に含むものとした。 - 特許庁

A material liquid 26 of a positive hole injecting layer, material liquids for luminescent layers 27R, 27G, 27B and an electron injecting layer 28 are overlapped and applied on an element forming layer 10.例文帳に追加

素子形成領域１０に正孔注入層の材料液２６と発光層の材料液２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ、と電子注入層の材料液２８とを重ねて塗布する。 - 特許庁

The organic EL element is provided with an organic light emitting layer (12) of one layer or more having a light emitting region on a substrate (11), an anode, and a cathode, and a color filter layer (15) adjacent to the substrate.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、基板（１１）上に発光領域を有する１層以上の有機発光層（１２）、陽極と陰極とを備え、基板に隣接してカラーフィルタ層（１５）を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element hardly causing failures of a luminescent layer and a p-type semiconductor layer caused by a re-growth layer surface, and providing high output.例文帳に追加

再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element where a defect caused by a regrowth layer surface hardly occurs in a light emitting layer and a p-type semiconductor layer and which obtains a high output.例文帳に追加

再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a compound semiconductor layer, a metal electrode layer formed thereupon and having a plurality of openings, and a specified light extraction layer formed further thereupon.例文帳に追加

化合物半導体層と、その上に形成された複数の開口部を有する金属電極層と、さらにその上に形成された特定の光取り出し層を具備する半導体発光素子。 - 特許庁

A positive potential is put on the electrode layer EL making an upper electrode of the capacitive element C, whereby electrons in the interface carrier layer SCL opposed to the electrode layer EL are fixed.例文帳に追加

そして、この容量素子Ｃの上部電極となる電極層ＥＬに正電位を印加することにより、電極層ＥＬに相対する界面キャリア層ＳＣＬの電子を固定している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric actuator which prevents a particle size in a piezoelectric layer of a piezoelectric element from increasing and has a function as an etching stop layer during patterning of the piezoelectric layer.例文帳に追加

圧電素子の圧電体層の大粒化を防止し、しかも圧電体層のパターニングの際のエッチングストップ層としての機能も有する圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL element 10 formed on a substrate 11 has a layer structure in which an organic layer 30 including an organic light emitting functional layer is held between a pair of electrodes 12, 14.例文帳に追加

基板１１上に形成される有機ＥＬ素子１０は、一対の電極１２，１４間に有機発光機能層を含む有機層３０が挟持された層構造を有している。 - 特許庁

On the optical waveguide board 23, a 2nd wiring layer 26 is formed, and the photoelectric element 27 is electrically connected to the 1st wiring layer 24 of the printed board 22 via a 2nd wiring layer 26.例文帳に追加

光導波路基板２３には、第２配線層２６が形成され、光電気素子２７は、第２配線層２６を介してプリント基板２２の第１配線層２４に電気的に接続される。 - 特許庁

The peeling layer 41 is peeled, the dielectric layer 52 is patterned, a second electrode 24 is formed on the dielectric layer 52 and the wiring circuit board 100 having the built-in capacitor element 20 is obtained.例文帳に追加

さらに、剥離層４１を剥離し、誘電体層５２をパターニングした後、誘電体層５２上に第二電極２４を形成し、キャパシタ素子２０を内蔵する配線回路板１００を得る。 - 特許庁

SILVER RECEIVING LAYER FORMING COMPOSITION, LAMINATE TRANSFER MATERIAL, LIGHT SHIELDING LAYER FOR DISPLAY APPARATUS AND ITS MANUFACTURING METHOD, COLOR FILTER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND SUBSTRATE WITH LIGHT SHIELDING LAYER FOR DISPLAY APPARATUS例文帳に追加

銀受容層形成組成物、ラミネート転写材料、表示装置用遮光層及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びに表示装置用遮光層付き基板 - 特許庁

A magnetostatic field H_α formed by a permanent magnet layer 9 provided to a TMR element 5 offsets a magnetostatic field H_β formed by a fixed layer 4 in a position of a magnetosensitive layer 2.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５に設けられた永久磁石層９が形成する静磁界Ｈ_αは、固定層４が形成する静磁界Ｈ_βを、感磁層２の位置において相殺する。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

The piezo-electric detector comprises: a piezo-electric element having a curved substrate 1, a piezo-electric layer 2 and an electrode layer 3; and a charge amplifier 4 connected to the electrode layer.例文帳に追加

それぞれ曲面状の基板１、圧電体層２及び電極層３を有する圧電素子と、前記電極層と接続されたチャージアンプ４と、を備えている圧電検出装置である。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.例文帳に追加

半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁

To prevent electrical short circuit between the gate electrode of a circuit element having a one-layer gate structure and a substrate in a semiconductor memory having a two-layer gate structure and a one-layer gate structure.例文帳に追加

２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置において１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

The photodetector (photoelectric conversion element) includes an Si layer 4 and a photo-detection part 6 having an SiGe layer 5 embedded within a groove formed in the Si layer 4.例文帳に追加

本発明は、本発明の受光素子（光電変換素子）は、Ｓｉ層４と、Ｓｉ層４に形成された溝の内部に埋め込まれたＳｉＧｅ層５とを有する受光部６を備えている。 - 特許庁

A device forming layer 18 is formed on the upper surface of a semiconductor element 14 of a semiconductor device 50, and a passivation layer 26 is laminated on the surface of the layer 18.例文帳に追加

半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is provided with an organic light emitting layer 3 and an electron transport layer 4 between an anode 1 and a cathode 2 with the electron transport layer 4 positioned on the cathode 2 side.例文帳に追加

陽極１と陰極２の間に、有機発光層３と電子輸送層４を、電子輸送層４が陰極２の側に配置されるように設けた有機電界発光素子に関する。 - 特許庁

To realize a low resistance buffer layer in an electronic device (element for power electronics) for operating an SiC substrate and each nitride semiconductor layer by passing a current through the SiC substrate and the each nitride semiconductor layer.例文帳に追加

電流をＳｉＣ基板および各窒化物半導体層に通過させて動作させる電子デバイス（パワーエレクトロニクス用素子）において、低抵抗なバッファ層を実現すること。 - 特許庁

A diffusion layer 11 related to a circuit element is formed on an Si semiconductor substrate, and a barrier layer 14 is installed between a conductive member 16 and the diffusion layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板上において、回路素子に関係する拡散層１１が形成され、導電部材１６と拡散層１１との間にはバリア層１４が設けられている。 - 特許庁

The element is of a three-layered lamination type, where an organic molecular layer with hole transport properties and an organic molecular layer with electron transport properties hold the lead bromide system layered perovskite luminescent layer in between.例文帳に追加

正孔輸送性を有する有機分子層と電子輸送性を有する有機分子層とが臭化鉛系層状ペロブスカイト発光層を挟持している三層積層型の素子とする。 - 特許庁

A p-type diffusion layer and a solar cell element having the p-type diffusion layer are obtained by applying the composition for forming a p-type diffusion layer onto a silicon substrate and then performing heat diffusion processing.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 - 特許庁

The resin liquid layer between the first and second sheets 31 and 32 is cured to form a thermosetting resin layer, and a sheet element 95 including the thermosetting resin layer is produced.例文帳に追加

これによって第１および第２シート３１，３２間の樹脂液層が硬化されて熱硬化性樹脂層が形成され、熱硬化性樹脂層を含むシート体９５が製造される。 - 特許庁

Etching by plasma containing a halogen-based element is performed for a laminate where the first ferromagnetic layer 13, the insulation layer 14 and the second ferromagnetic layer 15 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加

ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板１１上に第１の強磁性層１３、絶縁層１４及び第２の強磁性層１５が積層された積層体に対して施される。 - 特許庁

An electron 51 excited at a sub- energy level 11 in the well layer 42 of the unit element 32 reaches a sub-energy level 15 in the well layer 44 via a sub-energy level 21 in the barrier layer 43.例文帳に追加

単位素子３２の井戸層４２でサブ準位１１に励起された電子５１は、バリア層４３のサブ準位２１を介して井戸層４４のサブ準位１５へ到達する。 - 特許庁

A circuit element board 4 provided with a barrier metal layer 2 on one side of a second conductive metal layer and formed with a conductive protrusion 3 on the exposed surface of the barrier metal layer is prepared.例文帳に追加

第２の導電性金属層の一方の面にバリアメタル層２が設けられ、かつこのバリアメタル層の露出面に導電性突起３が設けられた回路素板４を用意する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor element 100 is constituted so that an intermediate layer 108 is formed between a p-type AlGaN layer 107 to which an acceptor impurity is added and a p-type GaN layer 109.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体素子１００のアクセプタ不純物の添加されたｐ−ＡｌＧａＮ層１０７とｐ−ＧａＮ層１０９の間に中間層１０８を設ける。 - 特許庁

An organic semiconductor element 10 includes a substrate 1, and an organic semiconductor transistor 2 equipped with an organic semiconductor layer 2c which is formed on the substrate and includes organic semiconductor material as well as a gate insulating layer 2b which is formed to adjoin the organic semiconductor layer and includes a cured cardo resin.例文帳に追加

基板１と、前記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｃおよび前記有機半導体層に接するように形成された。 - 特許庁

A layer common to the connection conductive layer is formed on the semiconductor chip 10 and circuit component members, e.g. a resistive element R, are formed to be connected with the connection conductive layer.例文帳に追加

また、半導体チップ上１０には、接続導電層と共通の層を含み、接続導電層に接続する抵抗素子Ｒなどの回路構成部材が形成されている構成とする。 - 特許庁

Conductor bumps 60, 60,... and so on are formed on the wiring pads 41b, 41b of a double-layer plate 52, barrier metal layer 61 and an Au layer 62 are also formed, and a semiconductor element 70 is also formed thereon.例文帳に追加

２層板５２の配線パッド４１ｂ，４１ｂ上に導体バンプ６０，６０，…を形成し、バリアメタル層６１とＡｕ層６２を形成し、その上に半導体素子７０を実装する。 - 特許庁