「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem that characteristics of a switching element (TFT) receive an adverse effect when the film thickness of an activation layer is made large in order to increase sensitivity of an photosensor element when the switching element and the photosensor element are formed on the same substrate.例文帳に追加

同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。 - 特許庁

The microactuator element for driving to be added and used to and with the head suspension device is provided with a space or intermediate layer between the actuator element 2 and a coating material to the actuator element 2 or a head suspension section 10 including the actuator element 2.例文帳に追加

ヘッド懸架装置に付加使用する駆動用マイクロアクチュエーター素子において、アクチュエ一ター素子２と、アクチュエーター素子２または、アクチュエーター素子２を含むヘッド懸架部１０へのコーティング材との間に空間または、中間層を設けた。 - 特許庁

This light emitting diode is provided with a light emitting element in which nitride semiconductor having Ga is used at least as a light emitting layer, and a semiconductor protecting element which is connected in parallel with the light emitting element and used for electrically protecting the light emitting element.例文帳に追加

少なくとも発光層にＧａを有する窒化物半導体を用いた発光素子と、発光素子と並列接続され発光素子を電気的に保護するための半導体保護素子とを有する発光ダイオードである。 - 特許庁

In the submount substrate 4, an element mounting land 7 for mounting the surface emission semiconductor laser element 2 is formed on the element mounting surface 6 and a first air layer forming recess 11 is formed on the underside of the element mounting land 7.例文帳に追加

サブマウント基板４は、面発光型半導体レーザ素子２が実装される素子実装ランド７が素子実装面６に形成されると共に、素子実装ランド７の下側に、第１の空気層形成凹部１１が形成される。 - 特許庁

The protective layer 4 contains an aluminum element and a metal element same as at least one kind of metal elements contained in the magnet base 2, and contains the aluminum element and/or the metal element as a compound having a hydroxyl group.例文帳に追加

保護層４は、アルミニウム元素及び磁石素体２に含まれる金属元素のうちの少なくとも一種と同じ金属元素を含み、且つ、アルミニウム元素及び／又は金属元素を、水酸基を有する化合物として含有している。 - 特許庁

To provide an element structure in which an organic luminescent medium layer will not suffer from damage in the course of manufacture of a top-face light-emitting element (a top-emission element), as well as a polymer electroluminescent element of high luminescent efficiency and its manufacturing method.例文帳に追加

上面発光型素子（トップエミッション素子）の作製において、有機発光媒体層がダメージを受けない素子構成を提供し、高発光効率の高分子エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the core element 2 of a tension member layer 2d at a band-shaped element first end 1b and a band-shaped element second end, a plurality of tension member connecting portions 2f are formed by each tension member 4 and a remaining portion of the core element 2 around each tension member 4.例文帳に追加

帯状体第１端１ｂ及び帯状体第２端のテンションメンバ層２ｄの芯体２において、各テンションメンバ４と各テンションメンバ４の周囲の芯体２の残部とにより複数のテンションメンバ接続部２ｆが形成される。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for producing a sheet element which can easily and accurately produce a single layer sheet element having an aimed thickness, a multilayer sheet element, or a multilayer sheet element containing a core material.例文帳に追加

目的とする厚みの単層構造のシート体、または多層構造のシート体、更には芯体入りの多層構造のシート体を容易に、また精度良く製造することのできるシート体の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

A capacitor is equipped with a capacitor element 1, a pair of terminals connected to the ends of the capacitor element 1, a case 3 housing the capacitor element 1, and a resin layer filling up the case 3 so as to seal up the capacitor element 1.例文帳に追加

コンデンサ素子１と、このコンデンサ素子１の両端部に接続される一対の端子２、２と、コンデンサ素子１を収納するケース３と、ケース３内に充填されてコンデンサ素１を被覆する樹脂絶縁層とを備える。 - 特許庁

An electronic apparatus includes: the thermoelectric conversion element 100 which includes a semiconductor layer 38 performing thermoelectric conversion; and at least one of the photoelectric conversion element 102, in which a layer of at least a part of the semiconductor layer 38 performs photoelectric conversion, and the transistor 104 or diode which includes a layer of at least a part of the semiconductor layer 38 as an operating layer.例文帳に追加

本発明は、熱電変換を行なう半導体層３８を含む熱電変換素子１００と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層が光電変換を行なう光電変換素子１０２と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層を動作層とするトランジスタ１０４またはダイオードと、の少なくとも一方と、を具備する電子装置である。 - 特許庁

The optical switching element is used for switching a functional element driven with an AC electric field or with an AC electric current, and is constructed by sequentially laminating at least an electrode layer, a lower charge generation layer, a charge transport layer, and an upper charge generation layer on a substrate, wherein at least the upper charge generation layer uniformly contains a charge transport material in the layer.例文帳に追加

交流電界あるいは交流電流により駆動される機能素子のスイッチングを行うための光スイッチング素子であって、基板上に、少なくとも電極層、下部電荷発生層、電荷輸送層及び上部電荷発生層を順次積層することにより構成され、少なくとも該上部電荷発生層が、電荷輸送材料を層内に均一に含有している光スイッチング素子である。 - 特許庁

A solid-state electrolytic capacitor includes: a capacitive element 1 having a dielectric layer 13 and anode body 11 and an electrolyte layer 14 interposing the dielectric layer 13; a resin layer 2 covering the capacitive element 1; and a cathode terminal 31 and an anode terminal 32 respectively connected to the anode body 11 and the electrolyte layer 14, and exposed to the outside of the resin layer 2.例文帳に追加

固体電解コンデンサは、誘電体層１３と当該誘電体層１３を挟み込む陽極体１１及び電解質層１４を有するコンデンサ素子１と、コンデンサ素子１を被覆する樹脂層２と、陽極体１１及び電解質層１４のそれぞれに接続され、樹脂層２の外側に露出した陰極端子３１及び陽極端子３２とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes the substrate 20, a first conductive layer 22 formed on the substrate 20, a first insulating layer 26 formed to cover the substrate 20 and the first conductive layer 22, the active element 10 mounted on the substrate 20, a second conductive layer connected to an electrode of the active element 10, and a conductive post connecting the first conductive layer 22 to the second conductive layer.例文帳に追加

基板２０と、基板２０上に形成される第１の導電層２２と、基板２０及び第１の導電層２２を被覆して形成される第１の絶縁層２６と、基板２０に搭載される能動素子１０と、能動素子の電極に接続される第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とを接続する導電性ポストとを備えた半導体装置を構成する。 - 特許庁

A radiation image sensor includes: a scintillator plate that is provided with a scintillator layer on a substrate; and a photoelectric conversion element array unit that is provided with a photoelectric conversion element layer formed with plural photoelectric conversion elements constituting a photoelectric conversion element array and a spacer layer formed with plural spacers respectively in contact with the scintillator plate in order to maintain a uniform distance between the scintillator plate and the photoelectric conversion element layer.例文帳に追加

基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接する複数のスペーサが形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニットと、を備える。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 serving as a base layer and an n-type diffusion layer 5 serving as the emitter layer are provided on the active region 2a, and a groove 60 is formed on the surface of the region 2a between the SiGe alloy layer 4 and the element isolation film 3.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設け、ＳｉＧｅ合金層４と素子分離膜３との間の活性領域２ａの表面に溝６０が設けられる。 - 特許庁

Composition material layers of a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6, are formed on a semi-insulating substrate 1 by epitaxial growth method; and are processed into a mesa structure to form a heterojunction bipolar transistor (HBT) element 20.例文帳に追加

半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、エミッタキャップ層６の構成材料層を形成し、これらをメサ構造に加工してヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）素子２０を形成する。 - 特許庁

In the stem section 5, a second air layer forming recess 15 is formed oppositely to the first air layer forming recess 11 and an air layer 16 is formed by the first air layer forming recess 11 and the second air layer forming recess 15 on the underside of the element mounting land 7.例文帳に追加

また、ステム部５は、第１の空気層形成凹部１１に対向して第２の空気層形成凹部１５が形成され、素子実装ランド７の下側には、第１の空気層形成凹部１１と第２の空気層形成凹部１５によって空気層１６が形成される。 - 特許庁

A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element.例文帳に追加

多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

Further, the capacitor element has intermediate layers 3 so formed between the dielectric layer 2 and the conductive high molecular layer 4 as to expose the dielectric layer 2 thereto, and the conductive high molecular layer 4 is formed on both the intermediate layers 3 and the exposed dielectric layer 2.例文帳に追加

そして、誘電体層２と導電性高分子層４との間には、誘電体層２が露出するように形成された中間層３を有し、導電性高分子層４は、中間層３上および露出する誘電体層２上に形成されている。 - 特許庁

The magnetic storage element 1 has a multilayer structure of at least a first magnetic layer 2, a nonmagnetic layer 3, a third magnetic layer 4 and a second magnetic layer 5 wherein two magnetic layers 2 and 5 having different temperature characteristics of magnetization are laid in layers via the nonmagnetic layer 3.例文帳に追加

磁気記憶素子１が少なくとも第１の磁性層２、非磁性層３、第３の磁性層４、第２の磁性層５を積層した構成であり、２つの異なる磁化の温度特性を有する磁性層２，５を非磁性層３を介して積層した構造である。 - 特許庁

A laminated ceramic capacitor element is composed of an active layer composed of a ceramic dielectric layer and an inner electrode layer and reactive layers of ceramic dielectric layers formed on the upper and lower sides of the active layer so as to sandwich it and openings are formed at the ends of the inner electrode layer.例文帳に追加

セラミック誘電体層と内部電極層より成る有効層を挟むようにその上下にセラミック誘電体層より成る無効層を設けることにより構成された積層セラミックコンデンサ素子において、前記内部電極層の端部に空隙を形成させた。 - 特許庁

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。 - 特許庁

Disclosed are the nitride semiconductor light-emitting element including a reflective layer 105 made of a dielectric, a transparent conductive layer 106, a p-type nitride semiconductor layer 109, a light-emitting layer 110, and an n-type nitride semiconductor layer 111 in this order; and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

誘電体からなる反射層１０５、透明導電層１０６、ｐ型窒化物半導体層１０９、発光層１１０およびｎ型窒化物半導体層１１１をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

An etching stopper layer between the inner clad layer on an active layer and a mesa-striped outer clad layer is made of strain compensation structure, thereby suppressing the entry of glide dislocation generating at a stress concentrating point into the active layer and preventing a defective characteristic element.例文帳に追加

活性層上のインナークラッド層とメサストライプ状のアウタークラッド層との間にあるエッチングストッパ層を歪補償構造とすることで、応力集中点から生じるすべり転位の活性層への侵入を抑制し、特性不良素子の発生を防止する。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

The plant cultivation support includes a core member 2 containing a fertilizing element, a first gel layer 3 disposed around the core member 2, a second gel layer 4 disposed around the first gel layer 3 and containing seeds, and a rope layer 5 disposed around the second gel layer 4.例文帳に追加

施肥要素を含む芯部材２と、芯部材２の周囲に配置される第一のゲル層３と、第一のゲル層３の周囲に配置され、種子を含む第二のゲル層４と、第二のゲル層４の周囲に配置されたロープ層５と、を有する植物栽培担体とする。 - 特許庁

Next, the free ferromagnetic layer 10 includes the ferromagnetic layer 31, bonded directly to the tunnel insulating layer; and magnetization control structures 32, 34, and 35 bonded to the ferromagnetic layer 31, and includes a nonmagnetic element and a ferromagnetic material constituting the ferromagnetic layer 31.例文帳に追加

前記自由強磁性層（１０）は，前記トンネル絶縁層に直接に接合する強磁性層（３１）と，強磁性層（３１）に接合され，且つ，非磁性元素と強磁性層（３１）を構成する強磁性材料とを含有する磁化制御構造体（３２，３４，３５）とを含む。 - 特許庁

The EL element comprises a first light-emitting layer containing an emission center material, a second light-emitting layer which is laminated on the first light-emitting layer and contains the emission center material, and a conductive thin film which is inserted between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.例文帳に追加

発光中心材料を含む第１発光層と、前記第１発光層に積層され、発光中心材料を含む第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に挿入される導電性薄膜とを有する。 - 特許庁

To prevent light emission at a hole transport layer in an organic EL element where a luminous layer in an organic layer, pinched between a electrode and a negative electrode emits light by recombination energy between an electron in a luminous layer and a positive hole injected from the hole trans port layer.例文帳に追加

陽極と陰極の間に挟まれた有機層における発光層が、発光層内の電子と正孔輸送層から注入された正孔との再結合エネルギーにより発光する有機ＥＬ素子において、正孔輸送層での発光を防止する。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

The detector 20 consists of a recording light side electrode layer 21, recording optical conductive layer 22, charge carrying layer 23, reading optical conductive layer 24 and read light side electrode layer 25, having a stripe electrode 26 comprising an element 26a, which are layered in this order.例文帳に追加

検出器２０は、記録光側記録光側電極層２１、記録用光導電層２２、電荷輸送層２３、読取用光導電層２４、エレメント２６ａから成るストライプ電極２６を有する読取光側電極層２５をこの順に積層してなる。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element includes a nitride semiconductor layer, a conductive first oxide layer, and an insulating second oxide layer, and the first oxide layer and second oxide layer are made of oxide materials of the same kind.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体層と、導電性の第１酸化物層と、絶縁性の第２酸化物層とを含み、第１酸化物層および第２酸化物層は、同一種類の酸化物材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL element 10 is formed by interposing a mixed layer 14, formed by mixing copper phthalocyanine (CuPc) composing a hole injection layer 13 and tetramer of phenylamine (TPTE) composing a hole transport layer 15, between the hole injection layer 13 and the hole transport layer 15.例文帳に追加

ＥＬ素子１０は、ホール注入層１３とホール輸送層１５との間に、ホール注入層１３を構成する銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）とホール輸送層１５を構成するフェニルアミンの４量体（ＴＰＴＥ）とを混合してなる混合層１４を形成した。 - 特許庁

The light-emitting element 1 comprises an anode 3, a cathode 8, and a laminate 15 of a hole transport layer 4, a light-emitting layer (organic light-emitting layer) 5, an intermediate layer 6 and an electron injection layer 7 formed between the anode 3 and the cathode 8 sequentially from the anode 3 side.例文帳に追加

発光素子１は、陽極３と、陰極８と、陽極３と陰極８との間に、陽極３側から順に、正孔輸送層４と、発光層（有機発光層）５と、中間層６と、電子注入層７とを積層してなる積層体１５とを有する。 - 特許庁

An organic EL element 100 has a structure that includes a hole injecting electrode 2, a hole injecting layer 3a, a hole transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron injection restricting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron injection electrode 8 laminated on a substrate 1, in this order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、基板１上にホール注入電極２、ホール注入層３ａ、ホール輸送層４、発光層５、電子注入制限層６、電子輸送層７および電子注入電極８が順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element is formed by stacking an anode layer 12, an inorganic compound-containing layer 14, an organic light emitting layer 16, and a cathode layer 18 in order on a transparent glass substrate 10, and an inorganic compound 14a is insularly scattered in the inorganic compound-containing layer 14.例文帳に追加

透明なガラス基板上１０に、陽極層１２、無機化合物含有層１４、有機発光層１６及び陰極層１８を順次に積層した構造をし、この無機化合物含有層中には、無機化合物１４ａが島状に分布している。 - 特許庁

A layer of a sealant made of an alicyclic structure-contained polymer is formed at least on the secondary display electrode layer of the electroluminescence element in which a primary display electrode layer, a luminous layer, and a secondary display electrode layer are laminated in order on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に、一次表示電極層、発光層及び二次表示電極層が順次積層されたエレクトロルミネッセンス素子の、少なくとも前記二次表示電極層上に脂環式構造含有重合体からなる封止剤の層を形成する。 - 特許庁

The free magnetic layer 16 of a magnetic sensing element has a three-layer structure of a CoFe layer 16a, an Ni_aFe_b alloy layer 16b (where, a and b represent atom% satisfying relations of 47≤a≤77, a+b=100), and a CoFe layer 16c laid sequentially from below.例文帳に追加

フリー磁性層１６はフリー磁性層１６は下からＣｏＦｅ層１６ａ、Ｎｉ_ａＦｅ_ｂ合金層１６ｂ（ただし、ａ、ｂは原子％であり４７≦ａ≦７７、ａ＋ｂ＝１００である）及びＣｏＦｅ１６ｃが積層された３層構造を有している。 - 特許庁

This piezoelectric element includes: a substrate 1; a lower electrode layer 2 formed on the substrate 1; a piezoelectric layer 3 formed on the lower electrode layer 2 by a liquid deposition method; and an upper electrode layer 4 formed on the piezoelectric layer 3.例文帳に追加

本発明の圧電体素子は、基板１と、その基板１の上に形成した下部電極層２と、その下部電極層２の上に液相成長法により形成した圧電体層３と、その圧電体層３の上に形成した上部電極層４とを有する。 - 特許庁

The lithium secondary cell including a cathode layer containing a transition metal element, a solid electrolyte layer, and an anode layer containing lithium, has a ratio to a theoretical density of an appearance density of the cathode layer and the solid electrolyte layer of 95% or more.例文帳に追加

遷移金属元素を含む正極層、固体電解質層、およびリチウムを含む負極層とを有するリチウム二次電池であって、該正極層および該固体電解質層の見掛密度の理論密度に対する割合が９５％以上であるリチウム二次電池である。 - 特許庁

The light-emitting element 11 has a first semiconductor layer, a second semiconductor layer laminated on the first semiconductor layer, a first electrode 11np formed on the first semiconductor layer, and a second electrode 11pp laminated on the second semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子１１は、第１の半導体層と、第１の半導体層上に積層された第２の半導体層と、第１の半導体層上に形成された第１の電極１１ｎｐと、第２の半導体層上に積層された第２の電極１１ｐｐとを有している。 - 特許庁

The light-emitting apparatus includes an organic EL element 2 having a first electrode layer 18, a second electrode layer 22, and a light-emitting functional layer 20 disposed between these electrode layers; a reflective layer 12 reflecting the light emitted from the light-emitting functional layer back to it; and the like.例文帳に追加

発光装置は、第１電極層１８、第２電極層２２、並びに、これらの間に配置された発光機能層２０を有する有機ＥＬ素子２や、前記発光機能層で発せられた光を該発光機能層に向けて反射する反射層１２等を備える。 - 特許庁

A photovoltaic element 20 is composed by successively laminating an insulating board 21, a transparent electrode 22, an n-type semiconductor layer 23, a first p-type semiconductor layer 24, a second p-type semiconductor layer 25 (second p-type semiconductor layer), and a back electrode layer 26.例文帳に追加

光起電力素子２０は、絶縁性基板２１と、透明電極２２と、ｎ型半導体層２３と、第１のｐ型半導体層２４と、第２のｐ型半導体層２５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層２６とが順に積層されて構成されている。 - 特許庁

An organic EL element and a thin film circuit element are electrically joined by facing an organic EL element substrate forming the organic EL element constituted by successively laminating a substrate side electrode, an organic EL layer and a counter electrode on one surface of a substrate to a thin film circuit element substrate forming a thin film circuit element on the other surface of the substrate.例文帳に追加

基板の片面に基板側電極、有機ＥＬ層、対向電極を順次積層してなる有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ素子基板と基板の片面に薄膜回路素子を形成した薄膜回路素子基板とを対向させて、有機ＥＬ素子と薄膜回路素子とを電気的に接合する。 - 特許庁

In this image sensor including an element side substrate, a detection part formed on the element side substrate, and the window side substrate fixed to the element side substrate so as to cover the detection part, the element side substrate and the window side substrate are connected together electrically through a resistance layer formed on the element side substrate and connected to the element side substrate.例文帳に追加

素子側基板と、素子側基板に形成された検出部と、検出部を覆うように、素子側基板上に固定された窓側基板とを含むイメージセンサにおいて、素子側基板と窓側基板とが、素子側基板上に形成され素子側基板と接続された抵抗層を介して、電気的に接続される。 - 特許庁