「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

An MR element is provided with a free layer 25 whose magnetizing direction is changed according to a signal magnetic field; a fixed layer 23 whose magnetizing direction is fixed; and a spacer layer 24 arranged between those layers.例文帳に追加

ＭＲ素子は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。 - 特許庁

After a magnetic layer 13 is formed on the top surface of a substrate 11 as a base body across a base layer 12, metal element ions are implanted into the magnetic layer 13 to the overall thickness.例文帳に追加

下地基体である基板１１の表面に下地層１２を介して磁性層１３を形成した後、磁性層１３の層厚全体にわたって金属元素イオンを注入する。 - 特許庁

A resistive element R of a phase change memory has a laminated structure comprising a lower electrode 121, a piezoelectric material layer 122, a barrier layer 123, a memory layer 124, and upper electrode 125.例文帳に追加

相変化メモリの抵抗素子Ｒは、下部電極１２１、圧電材料層１２２、バリア層１２３、記憶層１２４および上部電極１２５の積層構造で構成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element hardly causing a failure of a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer due to a regrowth layer surface and providing a high output.例文帳に追加

再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each light receiving element is provided with a semi-insulating semiconductor substrate 10, an n-type semiconductor layer 11, an i-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer which are successively laminated on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

各受光素子は、半絶縁性の半導体基板10と、この基板上に順次積層されたn型半導体層11、i型半導体層12およびp型半導体層を具えている。 - 特許庁

The first recording layer (2) is an alloy layer comprising In or Sb, and one element selected from among Ti, Pd, Zr and V, and the second recording layer is composed of Si or Ge.例文帳に追加

第一記録層（２）は、Ｉｎ又はＳｂと、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｖの中から選ばれる一つの元素と、から成る合金層であり、第二記録層は、Ｓｉ又はＧｅから成る層である。 - 特許庁

This photovoltaic element 10 has a structure formed by laminating a p layer 3, an i layer 4, an n layer 5, and an electrode 6 one by one on an insulating substrate 1 in which a transparent conductive film 2 is formed.例文帳に追加

光起電力素子１０は、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５および電極６を透明導電膜２が形成された絶縁基板１上に順次積層した構造からなる。 - 特許庁

The second metal layer is provided on an opposite side of the second semiconductor layer side of the first metal layer, and contains at least any one element of gold, platinum, palladium, rhodium, iridium, ruthenium, and osmium.例文帳に追加

第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。 - 特許庁

The function element package secured in excellent hermetic sealing can be obtained by forming an alumina layer between the Si substrate and the metallized layer thereby improving adhesion between the metallized layer and the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板とメタライズとの間にアルミナ層を設けることで、メタライズとＳｉ基板との間の密着力が改善し、封止気密性に優れた機能素子パッケージを得ることができる。 - 特許庁

In a semiconductor element in which a nitride semiconductor layer having an active layer is laminated upon a group III nitride substrate, the group III nitride substrate contains aluminum, and the active layer is provided with an aluminum-containing nitride semiconductor.例文帳に追加

ＩＩＩ 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、前記基板がアルミニウムを含有したＩＩＩ族窒化物基板とする。 - 特許庁

By performing ion implantation of the nonmagnetic element 23 via the nonmagnetic layer 20 with the mask layer 21' as a mask, a part 24 having a high content of nonmagnetic elements in the magnetic recording layer is formed.例文帳に追加

マスク層２１′をマスクとして非磁性元素２３を非磁性層２０を介してイオン注入することで、磁気記録層の非磁性元素の含有率が高い部分２４を形成する。 - 特許庁

A protective layer 36 as a dielectric layer is provided between a heating resistor layer 33 and first and second electrode layers 34 and 35 constituting the heating element 32 of a thermal head 17.例文帳に追加

サーマルヘッド１７の発熱素子３２を構成する発熱抵抗体層３３と第１、第２電極層３４、３５との間に、誘電体層としての保護層３６を設ける。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes an antiferromagnetic layer (8), a sticking layer (9A) where the magnetization direction is fixedly set, and a free layer (12) where the magnetization direction varies with applied magnetic field (Hap).例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、反強磁性層（８）と、その磁化方向が固定的に設定される固着層（９Ａ）と、印加磁界（Ｈａｐ）によりその磁化方向が変化する自由層（１２）を含む。 - 特許庁

The resistive element includes a non-conductive layer not functioning as a resistor and a conductive layer functioning as a resistor which is formed on the non-conductive layer via a first insulating film.例文帳に追加

前記抵抗素子は、抵抗として機能しない非導通層、および前記非導通層上に第１の絶縁膜を介して形成された抵抗として機能する導通層を含む。 - 特許庁

In the rectifier element, a doping layer and an organic semiconductor layer are arranged between two electrodes so that the electric charge-injected side of the layers may become a doping layer at forward bias.例文帳に追加

ドーピング層と有機半導体層とを純バイアス時に電荷の注入される側をドーピング層となるように２つの電極間に配置された構造を有する整流素子を提供する。 - 特許庁

The light-emitting element 1 includes an electron injection intermediate layer 11 having electron injection property provided between and in contact with the electron transport layer 7 and the light-emitting layer 6.例文帳に追加

また、発光素子１は、電子輸送層７と発光層６との間にこれらの両層に接して設けられ、電子注入性を有する電子注入中間層１１を有する。 - 特許庁

The information recording layer includes a first recording layer containing Au and a second recording layer containing at least one element selected from the group consisting of Si, Ge, C, Sn and Zn.例文帳に追加

上記情報記録層はＡｕを含む第１記録層及びＳｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ及びＺｎよりなる群から選択された一つ以上の元素を含む第２記録層を含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor element structure has an In_xGa_1-xN (0≤x≤1) layer, a nitride semiconductor intermediate layer thereon, and an AlN layer thereon.例文帳に追加

窒化物半導体薄膜上に、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層を有し、その上に窒化物半導体中間層を有し、その上にＡｌＮ層を有する窒化物半導体素子構造とする。 - 特許庁

The first semiconductor optical element 47a includes the InP semiconductor layer 1b, a first active layer 3b and a first compound semiconductor layer 5b which are arranged on the first region 61a.例文帳に追加

第１の半導体光素子部４７ａは、第１の領域６１ａ上に設けられたＩｎＰ半導体層１ｂ、第１の活性層３ｂ及び第１の化合物半導体層５ｂを含む。 - 特許庁

This ink recording element is provided with a support which has a hydrophilic absorbing layer, an internal layer containing poly(vinyl alcohol-ethylene oxide) copolymer, and a polymer overcoat layer containing cellulose ether, on its top.例文帳に追加

親水性吸収層、ポリ（ビニルアルコール−エチレンオキシド）コポリマーを含む内部層およびセルロースエーテルを含むポリマーオーバーコート層を上に有して成る支持体を含んで成るインク記録要素。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability of a solder layer which bonds a buffer plate for mitigating thermal stress and distortion between a semiconductor element and a metal electrode layer, with the metal electrode layer.例文帳に追加

半導体素子と金属電極層との間の熱応力や歪みを緩和する緩衝板を金属電極層と接合する半田層の信頼性が高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the flexible organic light emitting element includes a step to provide the light emitting layer, and a step to provide the electrodes electrically conducted with the light emitting layer above and below the light emitting layer.例文帳に追加

フレキシブル有機発光素子の製造方法は、発光層を設けるステップ; 及び該発光層の上と下に、該発光層と電気的に導通させた電極を設けるステップを含む。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser element, an active layer 17 is put between an n-type cladding layer 15 comprising n- and p-type nitride semiconductors and a p-type cladding layer 26.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層１７をｎ型とｐ型の窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１５とｐ型クラッド層２６で挟んだ構造を有している。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element having a layer of organic compound layer between a pair of electrodes, a type of compound expressed by a general formula (I) is contained in the organic compound layer.例文帳に追加

一対の電極間に一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子において、下記一般式（Ｉ）で表される化合物の一種を有機化合物層に含有させる。 - 特許庁

The board antenna has an antenna element 1, its grounding layer 13, an antenna circuit 14 and its grounding layer 15, all formed on any layer of a multilayer circuit board 7 having a plurality of dielectric layers.例文帳に追加

誘電体層を複数層備えた多層回路基板７の何れかの層に、アンテナエレメント１とそのアース層１３，及びアンテナ回路１４とそのアース層１５を形成した基板アンテナである。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 is provided with: a semiconductor mesa 52 including an active layer 18 and a p-type clad layer 54; and the semi-insulating buried layer 56 for burying the semiconductor mesa 52.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、活性層１８及びｐ型クラッド層５４を含む半導体メサ５２と、半導体メサ５２を埋め込む半絶縁性の埋め込み層５６とを備える。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12 has a first layer 12A that contains Sn, and a second layer 12B that contains an element other than Sn capable of storing and releasing Li electrochemically.例文帳に追加

負極活物質層１２は、Ｓｎを含む第１層１２Ａと、Ｌｉを電気化学的に吸蔵および離脱することが可能なＳｎ以外の元素を含む第２層１２Ｂとを有している。 - 特許庁

To solve problems with the surface roughness of an antiferromagnetic layer and the crystallinity of a tunnel barrier layer to obtain favorable magnetoresistance characteristics, for achieving the thinning of a tunnel magnetoresistance effect element layer.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。 - 特許庁

In a planar magnetic element including a planar coil and a magnetic body layer covering the planar coil at least on one major surface side thereof, a conductor layer is provided on the surface of the magnetic body layer.例文帳に追加

平面コイルと、前記平面コイルの少なくとも一方の主面側を覆う磁性体層とを具備する平面磁気素子において、前記磁性体層の表面に導体層を設ける。 - 特許庁

This photovoltaic element 10 has a structure formed by laminating a (p) layer 3, (i) layer 4, an (n) layer 5, and an electrode 6 one by one on an insulating substrate 1 in which a transparent conductive film 2 is formed.例文帳に追加

光起電力素子１０は、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５および電極６を透明導電膜２が形成された絶縁基板１上に順次積層した構造からなる。 - 特許庁

The optical element 10 is provided with the alignment property providing layer 12 laminated on a transparent substrate 11 and the refractive index anisotropic layer 13 laminated on the alignment property providing layer 12.例文帳に追加

光学素子１０は、透明基材１１上に積層された配向性付与層１２と、配向性付与層１２上に積層された屈折率異方性層１３とを備えている。 - 特許庁

The acceptor-doped Mg_YZnO (0≤Y<1) layer 6 includes at least one acceptor element, and the undoped Mg_XZn_1-XO (0<X<1) layer 5 is formed in contact with the layer.例文帳に追加

アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。 - 特許庁

To improve crystal orientation of a backed layer in the structure of a spin valve type thin-film magnetic element for improved resistance change factor and also to reduce coercive force of a free magnetic layer adjoining the backed layer for improved soft-magnetic characteristics and detection sensitivity.例文帳に追加

本発明はスピンバルブ型の薄膜磁気素子の構造のバックド層の結晶配向性を良好にして抵抗変化率の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

The first injector element 130 has a conductive layer 146 electrically connected to the spark excitation assembly and a non-conductive layer 148 arranged on an outer portion of the conductive layer.例文帳に追加

第１のインジェクタ要素１３０は、スパーク励起アセンブリに電気的に接続された導電層１４６と導電層の外側部分に配置された非導電層１４８とを有する。 - 特許庁

Then, a first conductor layer 5 is formed on the surface of the ceramic element by a wet plating method and the dielectric layer 6 is formed on the surface of the first conductor layer 5 in a wet process (c).例文帳に追加

そして、セラミック素体の表面に湿式めっき法で第１の導体層５を形成し（ｂ）、次いで、第１の導体層５の表面に湿式法で誘電体層６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

In this self-emitting element 4, a layer (GaN) 2 brought into contact with a light emitting layer, a light-emitting layer 1, a p side GaN 19, and a p electrode 3 are formed on a sapphire substrate 6.例文帳に追加

本発明の自発光素子４においては、サファイア基板６の上に、発光層に接する層（ＧａＮ）２、発光層１、ｐ側ＧａＮ１９、およびｐ電極３が形成されている。 - 特許庁

In the temperature detection element manufacturing process, the covering layer 5 is formed on a part furthermore on the tip side than a position corresponding to at least the rear end 21 of the temperature-sensitive element 2, on the surface of the protection layer 4.例文帳に追加

温度検出素子作製工程において、被覆層５は、保護層４の表面のうち、少なくとも感温素子２の後端部２１に相当する位置よりも先端側の部分に形成される。 - 特許庁

In this case, it is desirable that the capacitive element in which the same material layer as the layer containing the organic compound is used as the dielectric is connected in parallel with the capacitive element in which the semiconductor is used as the dielectric.例文帳に追加

この場合、前記有機化合物を含む層と同じ材料層を誘電体とする容量素子と、前記半導体を誘電体とする容量素子は並列に接続されることが望ましい。 - 特許庁

To obtain a two-dimensional optical waveguide device that can guide light projected by a light emitting element to an optical waveguide layer efficiently and can couple light propagated in the optical waveguide layer to a light receiving element efficiently.例文帳に追加

発光素子より出射された光を効率良く光導波路層に導波でき、また光導波路層を伝播した光を効率良く受光素子に結合できる二次元光導波装置である。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element with a protection layer which is storing in a temperature change and superior in climate-resistance and its manufacturing method; and a solar cell module provided with the photovoltaic element with the protection layer and its manufacturing method.例文帳に追加

温度変化に強く、耐侯性に優れた保護層付き光起電力素子及びその製造方法、保護層付き光起電力素子を備えた太陽電池モジュール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chip-type NTC element that can prevent a crack, etc. from being produced in a protective layer due to heat treatment while enabling a thin protective layer to be easily formed on a surface of the NTC element.例文帳に追加

ＮＴＣ素体の表面に薄い保護層を容易に形成することを可能にしつつ、熱処理による保護層のひび割れ等の発生を防止することができるチップ型ＮＴＣ素子を提供する。 - 特許庁

The single capacitor element 3 includes a first capacitor element 30a formed by winding a metallized film 311 obtained by laminating a positive layer 311 and a negative layer 312 via an insulator 313.例文帳に追加

本発明のコンデンサ単素子３は、正極層３１１と負極層３１２とを絶縁部３１３を介して積層してなる金属化フィルム３１１を巻回してなる第一コンデンサ素子３０ａを備える。 - 特許庁

An insulating layer 150 enclosing a resistive memory element 130 and an insulating layer 160 enclosing a conductive line 180 connected to the resistive memory element have different stresses, hardness, porosity degrees, dielectric constants or heat conductivities.例文帳に追加

抵抗メモリ要素１３０を包む絶縁膜１５０と抵抗メモリ要素に連結される配線１８０を包む絶縁膜１６０が異なる応力、硬度、多孔率、誘電率、または熱伝導率を示す。 - 特許庁

To provide an alignment layer treating apparatus for a liquid crystal display element, for efficiently aligning an alignment layer with high accuracy without requiring cleaning off dust or drying even when a large element is to be formed.例文帳に追加

塵埃の洗浄及び乾燥を要することなく、大型化を図っても、配向膜の配向処理を効率よく、高精度に行い得る液晶表示素子用配向膜処理装置を提供する。 - 特許庁

An element isolation insulating layer 102 is continuously, formed surrounding an element region 101 where a semiconductor device, such as a MOS transistor 114 or the like is formed on the silicon layer 113.例文帳に追加

シリコン層１１３に形成されるＭＯＳトランジスタ１１４等の半導体素子が形成されている素子領域１０１を切れ目無く取り囲む素子分離絶縁層１０２が形成されている。 - 特許庁