「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

For a buffer layer 12, a compound of a group III element and a group V element which has a lattice constant between the lattice constant of a silicon substrate 11 and the lattice constant of the epitaxial layer 13 is permissible selected.例文帳に追加

バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。 - 特許庁

On a layer lower than the layer where the first element isolation region 12 exists, a second element isolation region 11 of an STI structure is formed, which separates adjoining MOS transistor channel regions.例文帳に追加

そして該第一の素子分離領域１２が存在する層より下の層に、隣接するMOSトランジスタのチャネル領域どうしを分離するSTI構造の第二の素子分離領域１１が形成されている。 - 特許庁

After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer.例文帳に追加

光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。 - 特許庁

The outermost layer 3 contains an easily sinterable metallic element(s) as the main component(s), and does not contain hardly sinterable elements or contains the hardly sinterable element(s) at a molar ratio smaller than that in the central layer 2.例文帳に追加

最外層３は、易焼結性金属元素を主成分とし、難焼結性元素を含有しないか、あるいは難焼結性元素を中心層２よりも少ないモル比率で含有している。 - 特許庁

An element isolation insulating film 15 is formed on a surface layer of the non-defect layer 13, a p- or n-type active region 16 is formed, and an element is formed on a surface side of the active region 16.例文帳に追加

無欠陥層１３の表面層に、素子分離絶縁膜１５を形成すると共にｐ型やｎ型の活性領域１６を形成し、活性領域１６の表面側に素子を形成する。 - 特許庁

First, a dielectric oxide film, a solid electrolytic layer, and a cathode extraction layer 6 are sequentially formed on the surface of an anode element to which an anode lead-out line 3 is mounted, thereby a capacitor element is formed.例文帳に追加

まず、陽極導出線３が取り付けられた陽極体素子の表面に、誘電体酸化皮膜、固体電解質層、陰極引出層６を順次形成してコンデンサ素子を形成する。 - 特許庁

A conductor layer 2 is formed, at least, on a part of the surface of a ceramic element 1, then the conductor layer 2 is spirally cut, and the ceramic element 1 is subjected to a thermal treatment for the formation of the coil component.例文帳に追加

セラミック素体１の少なくとも一部の表面に導体層２を形成し、導体層２を螺旋状に切断した後、熱処理を施して得られるコイル部品の製造方法である。 - 特許庁

In the semitransmissive liquid crystal display device 21, an illumination part 33, an optical element 23, a semitransmissive reflection layer 32, a liquid crystal layer 30 and a first polarizing element 31 are laminated in this order.例文帳に追加

半透過型の液晶表示装置２１において、照明部３３、光学素子３１、半透過反射層３２、液晶層３０、および第１偏光素子３１が、この順で積層されている。 - 特許庁

Since the luminescent layer is formed by applying the low molecule based material in the organic electroluminescent element 100 having this structure, the organic electroluminescent element is easily manufactured, and since the hole blocking layer is provided, luminous efficiency is enhanced.例文帳に追加

この構造の有機電界発光素子１００では、発光層を塗布形成できるので、製造が容易であり、また、ホールブロック層を設けているので、発光効率を高めることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light-emitting element by which a p-type oxide layer can be formed reproducibly and stably in a light- emitting element containing the p-type oxide layer of Zn or Mg.例文帳に追加

Ｚｎ及びＭｇのｐ型酸化物層を含んだ発光素子において、該ｐ型酸化物層の形成を再現性よく安定的に行なうことができる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electro-optical device includes a shift register 611, and a level shifter 613 for constituting a scanning line drive circuit 61 which has a TFT element 7 in which a polysilicon layer 71 provided on an element substrate 41 as a semiconductor layer.例文帳に追加

走査線駆動回路６１を構成するシフトレジスタ６１１およびレベルシフタ６１３は、素子基板４１上に設けられたポリシリコン層７１を半導体層とするＴＦＴ素子７を有する。 - 特許庁

The negative electrode element has a housing part 13d for housing the electrolyte moving toward the outside of the negative electrode layer by the deformation of the negative electrode layer and for holding the electrolyte in the negative electrode element.例文帳に追加

負極素子は、負極層の変形によって負極層の外部に向かって移動する電解液を収容し、この電解液を負極素子内に保持させておくための収容部１３ｄを有する。 - 特許庁

In addition, a metallic material layer 107 which is a resistor of the metal resistance element 30 is formed so as to contact with the laminated metal layer 103 which is the lower electrode of the metal resistance element 30.例文帳に追加

また、金属抵抗素子３０の抵抗体である金属材料層１０７を、金属抵抗素子３０の下部電極である積層金属層１０３と接するように形成することを特徴とする。 - 特許庁

A SOI substrate 2 where a semiconductor layer 5 is formed through a silicon oxide film 4 on a silicon substrate 3, is divided into a semiconductor layer 5 and an element formation region 5a by an element isolation region 6.例文帳に追加

シリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介して半導体層５を形成したＳＯＩ基板２を、素子分離領域６により半導体層５を分離して素子形成領域５ａとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of high output and satisfactory reliability by preventing diffusion of impurity to an undoped optical guide layer, in the semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer.例文帳に追加

量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子においてアンドープ光ガイド層への不純物の拡散を防止することによって、高出力で信頼性の良好な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer forming method, which forms a semiconductor element having good characteristics at a proper uniformity by exactly setting the positional relation of a mask layer to the semiconductor element.例文帳に追加

マスク層と半導体素子との位置関係を正確に設定することによって、良好な特性を有する素子を均一性よく形成することが可能な半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The negative electrode includes a carbon layer (24) adhered to one side of the current-collecting element, while the positive electrode includes a layer containing a lithium transition metal or a sulfide compound (26) adhered to the other opposite side of the element.例文帳に追加

負電極は集電要素の片側に付着されたカーボン層（２４）を備え、正電極は該要素の他側に付着されたリチウム遷移金属または硫化化合物（２６）を含む層を備える。 - 特許庁

The diode element is a diode element of a metal-insulation layer-metal type constructed by superposing a lower electrode, an insulation layer, and an upper electrode in this order formed on a flat substrate.例文帳に追加

ダイオード素子は、平坦な基板上に形成された下部電極、絶縁層、および上部電極をこの順で重ねて構成された金属−絶縁層−金属型のダイオード素子を構成する。 - 特許庁

To suppress the pickup fail and element fail in a semiconductor element caused by the cutting fail in an adhesive layer, when cutting the adhesive layer of which the thickness exceeds 25 μm with a semiconductor wafer.例文帳に追加

厚さが25μmを超える接着剤層を半導体ウエハと共に切断するにあたって、接着剤層の切断不良に起因する半導体素子のピックアップ不良や素子不良を抑制する。 - 特許庁

A collector material 1 comprises a carbon-containing layer 40 formed on the surface of an aluminum foil 11 and an interposing layer 43 including an aluminum element and a carbon element formed therebetween.例文帳に追加

集電体材料１はアルミニウム箔１１の表面上に形成された炭素含有層４０と、それらの間に形成されたアルミニウム元素と炭素元素とを含む介在層４３とを備える。 - 特許庁

The LED element 21 has a phosphor layer 15 on the surface opposite to the mounting surface of the circuit board 22, and a white member 11 surrounds the side surfaces of the LED element 21 and the phosphor layer 15.例文帳に追加

ＬＥＤ素子２１は回路基板２２との実装面とは反対側の面に蛍光体層１５を備え、白色部材１１がＬＥＤ素子２１及び蛍光体層１５の側面を取り囲んでいる。 - 特許庁

A block layer which is a novel element with this kind of the element is formed on the surface of the buffer layer and functions to suppress or reduce the occurrence of an unnecessary chemical reaction on the surface or near the same.例文帳に追加

バッファ層の表面には、この種の素子では新規の要素であるブロック層が形成され、該表面また近傍で無用な化学反応が生起することを抑制ないし低減すべく機能する。 - 特許庁

To solve the problem that the service life of an electrochemical element is shortened in a case that a nitrogen doped lithium phosphorus oxynitride layer as a component member of the electrochemical element is an amorphous material, because the layer shape is varied by a reaction with moisture.例文帳に追加

電気化学素子の構成部材としての窒化リン酸リチウム層が非晶質体である場合、水分との反応によって層形状が変化するために、電気化学素子が短寿命化する。 - 特許庁

To provide an ink-jet recording head and an ink-jet recording apparatus wherein a piezoelectric element layer and an upper electrode are extended to a peripheral wall and the destruction of the piezoelectric element layer at the boundary part with the peripheral wall is prevented.例文帳に追加

圧電体層及び上電極を周壁上まで延設し且つ周壁との境界部分での圧電体層の破壊を防止したインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置を提供する。 - 特許庁

The floor heating panel heater comprises a metal panel body 1 internally provided with a planar heating element 2 of an upper layer, a heat insulating material 6 of a lower layer, and the temperature sensor 4 arranged in a bottom face side of the planar heating element.例文帳に追加

上層の面状発熱体２と下層の断熱材６と面状発熱体の下面側に配設される温度センサ４を内装した金属製パネル体１からなる床暖房パネルヒータである。 - 特許庁

A protection layer 206 is provided in at least a part of a light receiving face of a photovoltaic element, and a concentration of a metal element bonded to an organic component in this protection layer 206 changes in a thickness direction.例文帳に追加

光起電力素子の受光面の少なくとも一部に保護層２０６を備えており、この保護層２０６における有機成分と結合した金属元素の濃度が厚み方向に変化している。 - 特許庁

The thin-film magnetic head is completed by forming the MR element, the first portion 54a of the upper shielding layer arranged on the upper side of the MR element, an upper magnetic pole layer, etc., on such a blank.例文帳に追加

このような素材に対して、ＭＲ素子、このＭＲ素子の上側に配置される上部シールド層の第１の部分、記録ギャップ層、上部磁極層等を形成することで、薄膜磁気ヘッドが完成する。 - 特許庁

The organic EL element is formed as a high-molecular/low-molecular lamination type organic EL element, wherein a luminescent layer 4 formed on a low-molecular hole transport layer 3 is structured by a mixture of a high-molecular material and a low-molecular material.例文帳に追加

低分子ホール輸送層３の上に形成される発光層４を高分子材料と低分子材料との混合にて構成した高分子／低分子積層型有機ＥＬ素子とする。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element which is improved in output characteristic and shows thermally stable characteristics is obtained by reducing the influence of a magnetic material constituting the foundation layer of an antiferromagnetic layer constituting the element on the directions of magnetization of the free and fixed magnetic layers by constituting the foundation layer in a three-layer structure of a first ferromagnetic foundation layer, a first nonmagnetic foundation layer, and a second ferromagnetic foundation layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する反強磁性層の下地層に第１下地強磁性層／第１下地非磁性層／第２下地強磁性層といった構造とすることで、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向に対して下地層を構成する磁性体が影響を及ぼすことを低減して、出力特性の向上と熱的に安定した特性を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The method for transferring the element comprises the steps of forming an electromagnetic wave absorption layer (black chromium layer) 58 for raising the temperature of a region irradiated with an energy beams together with a thermoplastic material layer (thermoplastic resin layer) 56 on a substrate, softening the layer 56 by a heat from the layer 58 by selectively radiating the energy beam to the layer 58, and selectively transferring the element to the substrate 60.例文帳に追加

エネルギービームが照射された領域を昇温させる電磁波吸収層（黒クロム層）５８を熱可塑性材料層(熱可塑性樹脂層)５６と共に基板上に形成し、その電磁波吸収層５８に選択的にエネルギービームを照射することで電磁波吸収層５８からの熱によって熱可塑性材料層５６を軟化し、その素子を基板６０上に選択的に転写する。 - 特許庁

In particular in the case of organic EL element of micro light resonance type, it may also be that a color filter layer is installed, in lieu of the light converging layer 20, which removes a light of wavelength shorter than the light emitted by the organic layer (resonant wavelength) and emits the resultant forward the element.例文帳に追加

微小光共振型有機ＥＬ素子の場合には、特に、集光層２０にかえて、有機層の発光光（共振波長）より短波長側の波長光を除去して前記素子前方へ射出する色フィルタ層を設けても良い。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element capable of attaining high output while preventing deterioration in crystallinity of a luminous layer and deterioration in crystallinity of a p-type semiconductor layer due to inclusion of impurities into the p-type semiconductor layer, and a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

発光層の結晶性低下や、ｐ型半導体層への不純物の混入に起因するｐ型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element array has semiconductor light emitting elements arranged in a two-dimensional matrix-like form, and each semiconductor light emitting element constitutes a surface emission laser structure composed of a P-type clad layer 23, an active layer 24 and an N-type clad layer 25.例文帳に追加

半導体発光素子アレイは、２次元マトリックス状に配置した半導体発光素子を有し、各半導体発光素子は、Ｐ型クラッド層（２３）、活性層（２４）及びＮ型クラッド層（２５）により構成される面発光レーザ構造体を構成する。 - 特許庁

The nitrided member is obtained by subjecting a gold element-containing steel member to nitriding treatment, and, its surface layer part is provided with a nitrogen compound layer, and the surface part of the surface layer part is provided with an alloy element low concentration region in which the concentrations of alloy elements are lower than those of the inside.例文帳に追加

金元素を含む鉄鋼部材を窒化処理することにより得られた窒化部材であって、窒素化合物層を表層部に有し、該表層部の表面部に、内部よりも合金元素の濃度が低い合金元素低濃度領域を有する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element excellent in luminescence characteristics in which diffusion of metal ions from other functional layer such as an electron injection layer to a light-emitting layer is prevented, and to provide a highly reliable light-emitting device equipped with this light-emitting element and an electronic apparatus.例文帳に追加

例えば、電子注入層のような他の機能層からの発光層への金属イオンの拡散が防止され、発光特性に優れる発光素子、かかる発光素子を備えた信頼性の高い発光装置および電子機器を提供すること。 - 特許庁

Then, the edge 14 of the chip element 12 is immersed in a second paste layer 32 thinner than the first paste layer 31, thereby, a part of the electrode film M, which is deposited on the edge 14 of the chip element 12 too thick in immersion to the first paste layer 31, is removed.例文帳に追加

次に第１ペースト層３１より薄い第２ペースト層３２に、チップ素子１２の端部１４を浸漬し、第１ペースト層３１への浸漬時にチップ素子１２の端部１４に付着して厚くなり過ぎた電極膜Ｍの一部を取り除く。 - 特許庁

The solid-state image sensing device is formed in the structure including a solid-state image sensing element 11, an α-ray shielding layer 13 formed to cover at least an image sensing region of the solid-state image sensing element 11, and a cover glass 14 provided at the upper layer of the α-ray shielding layer 13.例文帳に追加

固体撮像素子１１と、固体撮像素子１１の少なくとも撮像領域を被覆するように形成されたα線遮蔽層１３と、α線遮蔽層１３の上層に設けられたカバーガラス１４とを有する構成とする。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element which is improved in crystallinity of a semiconductor layer containing In in an active layer while relaxing heat treatment conditions of a p-type layer of the group III nitride-based compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ型層の熱処理条件を緩和しつつ活性層中のＩｎを含む半導体層の結晶性を向上させたIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

This invention realizes a GaN layer growing method capable of realizing a GaN layer growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and provides the semiconductor element having the growing GaN layer just above the Si substrate.例文帳に追加

本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 - 特許庁

The ink recording element comprises a hydrophilic absorbing layer, a polymer intermediate layer for promoting lamination adhesiveness and a support bearing a hydrophilic overcoat polymer layer, and an ink printing method using this ink recording element is also provided.例文帳に追加

本発明は、親水性吸収層、積層接着性を促進するポリマー中間層、および親水性オーバーコートポリマー層を担持している支持体を含んでなるインク記録要素、並びに上述のインク記録要素を使用するインク印刷方法を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element wherein a damage which an active layer receives is reduced and further an Al contained in the active layer is prevented from oxidizing, and to provide the semiconductor light emitting element wherein the Al contained in the active layer is prevented from oxidizing.例文帳に追加

活性層が受けるダメージを低減すると共に活性層に含まれるＡｌの酸化を防止できる半導体発光素子の製造方法、及び活性層に含まれるＡｌの酸化が防止された半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The film 30 is bent along a curved surface of the pressurization roller 34 on a side of the pressurization rollers 34, 35, where the film 30 is collected, and accordingly, peeling is generated between the element formation layer 11 and the peeling layer 12 and the element formation layer 11 is transferred to the film 30.例文帳に追加

加圧用ローラ３４、３５のフィルム３０の回収側では、加圧用ローラ３４の曲面に沿ってフィルム３０が撓められるため、素子形成層１１と剥離層１２の間で剥離が生じ、素子形成層１１はフィルム３０に転置される。 - 特許庁

In the bearing apparatus, the rolling element is disposed between an outer member and inner member, a surface of the rolling element has a nitride layer that is formed of a compound layer of not less than 900 Hv in Vickers hardness, and a diffusion hardening layer.例文帳に追加

外方部材と内方部材との間に転動体を配設してなる軸受装置において、前記転動体表面に窒化層を有し、該窒化層がビッカース硬さでＨｖ９００以上の化合物層と拡散硬化層とからなることを特徴とする。 - 特許庁

Since the film 30 is bent along the curvature of the pressing roller 34 on the film 30 recovering sides of the pressing rollers 33, 34, the element formation layer 11 and the peeling layer 12 are peeled from each other, and the element formation layer 11 is transferred to the film 30.例文帳に追加

加圧用ローラ３４、３５のフィルム３０の回収側では、加圧用ローラ３４の曲面に沿ってフィルム３０が撓められるため、素子形成層１１と剥離層１２の間で剥離が生じ、素子形成層１１はフィルム３０に転置される。 - 特許庁

To provide a spin valve type thin film element having small asymmetry, superior heat-resistance, superior reliability, in which the thin film element has a bias conductive layer and is capable of controlling the direction of variable magnetization of a free magnetic layer, by applying current to the bias conductive layer.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁