「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

The fuse layer 12 of a zapping element 1 is formed on a semiconductor substrate 10, and the first insulating film 13 covering the fuse layer 12 is formed.例文帳に追加

半導体基板１０上にザッピング素子１のヒューズ層１２を形成し、ヒューズ層１２を覆う第１の絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

An under coating layer and an inorganic thin film layer are successively applying onto one surface of a base material film to form the substrate for the liquid crystal display element.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも一方の面に、アンダーコート層、無機質薄膜層を順次被覆させることによる液晶表示素子用基板。 - 特許庁

In one form of a TMR element, a surface control layer, which is an amorphous conductor, is arranged between a substrate and a tunnel layer.例文帳に追加

ＴＭＲ素子の一形態では、基板とトンネル層との間に、例えばアモルファスである導電体である表面性制御層が配置される。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is pinched by flexible panel supporting layers (a lower panel supporting layer 18, an upper panel supporting layer 19) facing each other.例文帳に追加

有機電界発光素子は、対向する可撓性を有するパネル支持層（下部パネル支持層１８、上部パネル支持層１９）により挟まれている。 - 特許庁

This electron emitter includes a donor impurity element in a surface of a diamond layer 24, and has an emitter layer 25 for emitting the electron.例文帳に追加

電子放出装置は、ダイヤモンド層２４の表面にドナー不純物元素が含有されてなる、電子を放出するためのエミッタ層２５を含む。 - 特許庁

The B constant B1 of the thermistor layer 3 and the B constant B2 of the thermistor layer 4 are lower than the B constant B0 of the thermistor element 2.例文帳に追加

ここで、サーミスタ層３のＢ定数Ｂ１及びサーミスタ層４のＢ定数Ｂ２は、サーミスタ素体２のＢ定数Ｂ０より低くなっている。 - 特許庁

When light is made incident on the n-type SiC layer just below or at a periphery of the conductive oxide layer, the diode functions as an ultraviolet ray detection element.例文帳に追加

導電性酸化物層の直下又は周辺のn形SiC層に光が入射すると、前記ダイオードは紫外線検出素子として機能する。 - 特許庁

An MTJ (magnetic tunnel junction) element 10 includes a fixed ferromagnetic layer 6, a free ferromagnetic laminate 8 and a tunnel barrier layer 7 interposed between them.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１０は，固定強磁性層６と，自由強磁性積層体８と，それらの間に介設されたトンネル障壁層７とを含む。 - 特許庁

The surface light emitting laser element comprises reflection layers 103 and 107, resonator spacer layers 104 and 106, an active layer 105, and a selective oxidation layer 108.例文帳に追加

面発光レーザ素子は、反射層１０３，１０７、共振器スペーサー層１０４，１０６、活性層１０５および選択酸化層１０８を備える。 - 特許庁

First, a reaction control layer 202, which includes a metal element having a larger atomic number than Ni and does not include Ni, is formed on a silicon layer 100.例文帳に追加

まず、シリコン層１００上に、Ｎｉより原子番号が大きい金属元素を含み、Ｎｉを含まない反応制御層２０２を形成する。 - 特許庁

A fuse element is arranged on the first electrically insulating layer, electrically contacted with the second conductive layer through the aperture, and electrically contacted with the second terminal.例文帳に追加

ヒューズエレメントが第1の電気絶縁層上に配置され、開口を通して第2の導電層と電気接触し、第2の端子と電気接触する。 - 特許庁

To improve thermal stability of a layered structure comprising a tungsten layer and a polysilicon layer, related to a method for forming a gate electrode of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のゲート電極形成方法において、タングステン層とポリシリコン層とからなる層構造の熱安定性を向上させる。 - 特許庁

In the periphery of the semiconductor element 1, the laminated layer 4 is not formed, and a semiconductor substrate 2 located under the insulating layer 4 is exposed.例文帳に追加

半導体素子１の周縁では、積層膜４が形成されておらず、積層膜４の下に位置する半導体基板２が露出している。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a light-emitting part, and a p-side electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor element 40 mounted on an insulating resin layer 30 formed on a wiring layer 20 is sealed with a sealing resin 50.例文帳に追加

配線層２０の上に形成された絶縁樹脂層３０に搭載された半導体素子４０が封止樹脂５０により封止されている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element has a transparent substrate 1, a transparent positive electrode 2, a luminescence layer (organic substance layer) 3, and a negative electrode 4.例文帳に追加

透明基板１と透明陽極電極２と発光層（有機物層）３と陰極電極４とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The piezoelectric element 14 is formed of a lower electrode 5, a piezoelectric layer 4, a crystal orientation control layer 3 and an upper electrode 13 laminated successively.例文帳に追加

圧電素子１４は、下部電極５と圧電体層４と結晶配向制御層３と上部電極１３とが順に積層されてなる。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

In the AlGaAs group semiconductor laser element 10, the lattice constant of an embedded layer 16 is greater than that of a p-type clad layer 14.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１０において、埋め込み層１６の格子定数がｐ型クラッド層１４のそれより大きくなっている。 - 特許庁

The piezoelectric element is constructed with a lower electrode 5, a piezoelectric layer 4, a crystal orientation control layer 3 and the upper electrode 2 stacked sequentially.例文帳に追加

圧電素子は、下部電極５、圧電体層４、結晶配向制御層３及び上部電極２が順番に積層されて構成されている。 - 特許庁

The electrostatic protection element and a high electron mobility transistor having the conductivity type impurities containing layer as the active layer are provided on the same substrate.例文帳に追加

そして、この静電保護素子と導電型不純物含有層を能動層とする高電子移動度トランジスタとを同一基板上に設ける。 - 特許庁

A transparent electrode 36, organic film layer 37 having more than one layer and the upper electrode 38 are formed sequentially and this constitutes organic electroluminescent element.例文帳に追加

次いで、透明電極３６、１層以上の有機薄膜層３７、上部電極３８を順次形成して有機ＥＬ素子を作製する。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor element having a low contact resistance between an electrode layer and a semiconductor layer, and having excellent adhesive properties and stability with time.例文帳に追加

電極層と半導体層との接触抵抗が低く、密着性と経時安定性に優れた酸化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

This electron emission element 10 is provided with a substrate 11, a conductive layer 12, an insulation layer 15, gate electrodes 16 and electron emission parts 28.例文帳に追加

電子放出素子１０は、基板１１と、導電層１２と、絶縁層１５と、ゲート電極１６と、電子放出部２８とを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric element having a dielectric layer having excellent characteristics by suppressing deviation in the composition of a dielectric in the layer.例文帳に追加

層内で誘電体の組成の偏りが抑制され特性が良好な誘電体層を有する圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The photocatalyst element comprises a light transmitting substrate 2, a metal coating layer 3 and a photocatalyst thin film layer 4 overlaid on the surface of the substrate 2.例文帳に追加

光透過性を有する基材２の表面上に金属被覆層３と光触媒薄膜層４とが積層して形成されている。 - 特許庁

An organic EL element 1 has an AM substrate 10, a water repellent bank 30, a photocatalyst layer 20 containing photocatalyst, and an organic layer 40.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、ＡＭ基板１０と、撥液性のバンク３０と、光触媒を含有する光触媒層２０と、有機層４０とを有する。 - 特許庁

To provide a high luminance low price semiconductor light emitting element in which the exfoliation of a metal oxide based transparent conductive layer from an epitaxial layer is controlled.例文帳に追加

エピタキシャル層からの金属酸化物系透明導電層の剥離を抑制する、高輝度で低価格の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

One electrode (lower electrode) of the element C1 is the wiring layer metal 23a, and the other electrode (upper electrode) is the wiring layer metal 23b.例文帳に追加

容量素子Ｃ１の一方電極（下部電極）は配線層メタル２３ａであり、他方電極（上部電極）は配線層メタル２３ｂである。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element is manufactured by forming a recess 1a in the upper surface of the high carrier concentration layer 1 and growing the i layer 2 to make the recess 1a filled.例文帳に追加

製造方法としては、該高キャリア濃度層１の上面に凹部１ａを形成し、該凹部内にｉ層２を成長させ充填する。 - 特許庁

Light confinement of the element can be improved by making a refractive index of a first layer smaller than that of second layers 26, 31 inside a clad layer.例文帳に追加

また、クラッド層内の第１の層２６、３１よりも屈折率の小さい第１の層とすることで光の閉込めに優れた素子とできる。 - 特許庁

The laminated element for polishing comprises a polishing layer having an initial thickness of 0.2 to 2 mm, and a polishing formed element having a compressibility of at least 1.5%, which is laminated on a supporting layer having apparent surface hardness larger than that of the polishing formed element.例文帳に追加

初期の厚みが０．２〜２ｍｍの研磨層を有し、かつ圧縮率が１．５％以上である研磨用成形体が、見掛けの表面硬度が該研磨用成形体より大きい支持層に積層されていることを特徴とする研磨用積層体。 - 特許庁

To highly integrate a semiconductor device by reducing the area needed to form a buried insulating layer for element isolation by dispensing with the buried insulating layer for element isolation between vertical MOS transistors when providing a well feeding element for well potential fixation.例文帳に追加

ウェル電位固定用のウェル給電用素子を設ける際に、縦型ＭＯＳトランジスタ間に素子分離用の埋込絶縁層を必要とせず、素子分離用の埋込絶縁層の形成に必要な面積を削減して、半導体装置の高集積化を図る。 - 特許庁

The light emitting device 1 includes: the surface light emitting element 4 having a light emitting layer 43 and electrodes 41, 46 sandwiching the light emitting layer; a transparent substrate 5 on which the surface light emitting element 4 is placed; and a sealing member 6 which seals the surface light emitting element 4.例文帳に追加

発光装置１は、発光層４３とそれを挟持する電極４１、４６とを有する面状発光素子４と、面状発光素子４を載置する透明基板５と、面状発光素子４を封止する封止部材６とを備える。 - 特許庁

The connection between the semiconductor element and the conductive metal layer pattern is wire bonding connection between predetermined positions between the semiconductor element and the conductive metal layer pattern, and they are sealed with a sealing material and the lower surface of the semiconductor element is exposed.例文帳に追加

半導体素子と導電性金属層パターンの接続が、半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間のワイヤボンディング接続であり、これらが封止材により封止されておる、半導体素子の下面は露出している。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electroluminescent element, a layer made of an electroluminescent element material or electroluminescent element material precursor made of more than two layers is painted between the anode and the cathode and then a physical or a chemical aftertreatment is provided on this layer.例文帳に追加

本発明の発光素子の製造方法は、陽極と陰極の間に２層以上の発光素子材料又は発光素子材料前駆体からなる層を塗設した後、該層に物理的又は化学的な後処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

Thus, an acceptor-containing semiconductor layer which contains an acceptor element and having the same composition with the donor-contained semiconductor layer is formed in part of the donor-containing semiconductor containing a donor element and having the same composition to prevent the donor element from being diffused.例文帳に追加

このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 - 特許庁

The nitride-group semiconductor laser element 50 (nitride-group semiconductor laser element) comprises an n-type GaN substrate 1 and a semiconductor laser element layer 3 formed on a principal surface (m plane (1-100) plane) of the n-type GaN substrate 1 and having a light emitting layer 6.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子５０（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の主表面（ｍ面（（１−１００）面））上に形成され、発光層６を有する半導体レーザ素子層３とを備える。 - 特許庁

In the transferring method of the element, the element is transferred to an adhesive layer in a semihardening adhesive layer where the viscous property of the surface where the element is adhered is maintained.例文帳に追加

本発明の素子の転写方法は、素子が接着される表面の粘着性を維持された半硬化接着剤層に接着剤層に素子を転写した後、熱処理を行うことにより素子を半硬化接着剤層に固着させることを特徴とする。 - 特許庁

The rare earth magnet 10 is furnished with: a magnet element 12 containing rare earth element(s); and a protection layer 14 provided on the magnet element 12, wherein the protection layer 14 contains polyphenylene sulfide resin and has a thickness of under 50 μm.例文帳に追加

本発明の希土類磁石１０は、希土類元素を含む磁石素体１２と、磁石素体１２の上に設けられる保護層１４と、を備え、保護層１４がポリフェニレンサルファイド樹脂を含有し、保護層１４の厚みが５０μｍ未満である。 - 特許庁

A gettering layer 7 comprised of a semiconductor containing a rate gas element is formed above the crystallized semiconductor film 5a, and the metal element is gettered to the gettering layer 7, thereby removing or reducing the metal element contained in the crystallized semiconductor film 5a.例文帳に追加

結晶化半導体膜５ａの上方に希ガス元素を含んだ半導体からなるゲッタリング層７を形成し、金属元素をゲッタリング層７にゲッタリングすることにより、結晶化半導体膜５ａに含まれる金属元素を除去又は低減する。 - 特許庁

To improve element characteristics by making current density in an organic compound layer uniform and provide a means for manufacturing a long-life element, in a light-emitting device having a light-emitting element consisting of a positive electrode, an organic compound layer and a negative electrode.例文帳に追加

陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、有機化合物層における電流密度を均一にすることで素子特性を向上させ、さらに長寿命な素子を作製する手段を提供する。 - 特許庁

The formation of the insulating layer 28 increases the interval between the monitor element 22 and lower shield layer 26 and even if a smear ring is formed on the lower shield layer, an electric connection can be prevented.例文帳に追加

前記絶縁層２８の形成により、モニター素子２２と下部シールド層２６との間隔は大きくなり、下部シールド層にスメアリングが生じても、電気的な接続を防止できる。 - 特許庁

The photosensitive element is constituted by successively providing the peeling adhesive layer, the shielding layer, the photosensitive layer and the supporting body (b) on the supporting body (a) and used in the image forming method.例文帳に追加

また、少なくとも、支持体（ａ）に、剥離性接着層、遮断層、感光層、支持体（ｂ）を順次有してなり、上記画像形成方法に使用されることを特徴とする感光要素である。 - 特許庁

The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型下部クラッド層１２、活性層１３、p型上部クラッド層１４を順次成長させて発光部を構成する。 - 特許庁