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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > layer elementに関連した英語例文

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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

Accordingly, the current constriction layer 9 can reduce the stress applied to the active layer 5 and the adjacent layer as the p-type semiconductor layer 2 in the current constriction structure of the semiconductor light-emitting element 10.例文帳に追加

よって、半導体発光素子10の電流狭窄構造では、電流閉じ込め層9が活性層5及びp型半導体層2といった隣接層に加える応力を低減できる。 - 特許庁

A multiquantum well layer 12, a p-AlGaN layer 14, a p-GaN layer 16 and an ITO layer 18 are formed on top of it, and two electrodes 21, 22 are also formed to manufacture a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

さらにその上に、多重量子井戸層12,p−AlGaN層14,p−GaN層16、ITO層18を形成し、2つの電極21,22も形成して半導体発光素子を作製した。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a functional portion provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、n形半導体層と、p形半導体層と、n形半導体層とp形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。 - 特許庁

After a getter layer 12 is formed on a first substrate 10, the getter layer 12 is caused to adsorb gas and, continuously, a gas barrier layer 13 and a semiconductor element are successively formed on the getter layer 12 in this order.例文帳に追加

第1の基板10上にゲッター層を形成した後、このゲッター層12にガスを吸着させ、続いて、このゲッター層12の上にガスバリア層13,半導体素子を順に形成する。 - 特許庁

例文

In the storage element 1 where a lower electrode 10, a storage layer 20 and an upper electrode 30 are laminated in this order, the storage layer 20 has a resistance change layer 22 and an ion source layer 21 containing movable atoms.例文帳に追加

下部電極10、記憶層20および上部電極30をこの順に積層した記憶素子1において、記憶層20は抵抗変化層22と可動原子を含むイオン源層21とを有する。 - 特許庁


例文

The lithium-ion secondary battery has a power generating element including at least one unit cell layer in which a positive electrode active material layer, an electrolyte layer, and a negative electrode active material layer are sequentially layered.例文帳に追加

、本発明のリチウムイオン二次電池は、正極活物質層と、電解質層と、負極活物質層と、が順次積層されてなる少なくとも1つの単電池層を含む発電要素を有する。 - 特許庁

In a memory element 1 laminated with a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance changing layer 22, and an ion source layer 21 including moving atoms.例文帳に追加

下部電極10、記憶層20および上部電極30をこの順に積層した記憶素子1において、記憶層20は抵抗変化層22と、可動原子を含むイオン源層21とを有する。 - 特許庁

These low permittivity thin films include residual carbon, and useful to gap filling layer in the sub-micron element, the premetal dielectric layer, the interlayer dielectric layer, and the shallow trench separating layer.例文帳に追加

これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。 - 特許庁

In this epitaxial wafer 10 for a light-receiving element, having a light receiving layer 3 and a window layer 4 adjoining the layer 3, the window layer 4 is made of InAs_yP_(1-y), where 0<y≤1.例文帳に追加

この発明は、受光層3と、該層3に接する窓層4とを備える受光素子用エピタキシャルウェーハ10において、窓層4がInAs_yP_(1-y)(0<y≦1)からなる、ことを特徴としている。 - 特許庁

例文

In the protection element 1, an interval distance W1 between an N-type diffusion layer 10a and a P-type diffusion layer 6 is smaller than an interval distance W2 between an N-type diffusion layer 9 and the P-type diffusion layer 6.例文帳に追加

そして、保護素子1では、N型の拡散層10とP型の拡散層6との離間距離W1が、N型の拡散層9とP型の拡散層6との離間距離W2よりも短くなる。 - 特許庁

例文

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部14は、共通のn−InP下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層32、及び共通のi−InP層を備え、その上にp−InPスペーサ層34、p−回折格子36、p−InP埋め込み層38を備える。 - 特許庁

A storage element comprises: a storage layer holding information by an in-plane magnetization state of a magnetic substance; a magnetization fixed layer having magnetization which serves as reference for information stored in the storage layer; and an intermediate layer of a nonmagnetic substance provided between the storage layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、情報を磁性体の面内磁化状態により保持する記憶層と、該記憶層に記憶された情報の基準となる磁化を有する磁化固定層と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する。 - 特許庁

Further, the semiconductor light-emitting element 1 includes an n-type semiconductor layer 140 laminated on the base layer 130, a light-emitting layer 150 laminated on the n-type semiconductor layer 140, and a p-type semiconductor layer 160 laminated on the light-emitting layer 150.例文帳に追加

また、半導体発光素子1は、下地層130上に積層されるn型半導体層140と、n型半導体層140上に積層される発光層150と、発光層150上に積層されるp型半導体層160とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer including a first portion of a second conductivity type, and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第1電極層と、発光層と、第2導電形の第1部分を含む第2半導体層と、第1半導体層に接続された第2電極層と、を備える。 - 特許庁

This organic EL element 1 for a printer head is composed by stacking, on a substrate 2, a translucent reflecting film 3, a positive electrode layer 4, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a luminescent layer 7, an electron transport layer 8, and a negative electrode layer (equivalent to a reflecting film as defined in a claim) 9.例文帳に追加

プリンタヘッド用有機EL素子1は、基板2上に半透明反射膜3、陽極層4、ホール注入層5、ホール輸送層6、発光層7、電子輸送層8、陰極層(請求項に記載の反射膜に相当)9が積層されている。 - 特許庁

In each vibrating element, a first vertical electrode layer for grounding is connected with an upper surface electrode layer 42A and an internal electrode layer 20B, and a second vertical electrode layer for signaling is connected with a lower surface electrode layer 44A and an internal electrode layer 18B.例文帳に追加

各振動素子においては、上面電極層42A及び内部電極層20Bに対してグランド用の第1垂直電極層が接続され、下面電極層44A及び内部電極層18Bに対してシグナル用の第2垂直電極層が接続される。 - 特許庁

The piezoelectric element 10 uses a laminate 30 of a laminating structure formed by laminating a substrate 12, a hot oxide film 14, a closed-contact metal layer 16, a gold-mixed layer 18, a closed-contact metal layer 20, a metal layer 22, a piezoelectric material layer 24, and an upper electrode layer 26 in this sequence.例文帳に追加

圧電素子10は、積層体30を用いるもので、基板12、熱酸化膜14、密着金属層16、金含有層18、密着金属層20、金属層22、圧電体層24、上部電極層26をこの順で積層した積層構造を有する。 - 特許庁

In a memory element 1 having a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 laminated in this order, the memory layer 20 comprises an ion source layer 21, a variable resistance layer 22, and a barrier layer 23 exhibiting electrical conductivity higher than that of the variable resistance layer 22.例文帳に追加

下部電極10、記憶層20および上部電極30をこの順に積層した記憶素子1において、記憶層20はイオン源層21と、抵抗変化層22と、抵抗変化層22よりも高い導電率を示すバリア層23とを有する。 - 特許庁

The organic light-emitting element comprises a positive electrode layer, a hole injection layer positioned on the positive electrode layer and composed of oxide semiconductor, one or more organic layers positioned on the hole injection layer, and a negative electrode layer positioned on the organic layer.例文帳に追加

本発明に係る有機発光素子は、正極層と、前記正極層上に位置し、酸化物半導体からなる正孔充電層と、前記正孔充電層上に位置する一つ以上の有機層と、前記有機層上に位置する負極層と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer including an n-type semiconductor layer, a second semiconductor layer including a p-type semiconductor layer, and a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、n形半導体層を含む第1半導体層と、p形半導体層を含む第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element which has an n-type layer, an active layer, and a p-type layer formed on a substrate is provided with a current stricture layer on the n-type layer side, and the current stricture layer is formed of p- or i-type AlxGa1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

基板上に形成されたn型層、活性層及びp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、n型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をp型又はi型のAlxGa1−xN(0≦x≦1)とした。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子1は、n型半導体基板11、n型クラッド層12、活性層13、p型第1クラッド層14、電流ブロック層15、p型第2クラッド層16、及びp型コンタクト層17が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

When the nonconductive tunnel barrier layer of the tunnel junction element is exposed to ultraviolet rays projected upon the barrier layer through at least one upper layer covering the barrier layer, the oxide and nitride of the barrier layer can be distributed uniformly and homogeneously throughout the barrier layer.例文帳に追加

トンネル接合素子の非導電性トンネル障壁層を、トンネル障壁層を覆う少なくとも1つの上層を通して、トンネル障壁層に照射される紫外光に暴露することにより、均一なトンネル障壁層への上記の要求に対処する。 - 特許庁

A magnetic storage element comprises: a reference layer 26 on which a magnetization direction is fixed to a specific direction; a recording layer 28 in which the magnetization direction is changed by spin injection; an intermediate layer 27 that separates the recording layer 28 from the reference layer 26; and a heating unit 33 that heats the recording layer 28.例文帳に追加

磁化方向が所定の方向に固定された参照層26と、スピン注入により磁化方向が変化する記録層28と、記録層28と参照層26を隔てる中間層27と、記録層28を加熱する発熱部33と、を備える。 - 特許庁

In the organic EL element 1 having an organic layer 4 with a luminous layer interposed between a positive electrode 3 and a negative electrode 5, the luminous layer is made by laminating a red color luminous layer 11, a green color luminous layer 12, and a blue color luminous layer 13 in this order from the positive electrode 3 side.例文帳に追加

陽極3と陰極5との間に発光層を有する有機層4を狭持してなる有機EL素子1において、発光層は、陽極3側から順に赤色発光層11、緑色発光層12、青色発光層13を積層してなる。 - 特許庁

In the magnetic sensing element, the magnetic layer 14c of a fixed magnetic layer 14 has a three-layer structure of a CoFe layer 14c1, an Ni_aFe_b alloy layer 14c2 (where, a and b represent atom% satisfying relations of 0<a≤25, a+b=100), and a CoFe layer 14c3 laid sequentially from below.例文帳に追加

固定磁性層14の磁性層14cは下からCoFe層14c1、Ni_aFe_b合金層14c2(ただし、a、bは原子%であり0<a≦25、a+b=100である)及びCoFe層14c3が積層された3層構造を有している。 - 特許庁

The structure for the optical element is provided with the optical scattering layer in which a nano-particle is formed by a thermal energy offered from outside, the protective layer protecting this optical scattering layer, and the capping layer formed between the optical scattering layer and the protective layer.例文帳に追加

本発明の光素子用構造物は、外部から提供される熱エネルギーによってナノ粒子が生成される光散乱層と、この光散乱層を保護する保護層と、光散乱層と保護層との間に形成されたキャッピング層とを備えている。 - 特許庁

Further, in the organic electroluminescent (EL) element, a positive electrode, the hole transport layer/luminous layer, an electron transport layer, and a negative electrode are preferably laminated in this order.例文帳に追加

さらに、本発明の有機EL素子は、陽極、前記正孔輸送層兼発光層、電子輸送層および陰極がこの順番で積層してなることが好ましい。 - 特許庁

A heat dissipation board is provided with a diamond board 1 and a metal bonding layer 4 which is mounted with a first intermediate bonding layer 2, a second intermediate bonding layer 3, and a semiconductor element.例文帳に追加

放熱基板は、ダイヤモンド基板1と、第1の中間接合層2と第2の中間接合層3と半導体素子が取付けられる金属接合層4とを備える。 - 特許庁

The sealing portion 15 has a light guide layer 16 for sealing the semiconductor light-emitting element 13 and a phosphor-containing layer 17 formed covering the light guiding layer 16.例文帳に追加

封止部15は、半導体発光素子13を封止する導光層16と、導光層16を覆って形成された蛍光体含有層17とを有する。 - 特許庁

An element 1 is composed of an SOI substrate 100 which is composed of a first silicon layer 100a and a second silicon layer 100b which are connected to each other via an oxidized layer 120.例文帳に追加

素子1は、酸化膜120を介し第1のシリコン層100aと第2のシリコン層100bとが接合されて成るSOI基板100から構成されている。 - 特許庁

The lighting device 1 includes a plurality of semiconductor light-emitting element 2, a translucent substrate 3, a translucent adhesive layer 4, a phosphor layer 7, and a secondary light reflecting layer 8.例文帳に追加

照明装置1は、複数の半導体発光素子2、透光基板3、透光性接着層4、蛍光体層7、及び二次光反射層8を具備する。 - 特許庁

The light receiving element 1 detects light by the pn junction between a buried layer 12 and a substrate 11, and the pn junction between an epitaxial layer 13 and a diffusion layer 12.例文帳に追加

拡散層12が面内方向において複数の領域12a,12b,12c,12dに分割形成され、各領域12a,12b,12c,12dにおいて縦方向にpn接合が形成されている。 - 特許庁

The p-type diffusion layer forming composition is applied to the substrate and is subjected to heat diffusion treatment, whereby a p-type diffusion layer and a solar cell element including the p-type diffusion layer are produced.例文帳に追加

このp型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 - 特許庁

The organic EL element is constituted by sequentially laminating a positive electrode 2, a hole-injection layer 3, a buffer layer 4, a light emitting layer 5 and a negative electrode 6, in this order, on one side face of a substrate 10.例文帳に追加

基板10の片面に、陽極2、ホール注入層3、バッファ層4、発光層5、陰極6を順次積層して有機EL素子1を構成する。 - 特許庁

A photographic element is formed by including a polyester support, an antistatic layer, a cellulose-based binder, a strong magnetic particulate, a transparent magnetic layer containing blocked isocyanate, and an image forming layer.例文帳に追加

ポリエステル支持体、帯電防止層、セルロース系バインダーと、強磁性粒子と、ブロックトイソシアネートとを含む透明磁性層、および画像形成層を含んで成る写真要素。 - 特許庁

The photoelectric conversion function element is composed by laminating a p-type GaN clad layer, an InN active layer, and a clad layer including the mixed crystal whose main component is n-type InN in the order.例文帳に追加

p型のGaNクラッド層、InN活性層、n型のInNを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子とする。 - 特許庁

To solve the problem, where nickel of a nickel-plated layer is moved the surface of a gold-plated layer for diffusion, and the electrode of a semiconductor element cannot be connected firmly and electrically to a wiring layer.例文帳に追加

ニッケルめっき層のニッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散して半導体素子の電極を配線層に強固に電気的接続できない。 - 特許庁

On one surface of a glass substrate 21 of a liquid crystal element, a blue filter layer 30B, a green filter layer 30G, and a red filter layer 30R constituting a micro color filter are provided.例文帳に追加

液晶素子のガラス基板21の一方の面に、マイクロカラーフィルタを構成する青色フィルタ層30B,緑色フィルタ層30G,赤色フィルタ層30Rが設けられる。 - 特許庁

A face layer 11 on an element mounting surface side is formed of a single ceramic layer, intermediate layers 121-123 and a face layer 124 on the heat radiation surface side are metal-impregnated layers.例文帳に追加

素子搭載面となる側の表層(11)はセラミックス単一層、中間層(12_1〜12_3)及び放熱面となる側の表層(12_4)は金属含浸層である。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes a substrate 110, an intermediate layer 120 laminated on the substrate 110, and a base layer 130 laminated on the intermediate layer 120.例文帳に追加

半導体発光素子1は、基板110と、基板110上に積層される中間層120と、中間層120上に積層される下地層130とを備える。 - 特許庁

The sealing portion 15 has a light guide layer 16 sealing the semiconductor light-emitting element 13 and a phosphor-containing layer 17 formed covering the light guide layer 16.例文帳に追加

封止部15は、半導体発光素子13を封止する導光層16と、導光層16を覆って形成された蛍光体含有層17とを有する。 - 特許庁

When a voltage is applied between an electrode layer 1c and the electrode layer 2c, a current passing through the micro-current paths is made to flow in the layer-thickness direction of the BMR element 10.例文帳に追加

電極層1cと電極層2cとの間に電圧を印加すると、BMR素子10の層厚方向に微小電流路を通過する電流が流れる。 - 特許庁

On the other hand, relating to the magnetization fixed layer 63 of the second MR element, the total magnetic moment of the pinned layer 633 is larger than that of the pinned layer 631.例文帳に追加

一方、第2のMR素子における磁化固着層63は、ピンド層633の総磁気モーメントがピンド層631の総磁気モーメントよりも大きなものである。 - 特許庁

To impart liquid crystal display functions to the organic EL element without increasing the number of layers by incorporating a liquid crystal layer into a carrier-transporting layer and/or an organic luminous layer.例文帳に追加

キャリア輸送層及び/又は有機発光層に液晶層を組み込むことにより、層数の増加を招くことなく、液晶表示機能を有機EL素子に付与する。 - 特許庁

The light-emitting element further includes an insulating layer 54 covering the semiconductor layer 51 and having a contact opening formed to expose at least part of the gold electrode layer 52.例文帳に追加

そして、絶縁膜54が半導体層51を覆うとともに、この絶縁膜54の前記金電極層52の少なくとも一部を露出するコンタクト開口が形成される。 - 特許庁

The power generation element 10 for a nonaqueous electrolyte battery includes: a positive electrode layer 1 and a negative electrode layer 2 on a base material S; and a solid electrolyte layer 3 intervened between the above layers.例文帳に追加

非水電解質電池用発電要素10は、基材Sの上に、正極層1と負極層2、及びこれら両層の間に介在される固体電解質層3を有する。 - 特許庁

Next, a sacrifice layer pattern is formed on the first photosensitive material layer located on the energy generating element, and a second substrate made of silicon is stuck to the sacrifice layer pattern.例文帳に追加

次に、エネルギー発生素子の上方に位置する第1の感光性材料層上に犠牲層パターンを形成し、その上にシリコンからなる第2の基板を貼り合わせる。 - 特許庁

The element for the improvement in the screen quality has (A) a composition layer having a function to improve the screen quality formed on a supporting film and (B) an adhesive composition layer formed on the layer (A).例文帳に追加

支持体フィルム上に、(A)画面品位向上機能を有する組成物層を有し、その上に(B)接着剤組成物層を有してなる画面品位向上エレメント。 - 特許庁

例文

The organic EL element has the organic light emitting medium layer 3 and a functional peeling-off layer 2 installed on the organic light emitting medium layer 3 between an anode and a cathode 9.例文帳に追加

有機EL素子が、陽極と陰極9との間に、有機発光媒体層3と有機発光媒体層3上に設けられた機能性剥離層2とを有する。 - 特許庁




  
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