「location dependency」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

All actual active unit sources 1 can be arranged in the area where the placement location dependency is small, and the stability and linearity of the analog output characteristics can be obtained by this configuration.例文帳に追加

この構成によって実動作単位電流源１のすべてを配置位置依存性の小さい領域に配置することができて、アナログ出力特性の安定化、直線性を図ることができる。 - 特許庁

To provide a current output type DA converter which enables to reduce a placement location dependency of a current source and to output analog signals corresponding to the number of added current power supplies with stability.例文帳に追加

電流源の配置場所依存性を軽減し、安定して加算された電流源の数に対応してアナログ信号を出力することのできる電流出力型ＤＡコンバータを構成するものである。 - 特許庁

Based on the document area configuration, a correction factor calculating part 50 determines a blurring characteristic correction factor for correcting the location dependency of blurring characteristics resulting from the tilt scans, and sets the factor in an image correcting process part 40.例文帳に追加

補正係数算出部５０は、原稿領域形状に基づいて、チルトスキャンに起因するボケ特性の場所依存性を補正するためのボケ特性補正係数を求め画像補正処理部４０にセットする。 - 特許庁

To provide a technique for increasing a rewriting current without increasing a power supply voltage and also reducing location dependency inside a memory array of a resistive state after the rewriting, in a resistance change type memory in which the resistance values of memory cells are changed between "1" and "0" of logical values.例文帳に追加

メモリセルの抵抗値が論理値“１”と“０”の間で変化する抵抗変化型メモリにおいて、電源電圧を高くすることなく書き換え電流を増大し、同時に書き換え後の抵抗状態のメモリアレイ内場所依存性を低減する技術を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein, when depending on a series of simple boundary provision wafer approval tests, an MOSFET parameter is reduced in accuracy relative to a system-on-chip embedding MOSFET monitor due to context dependency influence and a local variation incapable of being monitored from a distant location where a wafer monitor is installed.例文帳に追加

単純な一連の境界提供ウェーハ承認試験に依存すると、ＭＯＳＦＥＴパラメータは、文脈依存影響と、ウェーハモニターが設置される離れた場所からは監視することができない局所的な変化と、が原因で、システムオンチップ埋め込みＭＯＳＦＥＴモニターに比べて精度が低くなる。 - 特許庁

The scan near-field optical microscope comprises a light source for irradiating light on the location to be observed of the sample and adjusting the angle of incidence, and a detecting means to detect the irradiating light reflected by the sample, and can measure the angle dependency to the angle of incidence of the intensity of the reflected light detected by the detecting means.例文帳に追加

また、本発明の別態様によると、試料の観察部位に照射光を照射する、入射角度を調節可能な光源と、上記試料で反射された上記照射光を検出する検出手段とを具備し、上記検出手段で検出した反射光強度の上記入射角に対する角度依存性を測定可能に構成されていることを特徴とする走査型近接場光学顕微鏡が提供される。 - 特許庁