| 意味 | 例文 |
memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14053件
MEMORY FUNCTION PROTECTING METHOD FOR CONTROLLER AND CONTROLLER例文帳に追加
制御装置のメモリ機能保護方法及び制御装置 - 特許庁
COMPOSITE MACHINE AND MEMORY MANAGEMENT METHOD IN COMPOSITE MACHINE例文帳に追加
複合装置及び複合装置におけるメモリ管理方法 - 特許庁
MULTILINGUAL TRANSLATION MEMORY, TRANSLATING METHOD AND TRANSLATING PROGRAM例文帳に追加
マルチリンガル翻訳メモリ、翻訳方法および翻訳プログラム - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND DATA WRITE-IN METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置とデータ書込方法 - 特許庁
IMAGE PROCESSOR, PRINTING CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
画像処理装置、印刷制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁
DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING PROPERTY OF MEMORY例文帳に追加
メモリ性を有する液晶表示装置の駆動方法 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD, RECORDING MEDIUM, AND MEMORY DEVICE例文帳に追加
記録媒体製造方法、記録媒体、および記憶装置 - 特許庁
METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION IN FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
フラッシュメモリ装置におけるプログラム動作の制御方法 - 特許庁
AUTOMATIC COMPOSITION APPARATUS AND METHOD AS WELL AS MEMORY MEDIUM例文帳に追加
自動作曲装置及び方法並びに記憶媒体 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR REWRITING FLASH MEMORY UPDATE PROGRAM例文帳に追加
フラッシュメモリ更新プログラムの書き換え方法及び装置 - 特許庁
PROTECTION METHOD FOR DATA IN STACK AREA IN COMPUTER MEMORY例文帳に追加
コンピュータメモリにおけるスタック領域のデータの保護方法 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING DATA WRITING例文帳に追加
半導体記憶装置およびデータ書き込み制御方法 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT AND DRIVING METHOD例文帳に追加
強誘電体メモリ装置、電子機器、及び駆動方法 - 特許庁
CIRCUIT AND METHOD FOR TESTING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
強誘電体メモリ装置をテストする回路及び方法 - 特許庁
MAGNETIC WALL DISPLACEMENT TYPE MEMORY CELL MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁壁移動型メモリセル材料およびその作製方法 - 特許庁
REGISTRATION/DISPLAY METHOD OF SECRET INFORMATION IN MEMORY DIAL例文帳に追加
メモリダイヤルにおけるシークレット情報の登録・表示方法 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, METHOD FOR DRIVING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加
強誘電体記憶装置、強誘電体記憶装置の駆動方法、電子機器および電子機器の駆動方法 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY AND CONTROL METHOD FOR ITS OPERATION, STRUCTURE OF FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
強誘電体メモリ及びその動作制御方法並びに強誘電体メモリセル構造及びその製造方法 - 特許庁
BANK CONTROL CIRCUIT AND CACHE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING CACHE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING MICROPROCESSOR例文帳に追加
バンク制御回路及びキャッシュメモリ装置、並びにキャッシュメモリ装置の設計方法及びマイクロプロセッサの設計方法 - 特許庁
FERROELECTRIC CAPACITOR, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMORY CELL ARRAY, METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC CAPACITOR, AND MEMORY DEVICE例文帳に追加
強誘電体キャパシタおよびその製造方法、メモリセルアレイ、誘電体キャパシタの製造方法、ならびに、メモリ装置 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
強誘電体メモリ、半導体装置、強誘電体メモリの製造方法、及び半導体装置の製造方法。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY, DATA WRITING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY, AND DATA WRITING PROGRAM例文帳に追加
半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラム - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, PHASE CHANGE MEMORY IC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ素子、相変化メモリIC、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリICの製造方法 - 特許庁
To provide a memory controller, a memory system and a memory control method suitable for storing data whose rewrite frequency is high and data whose rewrite frequency is low in a flash memory and a nonvolatile memory whose random access is possible.例文帳に追加
書き換え頻度が高いデータと低いデータをフラッシュメモリとランダムアクセスが可能な不揮発性メモリとに保存するときに好適なメモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁
To provide an operation method of a data storage device including a nonvolatile memory device having a memory cell array and a memory controller having a buffer memory and controlling the nonvolatile memory device.例文帳に追加
メモリセルアレイを有する不揮発性メモリ装置と、バッファメモリを有し、前記不揮発性メモリ装置を制御するメモリ制御器とを含むデータ格納装置の動作方法を提供する。 - 特許庁
To provide a relieving method for a memory module in which a defective memory cell can be relieved without replacing a volatile memory decided as defective in an electrical test of a memory module and a memory module.例文帳に追加
メモリモジュールの電気的試験で不良と判定された揮発性メモリを交換することなく、不良メモリセルの救済が可能なメモリモジュールの救済方法及びメモリモジュールを提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory device, a memory controller, an operation methods thereof, an operation method of a memory system, and a wear-leveling method, in which deterioration of a memory cell can be accurately detected.例文帳に追加
メモリセルの劣化度を正確に検出することができる不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory management method which manages memory so that stable preload and stable deleting may be performed about a memory management method for preload.例文帳に追加
プリロードのためのメモリ管理方法に関し、安定したプリロード及び削除が行われるようにメモリを管理するメモリ管理方法を提供することである。 - 特許庁
To reduce a voltage necessary for forming operation, related to a forming method of a resistance change memory, a resistance change memory, and a manufacturing method of the resistance change memory.例文帳に追加
抵抗変化メモリのフォーミング方法、抵抗変化メモリ、及び、抵抗変化メモリの製造方法に関し、フォーミング動作に必要な電圧を低減する。 - 特許庁
To provide a memory transistor, a nonvolatile memory element, a stack structure of the same, an operation method of the same, a manufacturing method of the same, and a system using the nonvolatile memory element.例文帳に追加
メモリトランジスタ、不揮発性メモリ素子、そのスタック構造、その動作方法、その製造方法及び不揮発性メモリ素子を利用したシステムを提供する。 - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY REWRITING OF FLASH MEMORY, PROGRAM FOR PERFORMING EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD AND INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加
フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法、メモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラムおよび情報記録媒体 - 特許庁
To provide a magnetic memory element having a uniform switching characteristic and capable of low-current switching, and to provide a method of operating the magnetic memory element and a method of fabricating the magnetic memory element.例文帳に追加
均一なスイッチング特性を有し、低電流スイッチングの可能な磁気メモリ素子、その動作方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic memory device having high cell selection accuracy and being capable of decreasing drive voltage, a magnetic memory device manufacturing method, and a magnetic memory device operation method.例文帳に追加
セルの選択精度が高く、駆動電圧を下げることが可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ素子の製造及び磁気メモリ素子の動作方法を提供する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF ANNULAR BODY, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
環状体の製造方法および磁気記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
MEMORY REWRITE METHOD, AND PROGRAM FOR MAKING COMPUTER EXECUTE THE METHOD例文帳に追加
メモリ書換え方法およびその方法をコンピュータに実行させるためのプログラム - 特許庁
NAND FLASH MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法 - 特許庁
DEVICE FOR PROCESSING, METHOD OF PROCESSING, METHOD OF COGNIZING OBJECT TO BE PROCESSED, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
処理装置、処理方法、被処理体の認識方法および記憶媒体 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR INVERSION OF MAGNETIZATION, MAGNETIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS OPERATING METHOD AND FABRICATING METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置、並びにその動作方法および製造方法 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS WRITE METHOD AND ERASE METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法と消去方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY, INFORMATION STORING METHOD, AND STORAGE ELEMENT例文帳に追加
強誘電体メモリの製造方法、情報格納方法及び記憶素子 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR REWRITING NON-VOLATILE MEMORY AND MONITOR AND CONTROL SYSTEM USING THE METHOD例文帳に追加
不揮発メモリ書き換え方法、及びその方法を用いた監視制御システム - 特許庁
DATA ERASING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
データ消去方法及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|