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「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > memory methodの意味・解説 > memory methodに関連した英語例文

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memory methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14053



例文

A display method storage memory 133 stores a multi-sub-page display method table.例文帳に追加

表示方法格納メモリ133は、マルチサブページ表示方法テーブルを格納する。 - 特許庁

ERASING PULSE SETTING METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY, AND DEFECTIVE ERASING SCREENING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリの消去パルス設定方法及び消去不良スクリーニング方法 - 特許庁

MEMORY CELL, STORAGE CIRCUIT BLOCK, DATA WRITE-IN METHOD, AND DATA READ-OUT METHOD例文帳に追加

メモリセル、記憶回路ブロック、データの書き込み方法及びデータの読み出し方法 - 特許庁

To provide a memory semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a method of operating the same.例文帳に追加

メモリ半導体装置、その製造方法及び動作方法を提供する。 - 特許庁

例文

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS AUTOMATIC ERASING METHOD AND AUTOMATIC WRITE-IN METHOD例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ及びその自動消去方法/自動書き込み方法 - 特許庁


例文

CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

容量素子及びその製造方法、半導体メモリ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC CAPACITOR, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL AND ITS READING METHOD AND PROGRAMMING METHOD例文帳に追加

マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置とその読み出し方法及びプログラム方法 - 特許庁

SHEET TREATMENT DEVICE AND ITS CONTROL METHOD, SHEET TREATMENT METHOD, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

シート処理装置およびその制御方法、シート処理方法並びに記憶媒体 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS TEST METHOD, AND DEFECTIVE CELL RELIEVING METHOD例文帳に追加

半導体記憶回路装置並びにその検査方法及びセル不良救済方法 - 特許庁

例文

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD AND DATA STORAGE METHOD例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法並びにデータ記憶方法 - 特許庁

NOISE REDUCTION METHOD IN IMAGING METHOD, MEMORY MEDIUM AND TOMOGRAPHIC SYSTEM例文帳に追加

画像化方法におけるノイズリダクション方法、メモリ媒体および断層撮影システム - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不揮発性記憶装置の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

CACHE MEMORY FAST REFERRING METHOD, AND DATA PROCESSOR AND DATA PROCESSING METHOD USING SAME例文帳に追加

キャッシュメモリ高速参照方法とこれを用いたデータ処理装置及び方法 - 特許庁

CIRCUIT, STORAGE METHOD, AND MANUFACTURING METHOD RELATED TO NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリに関する回路および記憶方法および製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY, METHOD OF RECORDING MULTI-VALUE DATA, AND METHOD OF READING THE MULTI-VALUE DATA例文帳に追加

強誘電体メモリ、多値データ記録方法、および多値データ読出し方法 - 特許庁

NONVOLATILE STORAGE DEVICE, AND DELETION METHOD AND WRITING METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FERROELECTRIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体膜の形成方法及び半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不揮発性記憶装置の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体キャパシタの製造方法および強誘電体メモリの製造方法 - 特許庁

SINGLE-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL, ITS PROGRAMMING METHOD, AND ITS ERASING METHOD例文帳に追加

単一ビット不揮発性メモリーセル、および、その書き込み方法および消去方法 - 特許庁

SHEET PROCESSING DEVICE AND ITS CONTROL METHOD, AND SHEET PROCESSING METHOD AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

シート処理装置及びその制御方法、シート処理方法および記憶媒体 - 特許庁

DIGITAL CONTENT PROTECTION METHOD, DECRYPTION METHOD, REPRODUCING DEVICE, MEMORY MEDIUM AND CRYPTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

デジタルコンテンツの保護方法、復号方法、再生装置、記憶媒体、暗号装置 - 特許庁

MEASURING METHOD OF FERROELECTRIC CAPACITOR AND DESIGNING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体キャパシタの測定方法及び強誘電体メモリの設計方法 - 特許庁

TEST METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体記憶装置のテスト方法及び製造方法並びに半導体ウェハ - 特許庁

ERROR CORRECTION METHOD AND ERROR DETECTION METHOD FOR MEMORY, AND CONTROLLER USING THE SAME例文帳に追加

メモリの誤り訂正方法,誤り検出方法、及びそれを用いたコントローラ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING DATA THEREIN, AND METHOD OF READING DATA THEREFROM例文帳に追加

半導体記憶装置ならびにそのデータ書込方法およびデータ読出方法 - 特許庁

The multilevel phase change memory, the method of operating the same, and the method of manufacturing the same are provided.例文帳に追加

マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法と製造方法である。 - 特許庁

To provide a memory control method for preventing write to a non-volatile memory when a program runs away, and properly protecting content of a memory, in an address decoder, and to provide a memory control device and a memory control method of a printer.例文帳に追加

アドレスデコーダにおいて、プログラムが暴走した際の不揮発性メモリへの書き込みを防止し、当該メモリの内容を適切に保護することができるメモリ制御方法、メモリ制御装置およびプリンタのメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change random access memory with a transistor for enhancing operation in a memory cell by micro-fabricating the memory cell in dimension, and method for fabricating the memory device.例文帳に追加

メモリセルの寸法を微細化し、メモリセルでの動作を改善するための、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller capable of efficiently creating an address conversion table, a flash memory system equipped with the memory controller, and a control method of the flash memory.例文帳に追加

効率的にアドレス変換テーブルを作成することができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control device, a memory control method, an information processing system, a program thereof and a storage medium thereof by which an FB-DIMM (Dual Inline Memory Module) memory is rapidly tested or initialized.例文帳に追加

FB−DIMMメモリを迅速にテストや初期化を行うメモリ制御装置、メモリ制御方法、情報処理システム、そのプログラム及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a control method for a flash memory capable of suppressing time required for verification, and also to provide the memory controller, and a flash memory system equipped with the memory controller.例文帳に追加

ベリフィケーションの時間を抑制可能なフラッシュメモリの制御方法、メモリコントローラ及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

PRINTER, IMAGE INPUTTING DEVICE, MEMORY DEVICE, PRINTING SYSTEM, METHOD FOR IMAGE SYNTHESIZING, METHOD FOR IMAGE TRANSMISSION, METHOD FOR BACKGROUND IMAGE TRANSMISSION AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

印刷装置、画像入力装置、記憶装置、印刷システム、画像合成方法、画像転送方法、背景画像転送方法及び記憶媒体 - 特許庁

The method of forming the phase-change material layer, the method of forming the phase-change memory element using the method and the phase-change memory element are disclosed.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁

While or after the native method library is executed, an unauthorized memory access detection part 114 detects unauthorized memory access by the native method library over a memory area ensured by a memory ensuring part 111.例文帳に追加

不正メモリアクセス検出部114は、ネイティブメソッドライブラリの実行中又は実行後に、メモリ確保部111が確保したメモリ領域についてネイティブメソッドライブラリによる不正なメモリアクセスを検出する。 - 特許庁

To provide a memory controller and a memory control method for efficiently executing the temporary storage of write data to a cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリへのライトデータの一時記憶を効率的に行うことが可能なメモリ制御装置及びメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory the reliability of which has been improved, and its erasing method, and to provide a memory system incorporating the memory.例文帳に追加

向上された信頼性を有する不揮発性メモリ装置及びその消去方法、そしてそれを含むメモリシステムが提供される。 - 特許庁

To provide a memory module capable of minimizing an unnecessary routing space and a method for mounting a memory device on a PCB for the memory module.例文帳に追加

不必要なルーティング空間を最小化し得るメモリモジュールとそのメモリモジュール用PCBにメモリ装置を搭載する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory leakage restoration method that restores a link memory from a memory leakage state while being in an operating state and to provide a buffer processing unit.例文帳に追加

運用状態のままでリンクメモリをメモリリーク状態から復旧するメモリリーク復旧方法、およびバッファ処理装置を提供する。 - 特許庁

A circuit and a method for testing a memory cell of a ferroelectric memory device equipped with an array consisting of ferroelectric memory is provided.例文帳に追加

強誘電体メモリセルからなるアレイを具備する強誘電体メモリ装置のメモリセルをテストする回路及び方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method and a device which are used to read data from a memory cell such as a ferroelectric substance memory cell (4) in a memory device (102).例文帳に追加

メモリ装置(102)における強誘電体メモリセル(4)のようなメモリセルからデータを読み取る方法および装置を提供する。 - 特許庁

SELF-ALIGNED METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS WITH SOURCE SIDE ERASE, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加

ソース側消去を伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合法及びこれによって形成されるメモリアレイ - 特許庁

MEMORY ACCESS CONTROL SYSTEM, DEVICE MANAGING DEVICE, PARTITION MANAGING DEVICE, MEMORY PACKAGED DEVICE, MEMORY ACCESS CONTROL METHOD AND PROGRAM STORAGE MEDIUM例文帳に追加

メモリアクセス制御システム、デバイス管理装置、パーティション管理装置、メモリ搭載デバイス、およびメモリアクセス制御方法、並びにプログラム記憶媒体 - 特許庁

To provide a memory testing device and a memory testing method which can simultaneously execute a plurality of memory tests only by simple address management.例文帳に追加

簡単なアドレス管理だけで複数個のメモリ試験を同時に実行できるメモリ試験装置およびメモリ試験方法を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit memory device that supports a memory module related to a selective mode resister set command, a memory controller and a method.例文帳に追加

選択的なモードレジスタセットの命令と関連したメモリモジュールを支援する集積回路メモリ装置、メモリコントローラ及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory pool management method capable of solving the problem in a conventional variable length memory pool or a fixed length memory pool.例文帳に追加

従来の可変長メモリプールや固定長メモリプールにおける問題点を解決したメモリプール管理方式を提供することである。 - 特許庁

To provide a memory test device and a memory test method which determines a memory to be faulty, only when an error exists in confidential information data.例文帳に追加

機密情報データに誤りがある場合にのみメモリが不良と判定するメモリ検査装置及びメモリ検査方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a memory cell array capable of reducing an interval between floating gates of memory cells and to provide the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルの浮遊ゲート間の間隔を縮小させることができるメモリセルアレイの形成方法およびメモリセルアレイを提供すること。 - 特許庁

例文

To obtain a semiconductor device in which a memory replacing signal for replacing a defective bit of a memory can be generated accurately, and a memory replacing method.例文帳に追加

メモリの不良ビットを置換するためのメモリ置換用信号を的確に生成できる半導体装置およびメモリ置換方法を得る。 - 特許庁




  
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