「multiple- quantum well」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

In the luminous diode made of a compound semiconductor, light is emitted from an active region of multiple quantum well structure and the active region is coated in the state of sandwich by upper and lower double layers of InGAlP and an upper clad layer whereby the improvement of the luminous efficiency increases the light beams in the light emitting diode thereby reinforcing an electronic reflection layer.例文帳に追加

化合物半導体で製造された発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造の活性領域より光を発射し、活性領域が上下二層のＩｎＧａＡｌＰと上層のクラッド層でサンドイッチ式に被覆され、活性領域の発光効率が発光ダイオード中で光線を増加し電子反射層を強化する。 - 特許庁

This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.例文帳に追加

第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

The index guide type heterostructure nitride laser structure 100 has a first waveguide layer, a second waveguide layer, a multiple quantum well structure 145 interposed between the first and second waveguide layers, a ridge structure 111 having first, second and third faces, and a buried layer 155 existing on the first, second and third faces of the ridge structure 111.例文帳に追加

インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造１００は、第１導波層及び第２導波層並びに前記第１導波層と前記第２導波層との間に配置される多重量子井戸構造１４５を有し、第１、第２及び第３の面を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在する埋め込み層１５５とを有する。 - 特許庁