「multiple- quantum well」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

A GaN(gallium nitride) based semiconductor layer 15 containing an MQW(multiple quantum well) luminous layer 7 is subjected to the epitaxial growth on the upper surface of the sapphire substrate 1 and the side surface 101 and the bottom surface 102 of the step part 100.例文帳に追加

サファイア基板１の上面上ならびに段差部１００の側面１０１上および底面１０２上に、ＭＱＷ発光層７を含むＧａＮ系半導体層１５をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The vicinity 205a of light exit edge of an InGaAlP multiple quantum well layer 205 sandwiched by these stable oxides has a disordered tissue and transmits laser beam.例文帳に追加

そして、これらの安定な酸化物に挟まれたＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５、つまりＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５の光出射端面近傍２０５ａは、組織が無秩序で、且つ、レーザ光を透過する。 - 特許庁

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure.例文帳に追加

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。 - 特許庁

The active layer 14 is provided with a multiple quantum well (MQW) structure that has a periodic structure formed by repeating two kinds of InGaAlN layers whose band gap energy is different from each other and respective thickness is 10nm or less.例文帳に追加

活性層１４はバンドギャップエネルギーが異なり、それぞれの厚さが１０ｎｍ以下の２種類のＩｎＧａＡｌＮ層の繰り返しで構成される周期構造からなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer, an active layer having a multiple quantum well structure of the nitride semiconductor, and a p-type nitride semiconductor layer are stacked in turn on a main surface of a first substrate on which irregularity is formed.例文帳に追加

凹凸が形成された第１基板の一主面上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量子井戸構造を有する活性層、およびｐ型窒化物半導体層を、順に積層する。 - 特許庁

A nitride compound semiconductor device is formed on a substrate 1A, and is equipped with a laminated structure 40 including an n-type nitride compound semiconductor layer, a multiple quantum well active layer 13, and a p-type nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化化合物半導体素子は、基板１Ａの上に形成され、ｎ型窒化化合物半導体層、多重量子井戸活性層１３及びｐ型窒化化合物半導体層を含む積層構造体４０を備えている。 - 特許庁

A typical embodiment comprises a semiconductor laser having an active layer region employing an InGaAlAs or InGaAs multiple quantum well structure with a barrier layer having a composition wavelength of less than 950 nm.例文帳に追加

本発明の代表的な形態は、半導体レーザの活性層領域をＩｎＧａＡｌＡｓ材料あるいはＩｎＧａＡｓ系の多重量子井戸構造とし、障壁層の組成波長を９５０ｎｍ未満とする。 - 特許庁

Two optical pulse trains in different polarization states and probe light are made incident on a multiple-quantum well structure plane type optical switch at the same time and only when two optical pulse patterns are different, output of the probe light is obtained.例文帳に追加

偏光状態の異なる２つの光パルス列とプローブ光を多重量子井戸構造面型光スイッチに同時に入射させ、２つの光パルスパターンが異なるときにのみ、プローブ光の出力を得る。 - 特許庁

An optical modulator includes: a p-InP clad layer 22; an n-InP clad layer 23; and a multiple quantum well 40 sandwiched between the p-InP clad layer 22 and the n-InP clad layer and having a plurality of well layers 1 and a plurality of barrier layers 2 alternately laminated.例文帳に追加

光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。 - 特許庁

The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁

In a light-emitting diode which includes an active layer 13 comprising AlGaInP multiple quantum well, a rugged structure for light extraction efficiency improvement is formed on the surface of an n-type AlGaInP clad layer 12 which is a light extraction layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。 - 特許庁

An ultra short light pulse exciting excitons (E2HH1, E2HH2) of subbands different in the number of quantums simultaneously is irradiated to a terahertz wave generating element (1) composed of a multiple quantum well (MQW) by a light irradiation circuit (2).例文帳に追加

多重量子井戸構造（ＭＱＷ）で構成されるテラヘルツ波発生素子（１）に対し、量子数の異なるサブバンドの励起子（Ｅ２ＨＨ１，Ｅ２ＨＨ２）を同時に励起する超短光パルスを光照射回路（２）により照射する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of superior electrostatic breakdown voltage whose light-emitting output is improved so that a range of application to various applied products is widened with the use of an active layer of a multiple quantum well structure.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

Even in this case, since the Al crystal mixing ratio x of the firstn-type clad layer 24 in the side of the AlGaAs multiple quantum well active layer 25 is equal to 0.425, the elliptical coefficient can be improved by setting the radiation angle θ⊥ in the vertical direction to 36°.例文帳に追加

その場合でも、ＡlＧaＡs多重量子井戸活性層２５側の第１ｎ型クラッド層２４のＡl混晶比はｘ＝０.４２５であるため、垂直方向放射角θ⊥を３６度に合わせて楕円率改善を図ることができる。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

The light emitting diode (LED) emits light in wavelength bands spaced out in the regions from the ultraviolet to the red color in which each wavelength light is formed by multiple quantum well (MQW) active emitting areas of multiband gaps.例文帳に追加

本発明の発光ダイオード（ＬＥＤ）は、紫外から赤色までの領域の 間隔を開けた波長帯で発光する、各波長の光は マルチバンドギャップの、多重量子井戸（ＭＱＷ）の活性発光領域で形成される。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

The barrier layer of a multiple quantum well semiconductor element is respectively formed of a plurality of internal barrier layers, and the height of a hetero barrier to a hole between the barrier layer and quantum well layer is changed in a step state, from higher hetero barrier to lower hetero barrier, in the respective barrier layers along the direction from a clad layer with a first conductivity toward one with a second conductivity.例文帳に追加

多重量子井戸半導体素子の障壁層をそれぞれ複数の内部障壁層で構成し、各障壁層内において当該障壁層と量子井戸層の間のホールに対するヘテロ障壁高さを、第１の導伝性を有するクラッド層から第２の導伝性を有するクラッド層の方向に沿って、大きいヘテロ障壁高さから小さいヘテロ障壁高さへと階段状に変化させる。 - 特許庁

To improve light-emitting output further which makes expansion of scope of application to various applied products possible using an active layer of a multiple quantum well structure, and to provide a nitride semiconductor light-emitting element whose dielectric breakdown voltage is improved.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とする発光出力のさらなる向上及び静電耐圧の向上する窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has a lamination structure, where an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated successively from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

A multiple quantum well layer 4 to detect infrared rays by utilizing transition between sub-bands and a reflection electrode layer 9 situated on a surface are separated farther than a distance in which the metal of the reflection electrode 9 is dispersed by a heat history during a manufacturing process.例文帳に追加

サブバンド間遷移を利用して赤外線を検出する多重量子井戸層４と表面に在る反射電極９とが製造工程中の熱履歴で該反射電極９の金属が拡散する距離以上に離隔して設けられている。 - 特許庁

There are formed on a sapphire substrate 11 a first semiconductor layer 12 comprising n type gallium nitride, a multiple quantum well active layer 13 where 3 pairs of laminates of a GaN barrier layer and an InGaN well layer are laminated, and a p-type gallium nitride second semiconductor layer 14, sequentially.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上には、ｎ型の窒化ガリウムよりなる第１の半導体層１２と、ＧａＮよりなる障壁層とＩｎＧａＮよりなる井戸層とが３対積層されてなる多重量子井戸活性層１３と、ｐ型の窒化ガリウムよりなる第２の半導体層１４とが順次形成されている。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor laser in which the quality of a double heterostructure part including an n-type Multiple Quantum Well is enhanced by accelerating surface migration of group III material species thereby flattening the cross-sectional shape of a DH structure part.例文帳に追加

ＩＩＩ族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、ＤＨ構造部の断面形状を平坦化することで、ｎ型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Positive hole energy levels (HH1, HH2) of the subbands are adjusted by a voltage pulse applying circuit (10) synchronizing with the ultra short pulse irradiation, so that a difference (ΔE) of exciton oscillation energy of the multiple quantum well is equal to an oscillation energy (ELO) of coherent longitudinal optical phenons.例文帳に追加

この超短パルス照射と同期して電圧パルス印加回路（１０）から、量子井戸の励起子振動のエネルギ差ΔＥが、コヒーレント縦光学フォノンの振動エネルギ（ＥＬＯ）と等しくなるように、サブバンドの正孔エネルギ準位（ＨＨ１，ＨＨ２）を調整する。 - 特許庁

The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.例文帳に追加

ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A light transmitter is constituted of the electro absorption modulator constituted of a multiple quantum well, a phase modulator connected to the electro absorption modulator in series and an electric circuit changing a duty ratio by inverting an electrical signal given to the electro absorption modulator.例文帳に追加

多重量子井戸から構成された電界吸収型変調器とこれに直列に接続された位相変調器と電界吸収型変調器に与える電気信号を反転してデューティー比を変える電気回路から構成された光送信装置。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 24 having a dummy layer 14, a p type Al(Ga)InAs lower light lockup layer 16, AlGaInAs multiple quantum well active layer 18 and an n type Al(Ga)InAs upper light lockup layer 20 is formed on a p type InP substrate 10.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１０上に、ダミー層１４、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ下光閉込層１６、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１８、ｎ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ上光閉込層２０を有する半導体積層構造２４を形成する。 - 特許庁

An n-type AlGaInP first clad layer 104, an undoped GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 105, a p-type AlGaInP second clad layer 106 and a p-type GaAs cap layer 108 are arranged in this order from an n-type GaAs substrate 101 upward.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。 - 特許庁

The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加

素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands.例文帳に追加

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる光導波路７を設けた絶縁性基板１上に、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ２を少なくとも集積化する。 - 特許庁

Another embodiment employs a multiple quantum well structure of the same material, having an active layer and an optical guide layer adjacent thereto with a barrier layer having a composition wavelength of less than 1200 nm, and the optical guide layer has a composition wavelength substantially equal to or shorter than that of the barrier layer.例文帳に追加

更に別な形態は、同材料系の多重量子井戸を活性層とそれに接する光ガイド層をもつ構造において、障壁層の組成波長を１２００ｎｍ未満とし、光ガイド層の組成波長を障壁層と実質的に同じまたは短いものとする。 - 特許庁

Another embodiment is a structure having an active layer employing a multiple quantum well structure of the same material and an optical guide layer adjacent thereto, with a barrier layer whose composition wavelength is shorter than 1,200 nm, and the optical guide layer has a composition wavelength substantially equal to or shorter than that of the barrier layer.例文帳に追加

更に別な形態は、同材料系の多重量子井戸を活性層とそれに接する光ガイド層をもつ構造において、障壁層の組成波長を１２００ｎｍ未満とし、光ガイド層の組成波長を障壁層と実質的に同じまたは短いものとする。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a multiple quantum well layer formed of an AlGaAs-based material and is improved in COD level using an end surface window structure to improve an output of emitted infrared light, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

多重量子井戸層がＡｌＧａＡｓ系材料によって構成され、赤外光を出射する半導体レーザ素子において、端面窓構造を用いてＣＯＤレベルを向上させることができ、出力の向上された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has a laminated structure in which an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22 serving as a light-emitting layer, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron stopping layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated in this order from the side of the GaN monocrystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

An optical core 110 is formed on an intermediate layer 106 by an epitaxial layer growth, then a multiple quantum well 112 is formed adjacent to the optical core 110, and then an outside structure 116 including a total internal, reflecting body is formed, thereby a ring laser system 300 is configured.例文帳に追加

中間層１０６の上に光コア１１０をエピタキシャル層成長により形成し、前記光コア１１０に隣接して多重量子井戸１１２を形成し、そして内部全反射体を含む外側構造体１１６を形成して構成されるリングレーザシステム３００を提供する。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁