「nanotopology」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thus, the auto-doping phenomenon can be prevented and further, the nanotopology on the front and rear sides of the epitaxial wafer can be improved.例文帳に追加

これにより、オートドープ現象を防止でき、しかもエピタキシャルウェーハの表裏面のナノトポロジーを改善できる。 - 特許庁

To reduce dust adhered to the surface of an object to be polished, to reduce scratches while ensuring a high flattening property and further to eliminate microscopic irregularity of a semiconductor wafer itself before finishing, that is, to correct defects expressed as waviness, nanotopology or the like by a simple polishing method.例文帳に追加

被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低減を果たし、更に平坦化特性をも両立させること、さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー自身の微細な凹凸、即ちwavinessや、nanotopologyなどと表現される欠陥を簡単な研磨方法で取り除くことをその課題とする。 - 特許庁

To decrease dust adherence to surface of a polishing object, to reduce scratches, to simultaneously realize a flatting property, and to eliminate microscopic irregularity of a semiconductor wafer itself before uneven part machining, namely defects expressed as waviness or nanotopology, by a simple polishing method.例文帳に追加

被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低減を果たし、更に平坦化特性をも両立させること、さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー自身の微細な凹凸、即ちwavinessや、nanotopologyなどと表現される欠陥を簡単な研磨方法で取り除くことをその課題とする。 - 特許庁

To decrease dust adherence to a surface of a polishing object, to reduce scratches, to simultaneously realize a flatting property, and to eliminate microscopic irregurality of a semiconductor wafer itself before uneven part machining, namely defects expressed as waviness or nanotopology, by a simple polishing method.例文帳に追加

被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低減を果たし、更に平坦化特性をも両立させること、さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー自身の微細な凹凸、即ちwavinessや、nanotopologyなどと表現される欠陥を簡単な研磨方法で取り除くことをその課題とする。 - 特許庁

To reduce dust attachment to a surface of an article to be polished, to reduce scratches, to provide a flattening characteristic in common and to remove defects of fine irregularities of a semiconductor wafer before irregularity working itself expressed as waviness, nanotopology, etc., under a simple polishing method.例文帳に追加

被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低減を果たし、更に平坦化特性をも両立させること、さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー自身の微細な凹凸、すなわちｗａｖｉｎｅｓｓや、ｎａｎｏｔｏｐｏｌｏｇｙなどと表現される欠陥を簡単な研磨方法で取り除くことをその課題とする。 - 特許庁