ndを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1108件
K_3LuF_6 contains a rare earth element other than Lu, particularly at least one selected from Nd, Er and Tm.例文帳に追加
また、該フッ化物からなり、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療(眼科治療、DNA切断)等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子、及び低バックグラウンドノイズのダイヤモンド受光素子やAlGaN受光素子を、従来の光電子増倍管の代替として組み込んだ小型の放射線検出器に好適に使用できる真空紫外発光シンチレーターを提供する。 - 特許庁
The apparatus for detecting radiation for taking out radiation as electric signals includes: a scintillator for converting incident radiation into ultraviolet rays of wavelength of ≤220 nm, or comprising a LaF_3 crystal doped with Nd and a metal fluoride crystal like barium fluoride emitting core valence; and a diamond thin film sensor for guiding the ultraviolet rays emitted by the scintillator to convert the ultraviolet rays into electric signals.例文帳に追加
入射した放射線を波長が220nm以下の紫外線に変換する、NdをドープしてなるLaF_3結晶、或いはコアバレンス発光するフッ化バリウムの如き金属フッ化物結晶からなるシンチレーターと、シンチレーターが発する紫外線を導いて紫外線を電気信号に変換するダイヤモンド薄膜センサーとを具備し、そして放射線を電気信号として取り出すことを特徴とする放射線検出装置である。 - 特許庁
The ND filter wherein a layer which has a first area having a fixed transmittance and a second area having a continuously changing transmittance is formed on na substrate is manufactured by depositing raw material of the layer on the substrate through masks 4a, 4b, and 4c having parts which are brought into close contact with the substrate to cover the substrate and parts which are held in positions spaced from the substrate by prescribed gaps.例文帳に追加
透過率が一定な第1の領域と、透過率が連続的に変化する第2の領域とを有する層を基板3に形成するNDフィルターを、前記基板に密着して前記基板を覆う部分と前記基板から所定の間隔離れた位置に保持され前記基板を覆う部分とを有するマスク4a、4b、4cを介して、前記層の原材料を前記基板に堆積させるようにして製造する。 - 特許庁
In the method for preparing a transistor having a semiconductor containing source and drain regions and a channel formation regions, a gate insulated film in contact with the semiconductor, and a gate electrode in contact with the gate insulated film; the source and drain regions are formed by adding N or P type impurities in the semiconductor and then radiating an Nd: YAG laser beam onto the semiconductor having the impurities added therein.例文帳に追加
ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体、該半導体に接したゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜に接したゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、半導体にN型もしくはP型の不純物を添加した後、前記不純物が添加された半導体にNd:YAGレーザー光を照射して形成されることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 特許庁
A display device includes wiring including a first layer containing a thermoresistant conductive material and a second layer containing Al and Nd in a terminal portion of an active matrix substrate used for the display device, and a transparent conductive film electrically connected to the wiring, wherein the transparent conductive film is electrically connected through an anisotropical conductive material to a circuit provided on a substrate different from the active matrix substrate.例文帳に追加
表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、耐熱性導電性材料を含有する第1の層と、Al及びNdを含有する第2の層と、を含む配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁
The scintillator is composed of a fluoride single crystal composed of lutetium fluoride containing at least one element selected from Nd, Er and Tm.例文帳に追加
Nd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなることを特徴とするフッ化物単結晶、該フッ化物単結晶からなることを特徴とするシンチレーターであって、該フッ化物単結晶は、例えば、少なくともフッ化ルテチウムとアルカリ金属フッ化物とを混合してなる原料混合物にNd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素のフッ化物を添加し、溶融して原料融液とし、該原料融液より引上げ法を用いてフッ化物単結晶を成長せしめる際に、成長速度を下式で表わされるv_max以下として得る。 - 特許庁
The ND filter is formed of a composition (X) including a thermoplastic resin (A) whose light transmittance at 380-780 nm wavelength in 1 mm thickness is ≥85%, a metal oxide and/or a metal nitride (B) of 10-80 nm primary particle size having absorption in the visible light region, and an infrared absorbent (C).例文帳に追加
本発明のNDフィルターは、厚さ1mmにおける波長380〜780nmにおける光線透過率が85%以上の熱可塑性樹脂(A)と、一次粒子径10〜80nmの可視光領域に吸収をもつ金属酸化物および/または金属窒化物(B)と、赤外線吸収剤(C)とを含有する組成物(X)から形成されるNDフィルターであって、波長400〜700nmにおける光線透過率の平均値T(ave)_(400-700)に対して、光線透過率の最小値T(min)_(400-700)と最大値T(max)_(400-700)が下記式(1)および式(2)を満たすことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a rare earth magnet which has an improved homogeneity in the distribution of R-rich phase in a magnet and excellent magnetic properties, by manufacturing an alloy ingot with a microstructure excellent in homogeneity through effectively suppressing generation of fine R-rich phase region in a R-T-B type alloy ingot represented by Nd-Fe-B type alloy.例文帳に追加
Nd−Fe−B系合金に代表されるR−T−B系合金塊中での微細Rリッチ相領域の生成を効果的に抑制し、均質性に優れた組織を有する合金塊を製造することにより、磁石中のRリッチ相の分布の均質性を高め、磁石特性の優れた希土類磁石を提供することができる希土類含有合金薄片の製造方法、希土類磁石用合金薄片、希土類焼結磁石用合金粉末、希土類焼結磁石、ボンド磁石用合金粉末、及びボンド磁石を提案する。 - 特許庁
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