「o Ru」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Ru-M-O FINE POWDER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THICK FILM RESISTOR COMPOSITION USING THE SAME例文帳に追加

Ｒｕ−Ｍ−Ｏ微粉末、その製造方法、及びそれらを用いた厚膜抵抗体組成物 - 特許庁

This invention is characterized in that an oar nearest the front (saizenbu no o-ru) which tends to easily break is made resistant to breakage upon collision by adopting flexible materials for the oar nearest the front (saizenbu no o-ru) used for a boat (such as an "eight" boat) rowed by several people. 例文帳に追加

本発明は数人で漕ぐボート(エイト等)の最前部のオールの素材に、柔軟性のある素材を採用することにより、衝突の際、もっとも破損しやすい最前部のオールを破損しにくくすることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, and a capacitor 3 which includes a film formed on an upper part of the semiconductor substrate and containing Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O, and a dielectric film 20 formed on the film containing Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O, and containing Pb, Zr, Ti and O.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板の上方に設けられ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ及びＯを含有した膜と、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ及びＯを含有した膜上に設けられ且つＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを含有した誘電体膜２０とを含むキャパシタ３とを備えた半導体装置である。 - 特許庁

To provide a TCR-adjustable Ru-Mn-O fine powder with a fine, uniform grain size, which is excellent in dispersibility and suitable for a thick film resistor, its manufacturing method, and a TCR-adjustable thick film resistor composition using the Ru-Mn-O fine powder.例文帳に追加

ＴＣＲの調整が可能であり、微細で粒径が揃っていて分散性に優れ、厚膜抵抗体用として好適なＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末とその製造方法、及びそのＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を用いたＴＣＲの調整可能な厚膜抵抗体組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing Ru-Ti-O fine powder that is suitable for thick-film resistors, has a high specific resistance and a very small uniform particle diameter, and is excellent in dispersibility, and to provide the Ru-Ti-O fine powder manufactured by the method and a thick-film resistor composition that uses the fine powder and is excellent in static discharge resistance.例文帳に追加

厚膜抵抗体に好適な、比抵抗が高く、かつ微細で粒径の揃った分散性に優れたＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末の製造方法、それにより得られるＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末、及びそれを用いた静電気放電の耐性に優れた厚膜抵抗体組成物を提供する。 - 特許庁

The Ru-Mn-O fine powder is manufactured by mixing a Ru compound and an Mn compound with boron oxide or boric acid, subjecting the obtained mixture to a heat-treatment at 500-1,000°C and dissolving and removing boron oxide from the obtained heat-treated product.例文帳に追加

Ｒｕ化合物とＭｎ化合物を酸化ホウ素又はホウ酸と混合し、得られた混合物を５００〜１０００℃で熱処理した後、得られた熱処理物から酸化ホウ素を溶解除去して、Ｒｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を製造する。 - 特許庁

The sputtering target substantially consists of ruthenium (Ru), its sintering density is ≥ 95%, and the content of oxygen (O) and carbon (C) is ≤ 200 ppm, respectively.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの構成を実質的にルテニウム（Ｒｕ）からなり、焼結密度が９５％以上であり、酸素（Ｏ）と炭素（Ｃ）の含有量が共に２００ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

Therefore, the word "bow" which was mistranslated as "senshu (bow/stem/prow)" is hereby corrected to "saizenbu no o-ru (front side of an oar)." 例文帳に追加

したがって、上記bowは本願発明が、ボートのオールに関するものであることを参酌すれば、「最前部のオール」と翻訳すべきであるので「bow」を「船首」と誤訳していたところを「最前部のオール」と誤訳訂正する。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ru-Ti-O fine powder composed of an Ru compound and a Ti compound includes a step (A) of mixing the Ru and Ti compounds with a boron oxide or boric acid, a step (B) of heat-treating the obtained mixture, and a step (C) of removing the boron oxide by dissolution from the obtained heat-treated material.例文帳に追加

Ｒｕ化合物とＴｉ化合物からＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末を製造する方法であって、Ｒｕ化合物とＴｉ化合物を、酸化ホウ素又はホウ酸と混合する工程（Ａ）、得られた混合物を熱処理する工程（Ｂ）、及び得られた熱処理物から酸化ホウ素を溶解除去する工程（Ｃ）を含むことを特徴とするＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末の製造方法などによって提供。 - 特許庁

To provide a Ru-M-O fine powder having high specific resistance and excellent dispersibility with a fine and uniform particle diameter, a method of manufacturing the same and a thick film resistor composition using the same and having excellent static discharge durability .例文帳に追加

比抵抗が高く、かつ微細で粒径の揃った分散性に優れたＲｕ−Ｍ−Ｏ微粉末、その製造方法、及びそれを用いた静電気放電の耐性に優れた厚膜抵抗体組成物を提供する。 - 特許庁

On a magnetic recording medium 10 with a Co-based recording layer 3 for a nonmagnetic substrate 1, a foundation layer 2 comprising Ru and O is formed between the above substrate 1 and the above recording layer 3.例文帳に追加

非磁性の基板１上に、Ｃｏを主成分とする磁気記録層３を有する磁気記録媒体１０において、上記基板１と、上記磁気記録層３との間に、ＲｕおよびＯからなる下地層２を形成する。 - 特許庁

The heteropolyacid anion in the heteropolyacid compound preferably has a composition represented by the formula: Si_1W_11Ru_1O_39 (Si, W, Ru and O are silicon, tungsten, ruthenium and oxygen, respectively).例文帳に追加

このヘテロポリ酸化合物におけるヘテロポリ酸アニオンとしては、Ｓｉ_1Ｗ_11Ｒｕ_1Ｏ_39（式中、Ｓｉ、Ｗ、ＲｕおよびＯは、それぞれケイ素、タングステン、ルテニウムおよび酸素を表す。）で示される組成を有するものが好ましい。 - 特許庁

The capacitor comprises a diffusion stop film 20 that is formed on a substrate 10 and is comprised of the elements of ternary system including ruthenium (Ru), titanium (Ti), and oxygen (O), a lower electrode 30 formed on the diffusion stop film, a dielectric 40 formed on the lower electrode, and an upper electrode 50 formed on the dielectric 40.例文帳に追加

キャパシタは、基板１０上に形成されたルテニウム（Ｒｕ）、チタニウム（Ｔｉ）及び酸素（０）の三元系元素から構成された拡散防止膜２０と、前記拡散防止膜上に形成された下部電極３０、前記下部電極上に形成された誘電体４０及び前記誘電体上に形成された上部電極５０とから構成される。 - 特許庁