「p-type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF AlGaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＡｌＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM TO P-TYPE例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ｐ型半導体結晶の製造方法および発光デバイス - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P TYPE OHMIC JUNCTION TO NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体へのＰ型オーム性接合形成方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層の形成方法および装置 - 特許庁

P-TYPE ZnO SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ半導体膜及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING P-TYPE NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ｐ型窒化物系化合物半導体膜の作製方法 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

Then the trench is buried with a p-type semiconductor 25.例文帳に追加

次いで、トレンチをｐ型半導体２５で埋める。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor having photo-responsibility.例文帳に追加

光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。 - 特許庁

P-TYPE MgZnO-BASED THIN FILM AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及び半導体発光素子 - 特許庁

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層１０を構成する半導体層は、接着剤等にＮ型またはＰ型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層５、またはＮ型とＰ型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁

A p-type semiconductor substrate 11 is prepared, and an n-type semiconductor layer 12 is formed in face to face with the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１を準備し、このｐ型半導体基板１１と対向するようにしてｎ型半導体層１２を形成する。 - 特許庁

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown.例文帳に追加

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。 - 特許庁

The semiconductor layer 24 includes a p+ type semiconductor layer 24c and an n+ type semiconductor layer 24a.例文帳に追加

半導体層２４は、ｐ＋型半導体層２４ｃと、ｎ＋型半導体層２４ａとを備える。 - 特許庁

The semiconductor device might be a combination of the p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

半導体デバイスは、本発明に係るｐ型半導体と、ｎ型半導体とを組み合わせて用いても良い。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has an N-type semiconductor layer 3 laminated on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１では、Ｐ型の半導体基板２上に、Ｎ型の半導体層３が積層されている。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P-TYPE NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型窒化物化合物半導体の作製方法及び半導体デバイス - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF p-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-RESISTANCE P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

低抵抗ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

The upper barrier layer is composed of a p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor, especially an amorphous boron phosphide-based semiconductor.例文帳に追加

特に非晶質のリン化硼素系半導体とする。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type AlGaN clad layer 14 and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

To prevent p-type impurities from mixing into an n-type semiconductor layer and n-type impurities from into a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｎ型半導体層へのＰ型不純物の混入およびＰ型半導体層へのＮ型不純物の混入を防止すること。 - 特許庁

A p-type electrode 46 is formed on the p-type semiconductor layer 45, and an n-type electrode 47 is formed on the n-type semiconductor layer 43.例文帳に追加

ｐ型電極４６がｐ型半導体層４５上に形成されて、ｎ型電極４７がｎ型半導体層４３上に形成される。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

Then, an N-type semiconductor region 7 and a P-type semiconductor region 8 are formed on the N-type flush region 5 and the P-type embedded regions 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６上にＮ型半導体領域７とＰ型半導体領域８を形成する。 - 特許庁

A p-type buffer layer 12, a p-type semiconductor layer 14, an n-type semiconductor layer 16, a p-type semiconductor layer 18, an n-type semiconductor layer 20, and an n-type semiconductor layer 30 serving as a light absorbing layer are successively laminated on a p-type substrate 10 to form a pnpn structure.例文帳に追加

ｐ形基板１０上に、ｐ形バッファ層１２，ｐ形半導体層１４，ｎ形半導体層１６，ｐ形半導体層１８，ｎ形半導体層２０、光吸収層であるｎ形半導体層を順次積層し、ｐｎｐｎ構造を作る。 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer is preferably composed of p-type gallium nitride (GaN).例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

An insulating layer 222 is provided between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。 - 特許庁

The p-type NiO_x film 8a is formed to make up a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａは、ｐ型半導体になるように形成されている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁

By this setup, P-type layers 117a and 117b are formed on the surface of the P-type semiconductor substrate 111.例文帳に追加

これにより、Ｐ型半導体基板１１１表面にｐ型層１１７ａ，１１７ｂが形成される。 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor where a p-type impurity is doped into a low-resistance p-type.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁