「p-type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

By embedding a p-type semiconductor 27 in the trenches in this state, the surface of the mask laminated film is prevented from being covered with the p-type semiconductor 27.例文帳に追加

この状態で、トレンチ内をｐ型半導体２７で埋め込むことで、マスク積層膜の表面にｐ型半導体２７が覆い被さるのを防ぐ。 - 特許庁

A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加

半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with a high activating rate of a p-type impurity element and having a p-type semiconductor layer with low resistivity.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least the channel-side of the transfer gate electrode 248 is formed of a p-type semiconductor or a substance, having work function corresponding to the p-type semiconductor.例文帳に追加

この転送ゲート電極２４８を、少なくともそのチャネル側がｐ型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a buried p^+ type semiconductor region 50 is formed while being spaced apart by a distance L1 from the p^+ type semiconductor region 48.例文帳に追加

また、ｐ^+型半導体領域４８から距離Ｌ１を隔てて埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０を形成する。 - 特許庁

The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.例文帳に追加

第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 - 特許庁

On the inner wall of the holes 16 inside the p-type semiconductor clad layer 12 and the n-type semiconductor clad layer 13, an oxidized region 17 is formed.例文帳に追加

そして、p型半導体クラッド層１２及びn型半導体クラッド層１３内の空孔１６の内壁に酸化領域１７を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor thin film (11) is in contact with the p-type semiconductor substrate (3) in p-n manner, thus forming a protective diode.例文帳に追加

ｎ型半導体薄膜（１１）はｐ型半導体基板（３）にｐｎ接触して保護ダイオードを形成している。 - 特許庁

After a p-type high-concentration semiconductor layer 21 is grown, the heat treatment 25 of the p-type high-concentration semiconductor layer 21 is carried out.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a p-type semiconductor layer in which the activation rate of a p-type impurity element is high, and the specific resistance is low.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p^+-type semiconductor region 17 is formed in a semiconductor substrate 11 by introducing a p-type impurity into the substrate 11 from one main surface SA of the substrate 11.例文帳に追加

半導体基体１１の一方の主面ＳＡからＰ型不純物を導入し、Ｐ^＋型半導体領域１７を形成する。 - 特許庁

Edges of the p-type semiconductor layers are exposed, so that the parasitic capacitance in the edge of the p-type semiconductor layer will not be formed.例文帳に追加

ｐ型半導体層のエッジ部が露出しているので、ｐ型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。 - 特許庁

The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13.例文帳に追加

半導体基体２０は、Ｐ型半導体基板１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成されたＮ^−型半導体領域１３と、Ｎ^＋型半導体領域１４と、Ｎ^−型半導体領域１３を介してＮ^＋型半導体領域１４と対向するＰ^＋型半導体領域１５とを有する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING P-TYPE ELECTRODES OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型電極形成方法 - 特許庁

HEAT TREATING METHOD FOR P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法 - 特許庁

CARBON MONOXIDE GAS SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

一酸化炭素ガスセンサ、及びＰ型半導体の製造方法 - 特許庁

The mesa structure part is formed on the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に設けられている。 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE OF p-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 - 特許庁

An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。 - 特許庁

An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。 - 特許庁

SUPER-FLAT P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR NiO SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

超平坦ｐ型酸化物半導体ＮｉＯ単結晶薄膜 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

P-TYPE ACTIVATING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor which shows clear p-type conduction.例文帳に追加

明確なｐ型伝導を示す酸化物半導体を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 17 has a surface layer containing p-type impurities.例文帳に追加

半導体層１７は、ｐ型不純物を含有している表層を有する。 - 特許庁

p-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁

The p-type organic semiconductor film (6) acts to improve collapse.例文帳に追加

このｐ型有機半導体膜（６）の働きでコラプスが改善される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH P TYPE RE-GROWN CHANNEL LAYER例文帳に追加

Ｐ型の再成長したチャネル層を有する半導体トランジスタ - 特許庁

Impurity in a p-type semiconductor layer is activated by plasma.例文帳に追加

プラズマによりｐ型半導体層中の不純物を活性化する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INSULATING FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

To form a p-type group III nitride semiconductor on a desired region.例文帳に追加

所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。 - 特許庁

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法および発光素子 - 特許庁

And a substrate electrode 5 is provided on the back of the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体基板１の裏面に基板電極５を備える。 - 特許庁

Etching apertures 4 are disposed around the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

ｐ型半導体層３の周囲には、エッチング開口部４が設けられている。 - 特許庁

Further, it is desired that the p-type semiconductor layer is porous.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層は、多孔質体であることが望ましい。 - 特許庁

An insulating film 13 is formed on the P type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１２上には、絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

At the same time, the second trench is filled with a p-type semiconductor 28.例文帳に追加

同時に、第２のトレンチがｐ型半導体２８で埋められる。 - 特許庁

FORMING METHOD OF OXIDE FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

An n well 3 is formed on one of principal planes of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の一方主面にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁