「"p-type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

It is desired that the p-type semiconductor layer includes an inorganic p-type semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体層は、無機ｐ型半導体材料を含むことが望ましい。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR SrCu2O2 SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

Ｐ形半導体ＳｒＣｕ２Ｏ２単結晶の製造方法 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型半導体及び半導体デバイス - 特許庁

The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。 - 特許庁

ULTRAVIOLET-EMITTING DEVICE USING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型半導体を用いた紫外発光素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ｐ型半導体結晶の製造方法および発光デバイス - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層の形成方法および装置 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

Then the trench is buried with a p-type semiconductor 25.例文帳に追加

次いで、トレンチをｐ型半導体２５で埋める。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor having photo-responsibility.例文帳に追加

光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

The anode includes a first p-type semiconductor anode region 204 and a second p-type semiconductor anode region 206.例文帳に追加

陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。 - 特許庁

Since the output potential LV is applied to a P-type semiconductor substrate 10, the potential of the P-type semiconductor substrate becomes -VDD.例文帳に追加

出力電位ＬＶはＰ型半導体基板１０に印加されるので、Ｐ型半導体基板１０の電位は−ＶＤＤになる。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

ｐ型半導体材料、半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びｐ型半導体材料の製造方法 - 特許庁

Then, the p-type semiconductor region 3a is polished by a predetermined thickness whereby a p-type semiconductor region 3 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型半導体領域３ａを所定の厚さだけ研磨することにより、ｐ型半導体領域３を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed on an n^+-type substrate 1, and a trench 12 is formed on the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋型基板１の上にＰ型半導体層１１を形成し、Ｐ型半導体層１１にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor substrate 11 is prepared, and an n-type semiconductor layer 12 is formed in face to face with the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１を準備し、このｐ型半導体基板１１と対向するようにしてｎ型半導体層１２を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

By embedding a p-type semiconductor 27 in the trenches in this state, the surface of the mask laminated film is prevented from being covered with the p-type semiconductor 27.例文帳に追加

この状態で、トレンチ内をｐ型半導体２７で埋め込むことで、マスク積層膜の表面にｐ型半導体２７が覆い被さるのを防ぐ。 - 特許庁

At least the channel-side of the transfer gate electrode 248 is formed of a p-type semiconductor or a substance, having work function corresponding to the p-type semiconductor.例文帳に追加

この転送ゲート電極２４８を、少なくともそのチャネル側がｐ型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。 - 特許庁

Furthermore, a buried p^+ type semiconductor region 50 is formed while being spaced apart by a distance L1 from the p^+ type semiconductor region 48.例文帳に追加

また、ｐ^+型半導体領域４８から距離Ｌ１を隔てて埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０を形成する。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁

The molar ratio of titanium oxide and the P-type semiconductor is, for example, 99:1-50:50 and, as the P-type semiconductor, for example, there is an oxide semiconductor, or a compd. semiconductor.例文帳に追加

酸化チタンとp型半導体のモル比は、例えば、99:1〜50:50の範囲であり、p型半導体は、例えば、酸化物半導体または化合物半導体である。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

Edges of the p-type semiconductor layers are exposed, so that the parasitic capacitance in the edge of the p-type semiconductor layer will not be formed.例文帳に追加

ｐ型半導体層のエッジ部が露出しているので、ｐ型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

CARBON MONOXIDE GAS SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

一酸化炭素ガスセンサ、及びＰ型半導体の製造方法 - 特許庁

The mesa structure part is formed on the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に設けられている。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 6 is deposited on a P type semiconductor substrate 5.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板５上にＮ型エピタキシャル層６を堆積する。 - 特許庁

An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。 - 特許庁

A p-type electrode 230 is provided above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。 - 特許庁

An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF p-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

A P well 4 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板７の表面にＰウェル４が形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。 - 特許庁

The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加

p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。 - 特許庁

Impurity in a p-type semiconductor layer is activated by plasma.例文帳に追加

プラズマによりｐ型半導体層中の不純物を活性化する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INSULATING FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁