「"p-type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The hollow region 30 is provided extending over the entire low-breakdown voltage element region of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

また，中空領域３０は，Ｐ型半導体基板１のうちの低耐圧素子領域内全体にわたって設けられている。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form an interface 17, thereby constituting a non-alloy electrode.例文帳に追加

金属層１５とｐ型半導体領域１３とは界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁

The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form the interface 17, thereby constituting the non-alloy electrode.例文帳に追加

金属層１５とｐ型半導体領域１３とは、界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁

In each cell region 24, a level difference exists between the interlayer insulating film 22 and the n+ semiconductor layer 14 and p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

各セル領域２４において層間絶縁膜２２とｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２との間に段差が存在する。 - 特許庁

Irregular unevenness 11 is formed on the surface of the p^+-type semiconductor region 7 (the first principal surface 1a of the silicon substrate 1).例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminate structure 2 is formed by laminating an n-type semiconductor layer 11, a luminescent layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

The inorganic oxide forming the shell layer of the p-type semiconductor is NiO, CoO, CuO, Ta2O5, HfO2, etc.例文帳に追加

ｐ型半導体であるシェル層を構成する無機酸化物としては、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２などである。 - 特許庁

Electrons emitted from the negative electrode 10 side are accelerated as ballistic electrons by the electric field in the MgO layer 30 and implanted into the p-type semiconductor layer 40.例文帳に追加

陰極１０側から放たれた電子をＭｇＯ層３０内の電界で加速して弾道電子とし、ｐ型半導体層４０に打ち込む。 - 特許庁

To provide an organic n-type semiconductor material having improved solubility in an organic solvent and great linking ability to a p-type semiconductor.例文帳に追加

有機溶媒への溶解性が改善され、かつｐ型半導体への高い接合性を有する有機ｎ型半導体材料の提供。 - 特許庁

A photoelectric conversion portion includes the P-type semiconductor region 110 and the N-type semiconductor region 119.例文帳に追加

光電変換部は、Ｐ型半導体領域１１０とＮ型半導体領域１１９を含んで構成される。 - 特許庁

The band gap of the current constricting layer 16 is larger than that of the p-type semiconductor region 18.例文帳に追加

電流狭窄層１６のバンドギャップは、ｐ型半導体領域１８のバンドギャップより大きい。 - 特許庁

A principal plane 13a of a p-type semiconductor region 13 extends along a plane inclined to a (c) axis (<0001> axis) of hexagonal group III nitride.例文帳に追加

ｐ型半導体領域１３の主面１３ａは該六方晶系III族窒化物のｃ軸（＜０００１＞軸）に対して傾斜した平面に沿って延在する。 - 特許庁

Also preferably, the compound semiconductor is a nano-sized granular material preferably having a p-type semiconductor attached on the surface thereof.例文帳に追加

また、化合物半導体としては、ナノサイズの粒状物であることが好ましく、その表面にｐ型半導体が付着していることが好ましい。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 111 having a higher concentration than the P-type well 107 is arranged below the N-type semiconductor region 110.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed by a p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and an n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３により発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

The first transistor M1 is also a floating MOSFET formed in an N-type well on a P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１はＰ型半導体基板に形成されたＮ型ウェル内に形成されたフローティングＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

The photodiode may also have a p-type semiconductor material which is formed adjacent to a first surface of the first region which is highly doped.例文帳に追加

当該フォトダイオードはまた、前記第1領域の第1面に隣接して形成される高濃度ドーピングされたp型半導体材料をも有して良い。 - 特許庁

The active region R1' is surrounded by a separation region formed on the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’は、Ｐ型の半導体５２に形成された分離領域によって囲まれたものである。 - 特許庁

By using the insulation film 13 as a mask, a trench 2 is formed, and a p-type semiconductor layer 14 is grown epitaxially.例文帳に追加

絶縁膜１３をマスクとしてトレンチ２を形成し、ｐ型半導体層１４をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A reflection layer 16 is formed on end surfaces 14 of the p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３の端面１４に反射層１６を形成する。 - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５は、Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a copper-oxide (I) film having the performance of a p-type semiconductor and a manufacturing method of a solution for creating the film.例文帳に追加

ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 110 for collecting holes is arranged on a top surface of a PD forming substrate 101.例文帳に追加

ＰＤ形成基板１０１の表面にホールが収集されるＰ型半導体領域１１０が配される。 - 特許庁

An electrothermal conversion element and a switching element for energizing the same are integrated on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気熱変換素子とそれに通電するためのスイッチング素子とがｐ型半導体基体１に集積化されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of forming a first N-type semiconductor diffused layer 6 in a shallow region (small sectional area) on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の浅い領域（断面積が小さい）に第１Ｎ型半導体拡散層６を形成する。 - 特許庁

Concretely, in the case of 0<a<5, it exhibits the properties as those of an N type semiconductor, and, in the case of 5<a<16/3, it exhibits the properties as those of a P type semiconductor.例文帳に追加

具体的には０＜a＜５の場合にＮ型半導体としての性質を示し、５＜a＜１６／３の場合にＰ型半導体としての性質を示す。 - 特許庁

The first conductive region is composed of an n-type semiconductor and the second conductive region is composed of a p-type semiconductor, whereby the occurrence of potential gradient is suppressed.例文帳に追加

また、第１の導電領域をｎ型、第２の導電領域をｐ型半導体で構成して電位勾配の発生をおさえる。 - 特許庁

Respective refractive indexes of the plurality of reflection preventing film constituting layers become smaller as a layer becomes remote from the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

複数の反射防止膜構成層の夫々の屈折率は、ｐ型半導体基板１から離れる程小さい。 - 特許庁

In this solid-state image pickup element, a vertical transfer channel 30 is constituted, by forming an N-type region on a P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板上にＮ型領域が形成されて垂直転送チャネル３０が構成される。 - 特許庁

The heavily doped regions 11 are constituted of p-type semiconductor regions where first conductivity type impurity same as the base regions 4 is introduced.例文帳に追加

高濃度領域１１は、ベース領域４と同じ第１導電型の不純物が導入されたｐ型の半導体領域から構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device is a method of forming an SiO_2 film 11, which becomes a gate insulating film of high breakdown voltage MOS, in a whole surface of p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の全面に高耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜となるＳｉＯ_２膜１１を形成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent the surface of the dividing part 25 in the p type semiconductor layer 23 from being inverted to n type.例文帳に追加

こうして、ｐ型半導体層２３における分割部２５の表面がｎ型に反転することを防止する。 - 特許庁

The second lamination layer 120 includes a p-type semiconductor layer 125 formed in contact with a sidewall of a gate insulating layer 124.例文帳に追加

第２積層部１２０は、ゲート絶縁層１２４の側壁に接して設けられたｐ−型半導体層１２５を備える。 - 特許庁

Therefore, incident light is made to impinge direct on a depletion layer without passing through the high-concentration P-type semiconductor region 13.例文帳に追加

このため、照射された光は、高濃度ｐ型の半導体領域１３を経ずに、直接、空乏層に入射する。 - 特許庁

Since the corner 16e does not come into contact with the p-type semiconductor layer 14, a crack thus occurred is prevented from becoming a leak path.例文帳に追加

この角部１６ｅが、ｐ型半導体層１４に非接触であることにより、発生したクラックがリークパスとなることが抑制される。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

This p-well 14' is connected to the p-type semiconductor substrate 22 via the p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このＰウェル１４’は、安定したゼロ電位をとるために、Ｐウェル２５を介して、Ｐ型半導体基板２２に接続されている。 - 特許庁

This p-well 13' is connected to a p-type semiconductor substrate 22 via a p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このＰウェル１３’は、安定したゼロ電位をとるために、Ｐウェル２５を介して、Ｐ型半導体基板２２に接続されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a p-type semiconductor layer in which the activation rate of a p-type impurity element is high, and the specific resistance is low.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Immediately below the window 107, the p-type semiconductor is arranged in almost parallel with the metallic sheet 108 at an interval of, for example, about 20 mm from the window 107.例文帳に追加

ビーム取出し窓１０７の直下に、例えば２０mm程度の間隔を空けて、ｐ型半導体を金属板１０８と略平行に配置する。 - 特許庁

A plurality of this kind of p-type semiconductor areas are disposed repeatedly in a light advancing direction of the optical modulator waveguide.例文帳に追加

このｐ型半導体領域は、光変調導波路の光進行方向に繰り返し複数配置される。 - 特許庁

A p^+-type semiconductor region 17 is formed in a semiconductor substrate 11 by introducing a p-type impurity into the substrate 11 from one main surface SA of the substrate 11.例文帳に追加

半導体基体１１の一方の主面ＳＡからＰ型不純物を導入し、Ｐ^＋型半導体領域１７を形成する。 - 特許庁

An electrothermal conversion element and a switching element for flowing electric current through it are integrated on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気熱変換素子とそれに通電するためのスイッチング素子とがｐ型半導体基体１に集積化されている。 - 特許庁