「"p-type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

5B element is contained as a major compound element on an interface (middle layer 104), between the p-type semiconductor layer 103 and the p-side electrode 105.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 11 is formed on one side of pn junction, and an n-type semiconductor region 12 is formed on the other side.例文帳に追加

ｐｎ接合の一方の側にはｐ型半導体領域１１が形成されており、他方の側にはｎ型半導体領域１２が形成されている。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

Thereafter, a P type semiconductor layer 34 is buried in the recess 33 for body region by epitaxial growth or CVD.例文帳に追加

その後、エピタキシャル成長法またはＣＶＤ法により、ボディ領域用凹部３３に、Ｐ型の半導体層３４が埋設される。 - 特許庁

The main switching element 60 and the heat sensitive element 70 are formed on the same p^--type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

主スイッチング素子６０と感熱素子７０とが同一のＰ^−型半導体基板１上に形成されている。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MAKING P-TYPE SEMICONDUCTOR THEREFROM, INSULATION SEPARATION METHOD, AND TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体のｐ型化方法、絶縁分離方法、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体、及びそれを用いたトランジスタ - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes: a light-emitting layer 10; an n-type semiconductor layer 11; and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

An N^- type semiconductor layer 10 and a P^- type semiconductor layer 20 on which a silicide layer 20s is formed on a surface thereof are formed on an insulator 9.例文帳に追加

Ｎ^−型半導体層１０と、シリサイド層２０ｓがその表面に形成されたＰ^−型半導体層２０とが、絶縁体９上に形成される。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a structure, in which a p-type semiconductor substrate 1 and an n-type bulk layer 2 are pasted together.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｐ型半導体基板１とＮ型バルク層２とが貼り合わされた構造を有している。 - 特許庁

The second n-type semiconductor layer 19 is formed between the active layer 15 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９は、活性層１５とｐ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

Since the potential of the P-type semiconductor substrate 10 is -VDD, the positive potential generating charge pump circuit 111 operates normally.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１０の電位は−ＶＤＤになっているので、正電位発生チャージポンプ回路１１１は正常に動作する。 - 特許庁

The electrode 27 is formed on the P-type semiconductor region 10 with an insulating film 28 therebetween, and is electrically connected to the gate electrode 21.例文帳に追加

電極２７は、Ｐ型半導体領域１０上に絶縁膜２８を介して形成され、かつゲート電極２１と電気的に接続されている。 - 特許庁

A first resistance element 20 formed by an n-type semiconductor and a second resistance element 22 formed by a p-type semiconductor are connected in series.例文帳に追加

Ｎ形半導体からなる第１の抵抗素子２０及びＰ形半導体からなる第２の抵抗素子２２は、直列接続されている。 - 特許庁

In a light emitting diode 100, an upper face (contact face 103a) of the p-type semiconductor layer 103 is immersed in electrolyte 2.例文帳に追加

発光ダイオード１００は、少なくとも上記のｐ型半導体層１０３の上面（コンタクト面１０３ａ）が電解液２に浸されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with a high activating rate of a p-type impurity element and having a p-type semiconductor layer with low resistivity.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The P-type semiconductor region 14 is formed simultaneously with the formation of a p^- impurity region and a p^+ impurity region of another transistor.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１４は、他のトランジスタのｐ-不純物領域およびｐ+不純物領域を形成する際に同時に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor region 12, first easy breakdown region 17a, and capacitor electrode 20, form a leak path.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１２と第１易破壊領域１７ａとキャパシタ電極２０とは、リークパス部を構成する。 - 特許庁

An anode electrode 18 is provided on the p type semiconductor region 16 and, finally, a cathode electrode 19 is provided beneath the low resistant substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６にアノード電極１８を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１９を設ける。 - 特許庁

Each of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region is exposed at the side face of the semiconductor lamination layer part 5.例文帳に追加

半導体積層部５の側面には、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域のそれぞれが露出している。 - 特許庁

METHOD FOR PREPARING CRYSTAL THIN FILM OF P-TYPE SEMICONDUCTOR OF GALLIUM NITRIDE BY DUAL PULSED LASER VAPOR DEPOSITION PROCEDURE AND THIN FILM PREPARED BY THE SAME METHOD例文帳に追加

デュエルパルスレーザ蒸着手法による窒化ガリウムのｐ型半導体の結晶薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜 - 特許庁

Regions 12a, 16a are formed like thin lines at a p-type semiconductor 12 and an n-type semiconductor 16.例文帳に追加

Ｐ型半導体１２及びＮ型半導体１６には、細線状の領域１２ａ、１６ａが形成されている。 - 特許庁

On the inner wall of the holes 16 inside the p-type semiconductor clad layer 12 and the n-type semiconductor clad layer 13, an oxidized region 17 is formed.例文帳に追加

そして、p型半導体クラッド層１２及びn型半導体クラッド層１３内の空孔１６の内壁に酸化領域１７を形成する。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor which has a high electric conductivity and is transparent to visible lights, and to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加

高い電気伝導度を有し、かつ可視光に対して透明であるｐ型半導体、及びこれを用いた半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

The MOS transistors NSW1-NSW5 are materialized by triple well structure made on a p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＮＳＷ１〜ＮＳＷ５は、ｐ型の半導体基板に形成されたトリプルウェル構造により実現される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting part.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

A first n-type conductive region 2 and a second n-type conductive region 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

A light emitting diode(LED) 20 is composed of an n-type semiconductor 21, a p-type semiconductor 22, an anode electrode 23 and a cathode electrode 24.例文帳に追加

発光ダイオ−ド（ＬＣＤ）２０は、ｎ形半導体２１、ｐ形半導体２２、アノ−ド電極２３、カソ−ド電極２４とで形成される。 - 特許庁

In this case, the total impurity quantity of the p-type semiconductor area 210 is made larger than that of the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

この場合には、ｐ型半導体領域２１０の総不純物量がｎ型半導体領域２２０の総不純物量よりも多くなるようにする。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 103, at least one of a lattice constant and a coefficient of thermal expansion differs from that of the silicon substrate 101.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０３は、シリコン基板１０１に対して格子定数および熱膨張係数のうち少なくとも１つが異なる。 - 特許庁

A contact metal layer is formed between the reflective layer and a p-type semiconductor layer 5 to obtain low-contact resistance.例文帳に追加

反射層とｐ型半導体層５の間にコンタクトメタル層を形成し低接触抵抗を実現する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 45 is formed as a pocket region below a channel forming region 25 in a memory cell forming region.例文帳に追加

メモリセル形成領域のチャネル形成領域２５の下部にポケット領域としてｐ型半導体領域４５を形成する。 - 特許庁

A laser element structure composed of an N-type semiconductor 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor 14 is formed on a semiconductor board 11.例文帳に追加

半導体基板１１上には、ｎ型半導体部１２と、活性層１３と、ｐ型半導体部１４とからなるレーザ素子構造体が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device having a structure which does not require process of p-type semiconductor for confinement of current.例文帳に追加

電流の閉じ込めのためにｐ型半導体の加工を必要としない構造を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An extension drain region 101 comprising an n-type impurity layer is formed at a p-type semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１００にはｎ型不純物層からなる延長ドレイン領域１０１が形成されている。 - 特許庁

A thermoelectric conversion element 8 comprises an N-type semiconductor region 13, a P-type semiconductor region 14, and metal wires 12a to 12c.例文帳に追加

熱電変換素子８は、Ｎ型半導体領域１３、Ｐ型半導体領域１４および金属配線１２ａ〜１２ｃから構成される。 - 特許庁

To improve high-frequency characteristic by eliminating parasitic capacitance on the side surface of a p-type semiconductor layer in a protective diode formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に作成された保護ダイオードにおけるｐ型半導体層の側面での寄生容量をなくし、高周波特性を向上させる。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, ITS MANUFACTURING DEVICE, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ｐ型半導体材料、その作製方法、その作製装置、光電変換素子、発光素子、および薄膜トランジスタ - 特許庁

To efficiently lower the electrical resistance of a p-type semiconductor or the driving voltage of a semiconductor element that exerts light emitting/ receiving actions, etc.例文帳に追加

ｐ型半導体の電気抵抗、或いは、発光／受光作用等を奏する半導体素子の駆動電圧を効率よく低下させること。 - 特許庁

Preferably, the RESURF structure has a RESURF layer having n-type conductivity formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたｎ型の導電型を有するリサーフ層を備える。 - 特許庁

A nanostructure includes arrays of two kinds of nanowires comprising n-type and p-type semiconductor materials.例文帳に追加

ナノ構造体は、それぞれｎ型及びｐ型の半導体材料からなる２つのナノワイヤのアレイを備える。 - 特許庁

A first electrode 19 is provided on the p-type semiconductor region 16, and a second electrode 20 is provided to the low resistivity substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６の上に第１の電極１９を設け、低抵抗性基板１１に第２の電極２０を設ける。 - 特許庁