「"p-type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type semiconductor layer 10 is electrically connected to the electrode pad 1 through a via 11.例文帳に追加

そして、ｐ型半導体層１０は、ビア１１を介して電極パッド部１と電気的に接続されている。 - 特許庁

A plurality of deep N type well regions 12 are formed in one P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

１つのＰ型の半導体基板１１にＮ型の深いウェル領域１２を複数個形成する。 - 特許庁

The thermoelectric converter 7 consists of a P-type semiconductor element 8 and an N-type semiconductor element 9.例文帳に追加

熱電変換部７は、Ｐ型半導体素子８とＮ型半導体素子９とから構成されている。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device uses the p-type semiconductor.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係るｐ型半導体を用いたことを要旨とする。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor which provides low-contact resistance for electrode and assures superior transmission efficiency.例文帳に追加

電極との接触抵抗が低く、透過効率のよいｐ型半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor laser structure which is decreased in number of p-type semiconductor layers.例文帳に追加

ｐ型半導体層の数を減らした窒化物系半導体レーザ構造体の提供。 - 特許庁

By this setup, P-type layers 117a and 117b are formed on the surface of the P-type semiconductor substrate 111.例文帳に追加

これにより、Ｐ型半導体基板１１１表面にｐ型層１１７ａ，１１７ｂが形成される。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁

The first p-type semiconductor anode region 204 is electrically connected to an anode contact area 218.例文帳に追加

第１のｐ型半導体陽極領域２０４は陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 - 特許庁

The n-side barrier layer is provided between the multilayered laminate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

To enhance the performance of a VCSEL by reducing the amount of p type semiconductor materials which absorb light.例文帳に追加

光を吸収するｐ型半導体材料の量を減らして、VCSELの性能を改善する。 - 特許庁

Further, the distance between the p^+-type semiconductor layer 21 and an active layer 15 is set to be 0.15 μm or larger.例文帳に追加

そして、ｐ^+型半導体層２１と活性層１５との間隔を０.１５μm以上にしている。 - 特許庁

A substrate 10 is a first-conductive-type, for example, a p-type semiconductor substrate (for example, a silicon substrate).例文帳に追加

基板１０は第１導電型、例えばｐ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である。 - 特許庁

The p-type semiconductor can be constituted of either one kind of chalcogenide of Mo, W and Cr.例文帳に追加

ｐ型半導体は、Ｍｏ、ＷおよびＣｒのいずれか１種のカルコゲナイドにより構成できる。 - 特許庁

The p-type semiconductor region 18 includes an upper light guide layer 32 and clad layers 33, 34.例文帳に追加

ｐ型半導体領域１８は、上部光ガイド層３２及びクラッド層３３，３４を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has an N-type semiconductor layer 3 laminated on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１では、Ｐ型の半導体基板２上に、Ｎ型の半導体層３が積層されている。 - 特許庁

An auto dope preventing film 34 is formed on a rear surface of the p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０の裏面にオートドープ防止膜３４を形成する。 - 特許庁

A metal layer 15 is provided on the principal plane 13a of the p-type semiconductor region 13.例文帳に追加

金属層１５はｐ型半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられる。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

An orientation notch 32 is formed in a part of an outer periphery of a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０の外周部の一部にオリエンテーションノッチ３２を形成する。 - 特許庁

The ballistic electrons pass through a carrier recombination process in the p-type semiconductor layer 40 to emit light.例文帳に追加

そしてｐ型半導体層４０中でキャリア再結合過程を経ることで発光する。 - 特許庁

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

The transistor TR12 is of an n-channel type and is formed on the surface of the p-type semiconductor substrate 50.例文帳に追加

ＴＲ１２はＮチャネル型であり、Ｐ型半導体基板５０の表面に形成される。 - 特許庁

The deep N type well regions 12 and 12 are isolated electrically by the P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型の深いウェル領域１２，１２をＰ型の半導体基板１１によって電気的に分離する。 - 特許庁

Further, in the case of a=5, it exhibits the properties of an N type or P type semiconductor according to temperature conditions.例文帳に追加

なおa＝５の場合、温度条件により、Ｎ型又はＰ型半導体の性質を呈する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to provide this p-type semiconductor layer activating method other than thermal effects.例文帳に追加

ゆえに本発明はｐ型半導体層に対して熱効果以外の活性化方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer is formed between the p-type semiconductor substrate and the mesa structure part and between the p-type semiconductor substrate and the semi-insulating semiconductor embedded layer.例文帳に追加

拡散防止層は、ｐ型半導体基板とメサ構造部の間、及び、ｐ型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 - 特許庁

In the protective diode, the p-type semiconductor layers 3 are formed on an n-type semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, and electrodes 8 are formed on the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

保護ダイオードは、基板１上に形成されたｎ型半導体層２上にｐ型半導体層３が形成されており、そのｐ型半導体層３上に電極８が形成されている。 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 21, and a p-type semiconductor region 22 and a p^+ type semiconductor region 23 around the region 21 are arranged on the Zener zap diode semiconductor layer 13.例文帳に追加

このツェナーザップダイオード半導体層１３にＮ^＋型半導体領域２１とこれを包囲するＰ型半導体領域２２及びＰ^＋型半導体領域２３を設ける。 - 特許庁

Groove parts 17 surrounding the p^++ type semiconductor regions 12 and deeper than the zener junction by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor region 12 are formed.例文帳に追加

また、平面でｐ^＋＋型半導体領域１２を取り囲み、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２とによるツェナー接合よりも深い溝部１７を形成する。 - 特許庁

The insulator is provided in a trench t1 formed so as to extend in the thickness direction of the p-type semiconductor layer from a surface of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記絶縁体は、前記ｐ形半導体層の表面から前記ｐ形半導体層の厚み方向に延びて形成されたトレンチｔ１内に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor element includes a p-type semiconductor layer 103, by using a material of zinc oxide and a p-side electrode 105 formed on the p-type semiconductor layer 103.例文帳に追加

半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。 - 特許庁

To prevent increase in the resistance in the neighborhood of a re-grown interface, when regrowing a p-type semiconductor layer that includes P and with a p-type semiconductor device as a base.例文帳に追加

Ｐを含むおよびｐ型の半導体装置を下地としてｐ型の半導体層を再成長する際に、再成長界面付近の抵抗値の増大を防止する。 - 特許庁

The photoelectric converting film has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and at least one of the p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer contains an acene-based compound having a substituent.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層を有し、該ｐ型半導体層およびｎ型半導体層の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含む光電変換膜。 - 特許庁

This solar cell 100 includes: a p-type semiconductor layer 7 formed of nickel oxide doped with Li, and formed by a sputtering method; and an n-type oxide semiconductor layer 3 joined to the p-type semiconductor layer 7.例文帳に追加

Ｌｉによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたｐ型半導体層７と、該ｐ型半導体層７と接合したｎ型酸化物半導体層３と、を備える太陽電池１００。 - 特許庁

Otherwise, the semiconductor light receiving element has a groove on the surface forming the p-type semiconductor layer, and the p-type semiconductor layer is not formed in the groove.例文帳に追加

又は、前記半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に溝部分を有してなり、かつ前記溝部分には前記Ｐ型半導体層が形成されていないようにする。 - 特許庁

A photo diode is formed between the plugs 11a and 11b by the n^+-type semiconductor region 4, the n^--type semiconductor region 2, the p-type semiconductor substrate 1, and the p^+-type semiconductor region 5.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域４、ｎ^−型半導体領域２、ｐ型の半導体基板１およびｐ^＋型半導体領域５により、プラグ部１１ａ，１１ｂ間にフォトダイオードが形成される。 - 特許庁

A second N-well 3 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1 and a P+-type semiconductor layer 8 is formed on the surface of the second N-well 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に第２のＮウエル３が形成され、その第２のＮウエル３の表面にＰ＋型半導体層８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a photodiode having a p-type semiconductor layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and an n-type cathode region 15 in this sequence on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。 - 特許庁

By decreasing injection carriers by the P-type semiconductor region 3, ohmic contact is ensured by the P^+-type semiconductor region 4.例文帳に追加

低不純物濃度のＰ型半導体領域３により注入キャリアを少なくし、高不純物濃度のＰ^＋半導体領域４によりオーミック接触を確保する。 - 特許庁

An n-type buried layer 11 and an epitaxial layer 12, and a P-type semiconductor layer 13 are arranged on a surface of a P-type semiconductor substrate 10 constituting an IC chip 10A.例文帳に追加

ＩＣチップ１０Ａを構成するＰ型の半導体基板１０の表面には、Ｎ型の埋め込み層１１及びエピタキシャル層１２と、Ｐ型の半導体層１３が配置されている。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a functional portion provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁