「"p-type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A PN junction is implemented at the contact portion between the P-type semiconductor film and the interconnector (N-type semiconductor).例文帳に追加

Ｐ型半導体膜とインターコネクタ（Ｎ型半導体）との接合部において、「ＰＮ接合」が実現される。 - 特許庁

An n-type drift layer 13 and a p-type base layer 15 are formed adjacent on the surface of a p-type semiconductor active layer 11.例文帳に追加

ｐ型の半導体活性層１１の表面にｎ型のドリフト層１３とｐ型のベース層１５とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁

The n-type semiconductor thin film (11) is in contact with the p-type semiconductor substrate (3) in p-n manner, thus forming a protective diode.例文帳に追加

ｎ型半導体薄膜（１１）はｐ型半導体基板（３）にｐｎ接触して保護ダイオードを形成している。 - 特許庁

A first n type conductive area 2 and a second n type conductive area 3 are formed on a p type semiconductor substrate 100.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

An element separation layer 2 and n+diffusion layer 5 are formed on a surface of p-type semiconductor substrate 1, and an interlayer insulation film 7 is deposited on the same.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１表面に素子分離層２及びｎ^+拡散層５を形成し、その上に層間絶縁膜７を堆積する。 - 特許庁

A base electrode 54c is electrically connected to a p^+-type semiconductor region 41 formed in the p-type well 28 via a plug 53c.例文帳に追加

ｐ型ウエル２８に形成されたｐ^+型半導体領域４１は、プラグ５３ｃを介してベース電極５４ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based semiconductor light emitting element capable of reducing the leakage of electrons, from an active layer to a p-type semiconductor region.例文帳に追加

活性層からのｐ型半導体領域への電子リークを低減可能なIII族窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The p-type semiconductor region is formed with an Al_xIn_yGa_zN (x+y+z=1, x≥0, y≥0, and z≥0) layer 26.例文帳に追加

ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）層２６から形成されている。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device in which film-peeling hardly occurs at an interface between a transparent electrode and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極／ｐ型半導体層の界面での膜剥離が生じ難い光電変換装置を提供する。 - 特許庁

In an element region, p-type semiconductor pillar layers 13 and n-type semiconductor pillar layers 14 are alternately formed to form a pillar layer 15.例文帳に追加

素子領域には、ｐ型半導体ピラー層１３とｎ型半導体ピラー層１４とを交互に形成してなるピラー層１５が形成される。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 17 and the drain layer 15 are arranged in parallel with each other in a direction intersecting with a direction of an operating current.例文帳に追加

ｐ型半導体層１７とドレイン層１５とは、動作電流の方向とは交差する方向に並ぶように配列される。 - 特許庁

ZnO-BASED p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, SEMICONDUCTOR COMPOSITE BODY OBTAINED BY USING THE SAME, LIGHT EMITTING ELEMENT OBTAINED BY USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＺｎＯ系ｐ型半導体結晶、それを用いた半導体複合体、それを用いた発光素子およびその製造方法 - 特許庁

On the upper surface of a sapphire substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 4, and a P-type semiconductor layer 5 are laminated in this order.例文帳に追加

サファイア基板１の上面には、Ｎ型半導体層２、活性層４、Ｐ型半導体層５がこの順に積層してある。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

An N-type impurity region (source/drain region) 13 is formed on a P-type semiconductor substrate 11 separated by a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１上にチャネル領域１２を隔ててＮ型の不純物領域（ソース・ドレイン領域）１３が形成されている。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

In an n-type extension drain region 102 formed in a p-type semiconductor substrate 110, p-type buried regions 104a and 104b are formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１１０の内部に形成されたＮ型の延長ドレイン領域１０２に、Ｐ型埋め込み領域１０４ａ、１０４ｂを形成する。 - 特許庁

In a trench formation process by a manufacturing method of a semiconductor device, a trench 102 is formed on a front surface of a p-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置の製造方法のトレンチ形成工程は、ｐ型半導体基板１０１の表面部分にトレンチ１０２を形成する。 - 特許庁

A heavily doped region 22 is formed at the center between p-type semiconductor layers 4 sandwiching the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

このｎ型半導体層２１，２を挟むｐ型半導体層４間の中央には、高濃度領域２２が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, whose durability can be increased during the operation of an inductance load by setting the concentration of a P-type semiconductor region low.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域の濃度を薄くすることによりインダクタンス負荷時の耐久性を向上する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Here is disclosed a light-emitting diode including an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent electrode layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。 - 特許庁

To provide a branched type compound usable as an organic p-type semiconductor excellent in charge transport property and stability.例文帳に追加

電荷輸送性及び安定性に優れる有機ｐ型半導体として利用可能な分岐型化合物を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, an external connection region 2 of same conductivity type as the semiconductor substrate is provided at the end of the P type semiconductor substrate 8.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体基板８の端縁部に半導体基板と同一導電型の外部接続領域２を設ける。 - 特許庁

In particular, the N-type semiconductor 11, the P-type semiconductor 12 and the insulating layer 13 are integrated and formed.例文帳に追加

特に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２、及び絶縁層１３とが一体化されて形成されている点に特徴を有する。 - 特許庁

At the upper part of the p-type semiconductor layer 14 at the resonator forming part, the ridge part, whose central part is protruded in the stripe shape, is formed.例文帳に追加

共振器形成部におけるｐ型半導体層１４の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部１４ａが形成されている。 - 特許庁

An insulator 103 made of a resin material is formed to the side face of a bipolar semiconductor 210 comprising a p-type semiconductor 205 and an n-type semiconductor 206.例文帳に追加

Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とでなる２極半導体部２１０の側面に樹脂材料で絶縁部１０３を形成する。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加

ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁

The i-type semiconductor layer 16 has at least one corner 16e which does not come into contact with the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｉ型半導体層１６は、ｐ型半導体層１４に非接触な角部１６ｅを少なくとも１つ有する。 - 特許庁

In a semiconductor device, metal or metal nitride layers 18 and 19 which differ from each other are respectively provided on an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置に於いて、Ｎ型半導体層上とＰ型半導体層上とに異なる金属ないしは金属珪化物の層を設ける。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

The thermoelectric device 1 is provided in which the N-type semiconductor 11, the P-type semiconductor 12 and the insulating layer 13 between them are integrated.例文帳に追加

この熱電素子１においては、Ｎ型半導体１１、Ｐ型半導体１２とこれらの間の絶縁層１３が一体化されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor consists of CdO which is such that a univalent cation is doped into part of a Cd site.例文帳に追加

本発明に係るｐ型半導体は、Ｃｄサイトの一部に１価の陽イオンをドープしたＣｄＯからなる。 - 特許庁

The n-type epitaxial layer 2 and the p-type semiconductor region 3 are divided into a plurality of insular regions 11 by the fault stop region 10.例文帳に追加

この欠陥停止領域１０によって、ｎ型エピタキシャル層２およびｐ型半導体領域３を、複数の島状領域１１に分離する。 - 特許庁

A base B and a subemitter S of p-type semiconductor are joined to a collector C of n-type semiconductor, so as not to contact each other.例文帳に追加

ｐ型半導体からなるベースＢとサブエミッタＳは、互いに接しないようにして、ｎ型半導体からなるコレクタＣに接合されている。 - 特許庁

Near the corner of the light-emitting element 50, a bonding electrode, i.e. a P electrode 8, is formed in contact with the P-type semiconductor layer 5.例文帳に追加

発光素子５０の角部付近には、Ｐ型半導体層５に接触してボンディング電極であるＰ電極８を形成してある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type semiconductor crystal, which has high activation factor in a wide-gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In particular, it is preferable that the p-type semiconductor material has a Ta_2O_5 structure in which the amount of addition of nitrogen is set to 7.1-49.9 atom.%.例文帳に追加

特に、窒素の添加量が７．１原子％以上４９．９原子％以下とされたＴａ_２Ｏ_５構造を有するものとすることが好適である。 - 特許庁

The P-type semiconductor region 12 is so formed that the carrier concentration is reduced and thereby the entire region becomes a depletion layer 30.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１２は、キャリア濃度が低減され全体が空乏層３０となるように形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層２２〜２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６〜２８が順次積層されている。 - 特許庁

Then, an N-type semiconductor region 7 and a P-type semiconductor region 8 are formed on the N-type flush region 5 and the P-type embedded regions 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６上にＮ型半導体領域７とＰ型半導体領域８を形成する。 - 特許庁

An electrothermal conversion element and a switching element for supplying power thereto are integrated in a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気熱変換素子とそれに通電するためのスイッチング素子とがｐ型半導体基体１に集積化されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a second well 29_b made of a p-type semiconductor, so as to make a second pn joint diode 32_b.例文帳に追加

ｐ型半導体である第２のウェル２９_bの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第２ＰＮ接合ダイオード３２_bを形成する。 - 特許庁

At first, an N-type embedded region 5 and P-type embedded regions 6 are formed on a P-type semiconductor base board 4.例文帳に追加

まず、Ｐ型半導体基板４上にＮ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６を形成する。 - 特許庁

Thereby, a p-type semiconductor having lower contact resistance and low-drive voltage can be formed, and the light transmission efficiency thereof can also be improved.例文帳に追加

これにより、接触抵抗が低減され駆動電圧の低いｐ型半導体が形成できると共に、光透過効率も向上する。 - 特許庁

At this time, the upper part of the second trench is not completely filled with the p-type semiconductor 28, but remains, and a recess is formed on the surface of the parallel p-n structure.例文帳に追加

このとき、第２のトレンチの上部はｐ型半導体２８で埋まらずに残り、並列ｐｎ構造の表面に窪みが形成される。 - 特許庁