「"p-type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

At the same time, the second trench is filled with a p-type semiconductor 28.例文帳に追加

同時に、第２のトレンチがｐ型半導体２８で埋められる。 - 特許庁

FORMING METHOD OF OXIDE FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

An n well 3 is formed on one of principal planes of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の一方主面にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

Elements are separated as needed, in a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２０１は必要に応じて素子間分離がなされている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 17 is formed on the active layer 15.例文帳に追加

ｐ型半導体層１７は、活性層１５上に設けられている。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed to the opening 9h.例文帳に追加

開口９ｈには、ｐ型半導体層１１が設けられている。 - 特許庁

The incorporated Mn forms a shallow acceptor level, and the GaN becomes a p-type semiconductor.例文帳に追加

Ｍｎが浅いアクセプタレベルを形成し、ＧａＮがｐ型を示す。 - 特許庁

The surface of the p^+-type semiconductor region 7 is optically exposed.例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＰ型拡散層１３も形成されている。 - 特許庁

A loop N-type well 3 is formed on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に環状のＮ型ウエル３が形成されている。 - 特許庁

An N-type well 3 is formed on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＮ型ウエル３が形成されている。 - 特許庁

A main electrode 28 connected to the p^+ type semiconductor region 20 is formed.例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域２０に接続された主電極２８を形成する。 - 特許庁

A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 106 is disposed in the active region 115.例文帳に追加

活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR FILM AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ｐ型半導体膜の製造方法およびそれを用いた発光素子 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The buried p^+ type semiconductor region 50, a p^+ type semiconductor region 36 formed in the SIThy 12, and a buried p^+ type semiconductor region 38 are connected electrically.例文帳に追加

埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０と、ＳＩＴｈｙ１２に形成されているｐ^+型半導体領域３６と、埋め込み型のｐ^+型半導体領域３８とを電気的に接続する。 - 特許庁

A second p-type semiconductor coating liquid is discharged from the discharge port 12 of the coating device 1 to form a second p-type semiconductor layer 25 on the first p-type semiconductor layer 24.例文帳に追加

続いて、第１のｐ型半導体層２４上に、塗布装置１の吐出口１２から第２のｐ型半導体塗布液を吐出して、第２のｐ型半導体層２５を形成する。 - 特許庁

An integrated circuit 1 includes a substrate of P-type semiconductor, and a plurality of circuit formation elements where a P-type semiconductor part of P-type semiconductor is interposed between adjoining N wells, locally including the N well.例文帳に追加

さらに、集積回路１は、Ｐ型半導体から成る基板と、Ｎウェルを一部に有し、隣接するＮウェルの間にＰ型半導体から成るＰ型半導体部が介在されて構成されている複数の回路形成素子とを備える。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

In a solar cell element 10 comprising a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer has an Si-N bond internally and a passivation layer 7 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層を有する半導体基体１を備えた太陽電池素子１０であって、前記ｐ型半導体層は内部にＳｉ−Ｎ結合を有しており、前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７が設けられている太陽電池素子１０とする。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor film readily controlling a forbidden band width or an electron affinity distribution in the p-type semiconductor film constituted of a p-type semiconductor and used as a light absorbing layer of a solar cell, so as to provide a high conversion efficiency solar cell.例文帳に追加

ｐ型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるｐ型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるｐ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.例文帳に追加

基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

Each of the plurality of regions 15a includes a p-type semiconductor layer 16 formed on the active layer 12 and an n-type semiconductor layer 17 formed on the p-type semiconductor layer 16, and the p-type semiconductor layer 16 and the n-type semiconductor layer 17 mutually constitute a tunnel junction.例文帳に追加

複数の領域１５ａのそれぞれは、活性層１２上に設けられたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に設けられたｎ型半導体層１７とを含み、ｐ型半導体層１６及びｎ型半導体層１７が互いにトンネル接合を構成する。 - 特許庁

An anode electrode 14 is further formed on the P type semiconductor layer 12 so as to be connected to the P type semiconductor layer 12, and a mesa groove 26 is formed from the front surface of the P type semiconductor layer 12 deeper than the N- type semiconductor layer 11 so as to surround the anode electrode.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１２上にはさらに、Ｐ型半導体層１２と接続するアノード電極１４を形成し、これを取り囲んで、Ｐ型半導体層１２の表面から、Ｎ−型半導体層１１より深くメサ溝２６を形成する。 - 特許庁

An electrode pattern is formed by such method that, after p-type semiconductor layers 3 and 4 are formed on a silicon substrate 1 and an n-type semiconductor layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is removed with a predetermined pattern by using laser abrasion so as to expose the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ｐ型半導体層３、４を形成し、ｐ型半導体層上に、ｎ型半導体層５を形成した後、レーザ・アブレーションを用いて、所定のパターンで、ｎ型半導体層を除去し、ｐ型半導体層を露出させて、電極パターンを形成する。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a multilayer structure provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; a light-emitting portion contacting the multilayer structure between the multilayer structure and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた多層構造体と、多層構造体とｐ形半導体層との間で多層構造体に接する発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

An optical waveguide core 102 is constructed by laminating: a p-type semiconductor layer 121; an n-type semiconductor layer 122; an insulating layer 123; a modulation layer 124 composed of a p-type semiconductor; an insulating layer 125; a p-type semiconductor layer 126; and an n-type semiconductor layer 127.例文帳に追加

光導波路コア１０２は、ｐ型半導体層１２１、ｎ型半導体層１２２、絶縁層１２３、ｐ型半導体からなる変調層１２４、絶縁層１２５、ｐ型半導体層１２６、ｎ型半導体層１２７が積層されて構成されている。 - 特許庁

The amplifying element is provided with: the J-FET which has a p-type semiconductor layer 12 laminated on a grounded p-type semiconductor substrate 11 and also has an n-type channel region 22 in the p-type semiconductor layer 12; and the bipolar transistor which has an n-type collector region 33b.例文帳に追加

接地されたｐ型半導体基板11にｐ型半導体層12を積層し、ｐ型半導体層12にｎ型チャネル領域22を有するＪ−ＦＥＴと、ｎ型コレクタ領域33ｂを有するバイポーラトランジスタを設けた増幅素子とする。 - 特許庁

A photovoltaic element 20 is composed by successively laminating an insulating board 21, a transparent electrode 22, an n-type semiconductor layer 23, a first p-type semiconductor layer 24, a second p-type semiconductor layer 25 (second p-type semiconductor layer), and a back electrode layer 26.例文帳に追加

光起電力素子２０は、絶縁性基板２１と、透明電極２２と、ｎ型半導体層２３と、第１のｐ型半導体層２４と、第２のｐ型半導体層２５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層２６とが順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

There is provided the p-type semiconductor material containing tantalum (Ta) to which nitrogen (N) is added, and oxygen (O).例文帳に追加

窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。 - 特許庁

Preferably, the semiconductor 15 is a p-type semiconductor composed of germanium semiconductor film.例文帳に追加

半導体１５は、ゲルマニウム半導体膜からなるｐ型半導体が好ましい。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 48 is formed beneath a first anode electrode 26 in the diode 14.例文帳に追加

ダイオード１４において、第１アノード電極２６下にｐ^+型半導体領域４８を形成する。 - 特許庁

The material contains p-type semiconductor powder or n-type semiconductor powder, and an adhesive.例文帳に追加

この材料は、Ｐ型半導体粉末又はＮ型半導体粉末と、粘着剤とを含む。 - 特許庁

p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THEM例文帳に追加

ｐ型半導体結晶とその製造方法、並びにそれらを用いた半導体素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE p-TYPE SEMICONDUCTOR AND LUMINOUS ELEMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

The semiconductor layer 24 includes a p+ type semiconductor layer 24c and an n+ type semiconductor layer 24a.例文帳に追加

半導体層２４は、ｐ＋型半導体層２４ｃと、ｎ＋型半導体層２４ａとを備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER例文帳に追加

半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 - 特許庁