「p-type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

P-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR, N-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｐ型薄膜トランジスタ、Ｎ型薄膜トランジスタ及び半導体装置 - 特許庁

Next, a type P- type epitaxial layer 3 is formed at the type P- type semiconductor substrate 1 and a type P+ type embedded contact layer 5 is formed in the type P- type epitaxial layer 3.例文帳に追加

次にＰ−型半導体基板１上にＰ−型エピタキシャル層３を形成し、該Ｐ−型エピタキシャル層３内にＰ＋型埋め込みコンタクト層５を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING COMPOSITION, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加

ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device being capable of reducing a contact resistance between a p-type contact layer and a p-type electrode and having the p-type electrode.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a p-type MgZnO-based thin film which functions as a (p) type, and a semiconductor light-emitting element comprising the p-type MgZnO-based thin film.例文帳に追加

ｐ型として機能するｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及びそれを含む半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加

ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 21 and a p-type semiconductor region 22 are provided for constituting a zener diode as a protective element in the semiconductor substrate 5.例文帳に追加

半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

ｐ型半導体材料、半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びｐ型半導体材料の製造方法 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a light-emitting part, and a p-side electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of suppressing a leakage current between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and of sufficiently keeping p-n isolation between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, which improves the emission intensity.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリーク電流を抑制し、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎ分離を十分に確保して発光強度を向上させる発光素子を提供する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed on an n^+-type substrate 1, and a trench 12 is formed on the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋型基板１の上にＰ型半導体層１１を形成し、Ｐ型半導体層１１にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 111 having a higher concentration than the P-type well 107 is arranged below the N-type semiconductor region 110.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a p-type semiconductor substrate 1, an n-type drift region 3 provided in the p-type semiconductor substrate 1, and a p-type body region 4 provided in the n-type drift region 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

A semiconductor capacitance device 600 has a P type semiconductor layer 610, a N type well region 612 provided in the P type semiconductor, and a P type well region 614 provided in the N type well region 612.例文帳に追加

半導体容量装置６００は、Ｐ型半導体層６１０と、Ｐ型半導体層内に設けられたＮ型ウエル領域６１２と、Ｎ型ウエル領域６１２内に設けられたＰ型ウエル領域６１４と、を有する。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor.例文帳に追加

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

Magnesium is added to the p-type GaN-based semiconductor layer 17 as a p-type dopant, and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 contains carbon as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

The material contains p-type semiconductor powder or n-type semiconductor powder, and an adhesive.例文帳に追加

この材料は、Ｐ型半導体粉末又はＮ型半導体粉末と、粘着剤とを含む。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。 - 特許庁

An n^--type semiconductor layer 2 is formed on a p^--type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-型の半導体基板１上にはｎ^-型の半導体層２が形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。 - 特許庁

An electrode 5 is formed at the n-type semiconductor layer 2, while an electrode 6 is formed at the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ形半導体層２に電極５を形成し、ｐ形半導体層に電極６が形成してある。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 12 is formed on one main surface of an n-type semiconductor substrate 51.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面に、Ｐ型半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

Between the n^--type semiconductor layer 4 and the p-type semiconductor layer 5, a pn junction plane 7 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体層４とｐ型半導体層５との間にはｐｎ接合面７が形成されている。 - 特許庁

Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 13 is formed further on the surface of the P+-type semiconductor layer 8.例文帳に追加

Ｐ＋型半導体層８の表面には、さらにＮ型半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。 - 特許庁