「rectangular beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of generating exposure data in charged particle beam exposure utilizing the block mask for irradiating an object to be exposed with second transmission beams, first transmission beams are formed by transmitting charged particle beams through a first rectangular transmission hole, and forming the second transmission beams, by transmitting the first transmission beams through the block mask having a plurality of discrete patterns.例文帳に追加

荷電粒子ビームを矩形の第１の透過孔を透過させて第１の透過ビームを形成し、当該第１の透過ビームを複数の離散パターンを有するブロックマスクを透過させて第２の透過ビームを形成し、当該第２の透過ビームを被露光物に照射するブロックマスクを利用した荷電粒子ビーム露光における露光データの生成方法である。 - 特許庁

When a laser beam is subjected to direct optical modulation by injecting current to a semiconductor laser 10, a rectangular intensity modulation electrical signal and a plurality of AC frequency modulation electrical signals, having different angular frequencies ωfmi each (where frequency is ffmi and i=1, 2,..., N) are synchronized and injected to a semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザ１０に電流を注入して、レーザ光を直接的に光変調するに当たり、半導体レーザに対して、矩形状の強度変調用電気信号と、互いに異なる角周波数ω_fmi（周波数をｆ_fmiとする。）（ｉ＝１，２，・・・，Ｎ）をもつ、複数の交流の周波数変調用電気信号とを同期させて注入する。 - 特許庁

The pin part 47 is moved within the upper opening notch part 74 according to the direction change of the cam part 46 having the almost rectangular cross section engaged with the lower side edge of the brachial beam 62, attendant on the attitude change between an FPC 80 insertable position of the pressing member 40 and a position with which the inserted FPC 80 is engaged.例文帳に追加

加圧部材４０のＦＰＣ８０挿入可能の位置と、挿入されたＦＰＣ８０を加圧係合させる位置の間における姿勢変化に伴う、上腕ビーム６２の下側縁と係合した断面略長方形のカム部４６の向きの変化に従って、ピン部４７が上方開放切欠部７４内で移動するようにした。 - 特許庁

A fault place is specified from the rear surface side of a silicon substrate of a semiconductor integrated circuit, the silicon substrate in the region including the fault place is selectively thinned, a groove is formed around the rectangular region including the fault place with a converged ion beam from the rear surface side of the silicon substrate, and a small piece including the fault place is formed in a central part.例文帳に追加

半導体集積回路のシリコン基板の裏面側から不良箇所を特定し、その不良箇所を含む領域のシリコン基板を選択的に薄膜化し、シリコン基板の裏面側から、不良箇所を含む矩形領域の周囲に収束イオンビームにより溝を形成して中央部に不良箇所を含む小片を形成する。 - 特許庁

The shadow mask 12 in opposition to a phosphor screen is formed by press molding, and has a substantially rectangular mask main surface 20 molded into a gentle dome shape and provided with electron beam passing holes 19, and a skirt part 18 extended from a perimeter 21 of a mask effective part and bent in a direction substantially perpendicular to the mask main surface.例文帳に追加

蛍光体スクリーンに対向してシャドウマスク１２は、プレス成形により形成され、なだらかなドーム状に成形されているととも電子ビーム通過孔１９を有したほぼ矩形状のマスク主面２０と、このマスク有効部の周縁２１から延出しマスク主面とほぼ直交する方向に折り曲げられたスカート部１８と、を有している。 - 特許庁