「resist layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

COMPOSITION FOR RESIST LOWER LAYER FILM例文帳に追加

レジスト下層膜用組成物 - 特許庁

A two-layer resist having an organic resin 13 as the lower layer resist and a silylation resist 14 as the upper layer resist is formed by coating.例文帳に追加

有機樹脂１３を下層レジスト、シリル化レジスト１４を上層レジストとした２層レジストを塗布形成する。 - 特許庁

The resist pattern 50 comprises a first resist layer 2 on a substrate 1, a second resist layer 3 on the first resist layer 2, a third resist layer 4 on the second resist layer 3, and an opening 5.例文帳に追加

レジストパターン５０は、基板１上に第一のレジスト層２と、第一のレジスト層２上に第二のレジスト層３と、第二のレジスト層３上に第三のレジスト層４と、開口部５とを備える。 - 特許庁

BOTTOM RESIST FOR TWO LAYER TECHNIQUE例文帳に追加

二層技術のためのボトムレジスト - 特許庁

The upper layer resist pattern is oxidized.例文帳に追加

上層レジストパターンを酸化する。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR INTERMEDIATE LAYER OF THREE-LAYER RESIST例文帳に追加

３層レジスト中間層用樹脂組成物 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PERMANENT RESIST LAYER例文帳に追加

永久レジスト層の形成方法 - 特許庁

LAMINATED MATERIAL WITH RESIST MATERIAL LAYER例文帳に追加

レジスト材層を有する積層材 - 特許庁

A lower resist layer 103 and an upper resist layer are laminated on a substrate layer 101.例文帳に追加

基層１０１の上で、下層レジスト層１０３と、上層レジスト層とを積層する。 - 特許庁

A negative type resist is used as the first layer resist 2.例文帳に追加

１層目のレジスト２にはネガ型のレジストを用いている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR RESIST LOWER LAYER FILM, RESIST LOWER LAYER FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

レジスト下層膜用組成物、レジスト下層膜およびその製造方法 - 特許庁

The first resist layer is developed.例文帳に追加

第１のレジスト層が現像される。 - 特許庁

Subsequently, the same resist as the first resist layer is applied to the first resist layer 12a by a spin coating method to form a second resist layer 12b.例文帳に追加

次に、第一レジスト層１２ａの上に第一レジスト層と同レジストをスピンコート法により塗布して第二レジスト層１２ｂを形成する。 - 特許庁

In the stamper, the sensitivity of a resist layer 2 to be formed in an under layer is made smaller than that of a resist layer 3 to be formed in an upper layer and the thickness of the resist layer 3 is made thicker than that of the resist layer 2.例文帳に追加

上層に形成されるレジスト層３の感度より、下層に形成されるレジスト層２の感度を小さくし、レジスト層３の厚さを、レジスト層２の厚さより厚くしている。 - 特許庁

A lower layer resist film 2 is formed on a substrate 1, and an upper layer resist pattern 3A is formed in the lower layer resist film 2.例文帳に追加

基板１上に下層レジスト膜２を形成し、下層レジスト膜２上に上層レジストパターン３Ａを形成する。 - 特許庁

Then the exposed upper layer resist film 5 is developed to form an upper layer resist pattern 5a from the upper layer resist film.例文帳に追加

続いて、露光された上層レジスト膜５を現像して、上層レジスト膜から上層レジストパターン５ａを形成する。 - 特許庁

After the upper layer resist is subjected to the treatment to improve the heat resistance, a two-layer resist having an organic resin 19 as the lower layer resist and a silylation resist 20 as the upper layer resist is further formed thereon by coating.例文帳に追加

その上層レジストに耐熱性向上処理を施した後、有機樹脂１９を下層レジスト、シリル化レジスト２０を上層レジストとした２層レジストを、さらに塗布形成する。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION AND BASE MATERIAL WITH RESIST LAYER OF THE SAME例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 - 特許庁

The white plating resist 16 serves as a plating resist and a reflection layer.例文帳に追加

白色メッキレジスト１６はメッキレジストと反射層を兼ねている。 - 特許庁

Next, a resist layer 2 being an insulation protecting layer is formed.例文帳に追加

次に、絶縁保護層であるレジスト層２を形成する。 - 特許庁

The patterned photo-resist layer is removed.例文帳に追加

パターニングされたフォトレジスト層を除去する。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING RESIST LAYER FROM SUBSTRATE例文帳に追加

レジスト層を基板から除去する方法 - 特許庁

Exposure and development are performed on the resist layer 102 so as to leave a predetermined dimension W_2, as with the first layer (resist layer 100), and then, a third resist layer (resist layer 104) is applied.例文帳に追加

レジスト層１０２についても、一層目（レジスト層１００）と同様に、所定の寸法Ｗ_２を残すように露光現像を行い、その後、三層目のレジスト（レジスト層１０４）を塗布する。 - 特許庁

The first resist layer 31 is again exposed and the development of the second resist layer 32 and the development of the first resist layer 31 are executed.例文帳に追加

次に、第１のレジスト層３１を再度露光し、第２のレジスト層３２の現像と、第１のレジスト層３１の現像を行う。 - 特許庁

The resist 12 comprises five layers: a base film 11, a cushion layer 10, an upper layer resist 8, a lower layer resist 7, and a cover film 9.例文帳に追加

レジスト１２はベースフィルム１１、クッション層１０、上層レジスト８、下層レジスト７、カバーフィルム９の五層で構成される。 - 特許庁

One of a red resist layer 15a, a blue resist layer 16a and a green resist layer 17a is formed on a transparent substrate 11.例文帳に追加

透明基板１１上に、レッド用レジスト層１５ａ、ブルー用レジスト層１６ａ、グリーン用レジスト層１７ａのいずれかを設ける。 - 特許庁

A lower layer resist film 2 is formed on a substrate 1, and an upper layer resist pattern containing silicon is formed on the lower layer resist film 2.例文帳に追加

基板１上に下層レジスト膜２を形成し、下層レジスト膜２上にシリコンを含有する上層レジストパターンを形成する。 - 特許庁

The resist layer 4 is processed to remove the plate part 4b of the resist layer 4 and to leave the body 4a of the resist layer 4 by carrying out exposure to the resist layer 4 through the substrate 1 and developing the resist layer 4.例文帳に追加

レジスト層４に対して基板１を通して露光し、レジスト層４を現像することにより、レジスト層４の平板状部４ｂを除去して、レジスト層４の本体部４ａを残すようにレジスト層４を加工する。 - 特許庁

(7) The resist layer is developed to obtain the patterned resist film of the predetermined thickness.例文帳に追加

（７）現像してパターニングした所要の層厚のレジスト層を得る。 - 特許庁

The resist layer 2 and the resist surface layer 3 form a single layer but are separated for convenience of explanation.例文帳に追加

ここで、レジスト層２とレジスト表面層３とは、一層であり、説明の便宜上分割してある。 - 特許庁

The solder resist is made of the same material as the insulating layer, and thereby the contact of the insulating layer 6 and the solder resist layer 20 can be improved.例文帳に追加

これにより、絶縁層とソルダーレジスト層との密着性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To decrease a film thinning of an upper layer resist pattern, when transferring the pattern to a lower layer resist film.例文帳に追加

下層レジスト膜へのパターン転写時に、上層レジストパターンの膜減りを低減する。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR INTERMEDIATE LAYER OF TRILAMINAR RESIST例文帳に追加

３層レジスト中間層用樹脂組成物 - 特許庁

Subsequently, ashing treatments are applied on the upper layer resist pattern and the lower resist layer 103.例文帳に追加

次に、上層レジストパターン及び下層レジスト層１０３に対しアッシング処理を実行する。 - 特許庁

The resist is form on a ground surface layer 1.例文帳に追加

下地層１上にレジストを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the resist layer 23 and the insulated layer 21 are removed.例文帳に追加

その後、レジスト層２３及び絶縁層２１を除去する。 - 特許庁

To suppress the formation of a crystalline interfacial layer between an inorganic resist layer and a substrate or a layer under the resist layer.例文帳に追加

無機レジスト層とその下地基材又は下地層との間における結晶性の界面層の形成を抑制する。 - 特許庁

A photosensitive resist is applied to a substrate 91 to form a resist layer 93 (a resist application process).例文帳に追加

基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。 - 特許庁

Grounding is made through the conductive resist layer.例文帳に追加

導電性レジスト層を通してアースがとれる。 - 特許庁

A surface layer part of the resist pattern 4 is partially shaved.例文帳に追加

レジストパターン４の表層部を一部削る。 - 特許庁

The surface-layer part of the resist pattern 4 is partially scraped.例文帳に追加

レジストパターン４の表層部を一部削る。 - 特許庁

After a multiple resist layer 3 having at least two resist layers including a lift-off resist layer 1 as the lowermost layer is exposed, the resist is developed with a solution and subjected to dry etching to remove the extending part 4 of the lift-off resist layer 1 from the projected region of the upper resist layer 2 constituting the multiple resist layer 3.例文帳に追加

最下層がリフトオフ用レジスト層１からなるとともに、少なくとも二層のレジスト層からなる積層レジスト層３を露光したのち、溶液現像し、次いで、前記リフトオフ用レジスト層１の前記積層レジスト層３を構成する上層レジスト層２から投影的にはみ出した部分４をドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

The dry film resist has a photosensitive resin layer having the cured resist pattern on a support film and a protective layer on the resin layer.例文帳に追加

支持体フィルム上に硬化レジストパターンを有する感光性樹脂層次いで保護層を有するドライフィルムレジスト。 - 特許庁

Irradiating light which is made to irradiate on the surface of the resist layer 3 reaches the surface of the resist layer 2 while being gradually absorbed by the resist layer 3.例文帳に追加

レジスト３の表面に照射された照射光は、レジスト３により徐々に吸収されながらのレジスト２の表面に到達する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING RESIST LOWER-LAYER FILM, METHOD OF FORMING THE RESIST LOWER-LAYER FILM, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 - 特許庁