「silicon dioxide interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The low dark current generation is achieved by quenching interface states by placing a p^+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.例文帳に追加

低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance.例文帳に追加

シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The coating 14 essentially comprises silicon dioxide near the glass-coating interface 16 and tin oxide in the surface 18 of the coating 14 remotest from the interface 16.例文帳に追加

このガス混合物を約６５０℃に加熱されたガラス基体の上をそれを覆って３〜３０秒間通過させ、その後使用済みガス混合物をフードの中に排気する。 - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

However, the zirconium oxynitride silicon gate dielectric may be designed so as to have advantages in the silicon dioxide, such as high insulation breakdown characteristics, a low interface state density and high stability.例文帳に追加

しかし、オキシ窒化ジルコニウム・シリコン・ゲート誘電体は、二酸化シリコンの利点、例えば高い絶縁降伏特性、低い界面状態密度及び高い安定性を持つように設計することも出来る。 - 特許庁

The surface of the sample is rubbed with a copper wire before the analysis so that, in a figure, a peak is shown in the distribution of copper caused by segregation to the interface between a polycrystal silicon film and a silicon dioxide film.例文帳に追加

図には、分析前に試料表面を銅線で擦っておいたため、銅の分布に多結晶シリコン膜と二酸化シリコン膜界面への偏析に起因するピークが現れる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device, which can greatly lower an interface level between a silicon carbide substrate and a silicon dioxide film by using a practical process being superior in mass productivity, and which is superior in reliability and electric characteristics as a device.例文帳に追加

量産性に優れた実用的なプロセスを用いて、炭化珪素基板と二酸化珪素膜との間の界面準位を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性と電気特性が優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the diffraction optical device having a relief pattern 3 on the interface of two optical members 1, 2 consisting of different kinds of optical materials, a thin film layer 4 consisting of at least one kind of silicon dioxide, zinc sulfide and aluminum oxide is formed on the interface.例文帳に追加

互いに異なる種類の光学材料からなる２つの光学部材１、２の境界面に、レリーフパターン３を有する回折光学素子において、前記境界面に、二酸化珪素、硫化亜鉛および酸化アルミニウムのうち少なくとも一種からなる薄膜層４を形成して構成した。 - 特許庁

Thereby, nitrogen of high concentration can be incorporated in silicon/silicon dioxide interface between a gate oxide 24 and the lightly doped drain structure 38.例文帳に追加

ゲート酸化物とドレイン領域内の薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ_3）または亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）のうち少なくとも１種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする。 - 特許庁

In the insulating film structure formed with, on a substrate 1 of a wideband gap semiconductor material, an insulating film 4 using a silicon dioxide film ≥90% at a composition ratio as a matrix, and mainly formed of nitrogen ≤10% includes a transition region where a silicon composition ratio and a carbon composition ratio rapidly change in the vicinity of an interface between the insulating film 4 and the wideband gap semiconductor material substrate 1.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体材料の基板１上に、組成比で９０％以上の二酸化珪素膜を母体とし且つ１０％以下の窒素で主に構成される絶縁膜４を形成した絶縁膜構造体であって、絶縁膜４とワイドバンドギャップ半導体材料基板１との界面近傍において、珪素組成比、及び、炭素組成比が急激に変化する遷移領域を有する。 - 特許庁