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soi structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 350件
SEMICONDUCTOR DEVICE OF SOI STRUCTURE例文帳に追加
SOI構造の半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SOI STRUCTURE例文帳に追加
SOI構造を有する半導体装置 - 特許庁
MOS SEMICONDUCTOR DEVICE IN SOI STRUCTURE例文帳に追加
SOI構造MOS型半導体装置 - 特許庁
To form an SOI structure and a bulk structure on the same substrate without using an SOI substrate.例文帳に追加
SOI基板を用いることなく、SOI構造とバルク構造とを同一基板上に形成する。 - 特許庁
SUBSTRATE STRUCTURE OF SOI ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
SOI素子の基板構造及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE OF SOI (SILICON-ON-INSULATOR) STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
SOI(Silicononinsulator)構造の半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE OF SOI STRUCTURE AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加
SOI構造の半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SOI STRUCTURE例文帳に追加
SOI構造を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁
The SOI structure is formed on a bulk semiconductor substrate.例文帳に追加
バルク半導体基板上にSOI層を形成する。 - 特許庁
SOI SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING FLOATING STRUCTURE USING SOI SUBSTRATE例文帳に追加
SOI基板、その製造方法、そしてSOI基板を用いた浮遊構造体の製造方法 - 特許庁
First, the semiconductor substrate with an SOI structure is prepared and the trench 6 for element separation is formed on the SOI layer.例文帳に追加
まず、SOI構造の半導体基板を用意し、SOI層に素子分離用トレンチ6を形成する。 - 特許庁
An element structure is formed on the surface layer of an SOI substrate 22.例文帳に追加
SOI基板22の表面層に素子構造を形成する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING SOI STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
SOI構造を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR OF SOI STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
SOI構造のMOS電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
To increase the breakdown voltage of a semiconductor device having an SOI structure.例文帳に追加
SOI構造を有する半導体装置の高耐圧化を図る。 - 特許庁
THRESHOLD VOLTAGE VARIABLE COMPLEMENTARY MOSFET USING SOI STRUCTURE例文帳に追加
SOI構造を用いたしきい値電圧可変相補型MOSFET - 特許庁
To provide the structure of an SOI substrate capable of increasing area and improving productivity, and to provide a technique for manufacturing the structure of an SOI substrate.例文帳に追加
大面積化を可能とし、生産性を向上させることができるSOI基板の構造及びその製造技術を提供する。 - 特許庁
MOS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE IN SOI STRUCTURE AND DESIGN METHOD THEREFOR例文帳に追加
SOI構造のMOS型半導体装置及びその設計方法 - 特許庁
SOI-STRUCTURE MIS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
SOI構造のMIS電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
To form a semiconductor device having an SOI structure at a low cost.例文帳に追加
SOI構造を有する半導体装置を低コストで形成する。 - 特許庁
SOI STRUCTURE MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
SOI構造MOS型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
To provide a transient capacity measuring sample structure for an SOI wafer and an evaluation method for an SOI wafer whereby an LSI SOI wafer can be evaluated.例文帳に追加
LSI用のSOIウェーハの評価ができる新規なSOIウェーハの過渡容量測定試料構造及びSOIウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁
SOI STRUCTURE HAVING REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND PRODUCTION THEREOF例文帳に追加
寄生容量を減少させたSOI構成体及びその製造方法 - 特許庁
In the SOI/SON composite structure, a patterned SOI/SON structure is sandwiched between an Si overlayer and a semiconductor substrate.例文帳に追加
SOI/SON複合構造体においては、パターン付けされたSOI/SON構造体が、Siオーバーレイヤと半導体基板の間に挟まれる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT OF SOI STRUCTURE PROVIDED WITH RECESS AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加
リセスを備えたSOI構造の半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
A thyristor is formed on a SOI substrate, and a diffusion resistor is inserted between an NPN structure and a PNP structure to enhance the hold voltage.例文帳に追加
SOI基板上にサイリスタを配置し、NPN構造とPNP構造を間に拡散抵抗を入れることでホールド電圧を高く設定できる構造とした。 - 特許庁
To suppress flow of an Si of an SOI layer, in an elevated source drain structure shape of fully depletion SOI device.例文帳に追加
完全空乏型SOIデバイスのエレベーテッド・ソース・ドレイン構造形成において、SOI層のSiの流動を抑える。 - 特許庁
To provide a means for stabilizing impurity concentration of an edge part of an SOI layer of a semiconductor device having an SOI structure.例文帳に追加
SOI構造の半導体装置のSOI層のエッジ部の不純物濃度を安定化させる手段を提供する。 - 特許庁
To provide an easy method and the like for manufacturing an SOI wafer low in cost and having a partial SOI structure.例文帳に追加
容易な方法により低コストで部分SOI構造を有するSOIウエーハを製造する方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an SOI wafer with a partial SOI structure at low cost in an easy manner.例文帳に追加
容易な方法により低コストで部分SOI構造を有するSOIウェーハを製造する方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a method and a structure for avoiding a floating body effect in an SOI structure.例文帳に追加
SOI構造において、浮遊体効果を回避する方法及び構造を提供すること。 - 特許庁
To provide a planar silicon-on-insulator(SOI) structure and a method for manufacturing the structure.例文帳に追加
平面シリコン・オン・インシュレータ(SOI)の構造およびその構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a substrate of semiconductor device, and a substrate of semiconductor device, having a flat surface between a region having an SOI structure and a region having no SOI structure in which crystal defect is suppressed on the surface.例文帳に追加
表面の結晶に欠陥が少なく、かつSOIの構造を有する領域とSOIの構造を有しない領域との間に段差がない平坦な表面を有する半導体装置用基板の製造方法および半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND FORMING METHOD (HIGH MOBILITY PLANE CMOS SOI)例文帳に追加
集積回路構造及び形成方法(高移動度平面CMOSSOI) - 特許庁
STRUCTURE AND METHOD FOR MINIMIZING PLASMA CHARGING DAMAGE ON SOI DEVICE例文帳に追加
SOIデバイスのプラズマ・チャージング損傷を最小化する構造および方法 - 特許庁
To downsize a mounting structure of a semiconductor device called an SOI.例文帳に追加
SOIと呼ばれる半導体装置の実装構造において、小型化する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device with SOI structure which enhances ESD resistance.例文帳に追加
ESD耐性の向上を図ったSOI構造の半導体装置を得る。 - 特許庁
To manufacture a substrate having highly reliable Local SOI structure at low cost.例文帳に追加
信頼性の高いLocalSOI構造を有する基板を低コストで作製する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF (VERTICAL SOI TRENCH SONOS CELL)例文帳に追加
半導体構造およびその製造方法(垂直SOIトレンチSONOSセル) - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PARTIAL SOI STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE METHOD例文帳に追加
部分的なSOI構造を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
The semiconductor device has an SOI substrate structure, comprising a semiconductor support substrate, an insulating layer formed on the semiconductor support substrate, and an SOI layer formed on the insulating layer.例文帳に追加
また、素子破壊に至る許容電力を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that has SOI structure such as SOI MOSFET with superior characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加
特性の良好なSOI MOSFETなどのSOI構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Consequently, the SOI layer of the SOI structure can be made into the thin film without making the in-surface film thickness distribution worse.例文帳に追加
これにより、SOI構造の基板のSOI層を面内膜厚分布を劣化させることなくSOI層を薄膜化できる。 - 特許庁
To solve a problem in which surface uniformity deteriorates when an SOI layer of an SOI structure is made into a thin film.例文帳に追加
本発明はSOI構造のSOI層を薄膜化した場合に起こる面内均一性が劣化する問題の解決を図る。 - 特許庁
The ink jet print head can be fabricated on an SOI wafer having a multilayer structure of a first substrate, an oxide film and a second substrate.例文帳に追加
そして、インクジェットプリントヘッドは、第1基板と酸化膜と第2基板とが積層された構造のSOIウェーハ上に構成できる。 - 特許庁
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