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split gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 138件
SPLIT GATE MEMORY CELL例文帳に追加
スプリットゲート型メモリセル - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE MEMORY CELL例文帳に追加
スプリットゲート型メモリセル - 特許庁
SPLIT GATE FLASH MEMORY例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
スプリットゲートフラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スプリットゲートメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
分割ゲート型金属酸化物半導体デバイス - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加
スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT-GATE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
スプリットゲート型半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE TYPE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スプリットゲート型メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR INTEGRATING SIDE WALL SPLIT GATE FLASH TRANSISTOR例文帳に追加
サイドウオ—ルスプリットゲ—トフラッシュトランジスタの集積方法 - 特許庁
SPLIT-GATE NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スプリットゲート型不揮発性メモリとその製造方法 - 特許庁
SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SPLIT-GATE NONVOLATILE STORAGE UNIT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スプリットゲート型不揮発性記憶装置及びその製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート不揮発性メモリ装置及びそれの形成方法 - 特許庁
IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加
浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁
To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics.例文帳に追加
消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加
分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁
SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
SPLIT-GATE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a split-gate semiconductor memory device.例文帳に追加
スプリットゲート型半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加
スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT WITH MOSFET INCLUDING SPLIT WORK FUNCTION GATE例文帳に追加
スプリット仕事関数ゲートを含むMOSFETを有する集積回路 - 特許庁
A split gate is composed of the first and second gates 204, 210a.例文帳に追加
スプリットゲートは、第1ゲート(204)及び第2のゲート(210a)によって構成される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a split-gate nonvolatile memory device.例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SAME例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SPLIT GATE DRIVING SYSTEM FOR IMPROVING RELIABILITY OF VOLTAGE OPERATION RANGE例文帳に追加
電圧作動範囲の信頼性を改善するためのスプリットゲート駆動方式 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加
分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁
To provide a split-gate type flash memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To make sharper the acute angle section of a floating gate that opposes an erase gate, in a split-gate type nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置において、消去ゲートと対向するフローティングゲートの鋭角部をより尖らせること。 - 特許庁
A split gate structure (84) including a first gate electrodes (48, 87) controls the first MOSFET device (41).例文帳に追加
第1ゲート電極(48,87)を含む分割ゲート構造(84)は、第1MOSFETデバイス(41)を制御する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING AND OPERATING TRENCH SPLIT GATE NONVOLATILE FLASH MEMORY例文帳に追加
トレンチスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル構造を形成、および操作する方法 - 特許庁
To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加
ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加
スプリットゲート型メモリセル1は、ソース領域2、ドレイン領域3、チャネル領域4、浮遊ゲート電極5、制御ゲート電極6から構成される。 - 特許庁
To provide a highly integrated split gate type nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加
高集積化されたスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.例文帳に追加
ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のn−型半導体層表面に第1p型不純物領域を設ける。 - 特許庁
SELF ALIGNED SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
自己整列スプリットゲート型の不揮発性半導体メモリ素子、及びその製造方法 - 特許庁
COMBINED SELF-ALIGNED SOURCE AND ONO CAPACITOR FOR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加
スプリット・ゲート不揮発性メモリ用の組み合わされた自己整合ソースおよびONOキャパシタ - 特許庁
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