「strained silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF STRAINED SILICON WAFER例文帳に追加

歪みシリコンウエハの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING STRAINED SILICON SOI SUBSTRATE例文帳に追加

歪シリコンＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRAINED SILICON SUBSTRATE WAFER例文帳に追加

歪みシリコン基板ウエハの製造方法 - 特許庁

STRAINED SILICON WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

歪みシリコンウエハおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE OF VERTICAL STRAINED SILICON DEVICE例文帳に追加

縦形歪シリコン（ｓｔｒａｉｎｅｄｓｉｌｉｃｏｎ）・デバイスの方法および構造 - 特許庁

STRAINED SILICON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ON HYBRID CRYSTAL ORIENTATION例文帳に追加

ハイブリッド結晶方位上の歪みシリコンＣＭＯＳ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING STRAINED SILICON WAFER例文帳に追加

歪みシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING STRAINED SILICON SOI SUBSTRATE例文帳に追加

歪シリコンＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁

To provide a high quality strained silicon substrate.例文帳に追加

高品質な歪シリコン基板の提供を可能とすること。 - 特許庁

SILICON WAFER WITH STRAINED SILICON LAYER FORMED, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

歪みシリコン層が形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a strained silicon wafer for further reducing through dislocation density in a strained silicon layer.例文帳に追加

歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

PATTERNED STRAINED (STRESS DEFORMATION) SILICON FOR HIGH-PERFORMANCE CIRCUIT例文帳に追加

高性能回路用パターン化ストレインド（応力変形）・シリコン - 特許庁

MULTI-GATE MOSFET STRUCTURE HAVING STRAINED SILICON FIN BODY例文帳に追加

歪シリコン・フィン型ボディを有するマルチ・ゲートＭＯＳＦＥＴ構造 - 特許庁

To provide a method and structure of a vertical strained silicon device.例文帳に追加

縦形歪シリコン・デバイスの方法および構造を提供すること。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD TO ISOLATE SILICON GERMANIUM DISLOCATION REGION BY USING STRAINED SILICON CMOS例文帳に追加

歪みシリコンＣＭＯＳを利用してシリコンゲルマニウム転位領域を分離するシステムおよび方法 - 特許庁

A strained silicon layer is formed by depositing silicon onto the pores sealing layer 13.例文帳に追加

孔封止層１３にシリコンを堆積されることで歪みシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

After the silicon-germanium film is grown, a strained silicon film is epitaxially grown on the film.例文帳に追加

それから、歪シリコン膜をシリコンゲルマニウム膜上にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

For example, a strained silicon layer is grown on a strain-relaxed silicon germanium layer, and then the silicon germanium layer is partially removed to compose a channel layer out of the strained silicon layer.例文帳に追加

本願発明は、例えば、歪み緩和シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を成長させ、しかるのちに部分的にシリコンゲルマニウム層を除去することによって、歪みシリコン層によってチャネル層を構成する。 - 特許庁

For strained silicon MOSFETS, a graded layer of silicon germanium is grown on top of a bulk silicon wafer. 例文帳に追加

ストレインド・シリコンMOSFETのために、組成が次第に変化するシリコン・ゲルマニウムの層をバルクのシリコンウエハ上に成長させる。 - コンピューター用語辞典

METHOD OF FABRICATING LOW-DEFECT STRAINED EPITAXIAL GERMANIUM FILM ON SILICON例文帳に追加

シリコン上に欠陥の少ない歪みエピタキシャルゲルマニウム膜を製造する方法 - 特許庁

STRAINED-SILICON CHANNEL CMOS WITH SACRIFICIAL SHALLOW TRENCH ISOLATION OXIDE LINER例文帳に追加

犠牲シャロートレンチアイソレーション酸化物ライナーを有する歪みシリコンチャネルＣＭＯＳ - 特許庁

In this method of manufacturing semiconductor substrate, the strained Si layer 14 is formed on a silicon/germanium substrate 11.例文帳に追加

シリコン・ゲルマニウム基板１１に、歪みＳｉ層１４が形成することを特徴としている。 - 特許庁

STRAINED SILICON ON INSULATOR PRODUCED BY FILM MOVEMENT AND RELAXATION CAUSED BY HYDROGEN IMPLANTATION例文帳に追加

水素注入による膜移動および緩和による絶縁体上の歪みシリコン - 特許庁

To provide a method of fabricating a low-defect strained epitaxial germanium film on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に欠陥の少ない歪みゲルマニウム膜を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To form a semiconductor device having a strained silicon layer in a further simple process.例文帳に追加

より簡易な工程により歪みシリコン層を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁

HETERO INTEGRATION TYPE STRAINED SILICON N-TYPE MOSFET, P-TYPE MOSFET, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ集積型歪みシリコンｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF WAFER STRUCTURE HAVING STRAINED SILICON LAYER, AND INTERMEDIATE PRODUCT OF THE METHOD例文帳に追加

歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びこの方法の中間生成物 - 特許庁

To provide a P-type MOSFET structure having strained silicon, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

歪みシリコンをもつＰ型ＭＯＳＦＥＴの構造及びこれを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor component having a high-quality single-crystal strained silicon layer on a strain-induced porous silicon, and a manufacturing method for a strained SOI substrate that uses the semiconductor component and employs a transferring method (lamination and separation).例文帳に追加

歪み誘起多孔質シリコン上に、高品質な単結晶歪みシリコン層を有する半導体部材および、その半導体部材を用い、移設法（貼り合わせ、分離）を利用した歪みＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a semiconductor element is formed on the semiconductor wafer 12 on which the silicon-germanium film and a strained silicon film are formed.例文帳に追加

その後、シリコンゲルマニウム膜および歪シリコン膜が形成された半導体ウエハ１２に半導体素子が形成される。 - 特許庁

A strained silicon layer 35 is formed only on the drain region of a distorted silicon layer 23 by epitaxial growth method.例文帳に追加

歪シリコン層２３のドレイン領域上だけにエピタキシャル成長法を使用して歪シリコン層３５を形成する。 - 特許庁

The silicon layer 42 becomes a strained silicon layer because its lattice constant is different from that of the second SiGe layer 41 as a base layer.例文帳に追加

シリコン層４２は、下地の第２のＳｉＧｅ層４１との格子定数の違いにより歪みシリコン層となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an SOI (silicon on insulator) structure including a strained silicon layer with less damage in simple steps, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

より簡易な工程でダメージの少ない歪みシリコン層を含むＳＯＩ構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The strained silicon wafer is in a structure, having an epitaxial layer with lattice mismatching and a strained Si layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1, and uses an off-cut surface where the crystal surface of the silicon surface inclines by 0.2°-1° to the directions of crystal orientation <100> and <0-10> from a plane orientation of (100) plane.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャル層と歪みＳｉ層の構造を有し、前記シリコン基板の結晶表面が面方位（１００）面から結晶方位＜１００＞方向および＜０−１０＞方向に対して０．２°〜１°傾斜したオフカット面を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having a high quality strained Si (silicon) layer by reducing the density of threading dislocation on the surface of an SiGe layer for forming the strained Si layer as much as possible.例文帳に追加

歪みＳｉ層が形成されるＳｉＧｅ層表面の貫通転位の密度を極力少なくすることにより、高品質の歪みＳｉ（シリコン）層を有する半導体基板およびその半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer includes at least a strained SiGe layer on a silicon substrate, a Si-protecting layer on the strained SiGe layer, and an epitaxial Si layer on the Si-protecting layer, wherein a heavily-doped Si layer is provided, at least in between the silicon substrate and the strained SiGe layer, or in between the Si protection layer and the epitaxial Si layer.例文帳に追加

少なくとも、シリコン基板上に、歪みＳｉＧｅ層と、該歪みＳｉＧｅ上にＳｉ保護層と、該Ｓｉ保護層上にエピタキシャルＳｉ層とを具備するシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコン基板と前記歪みＳｉＧｅ層との間、及び前記Ｓｉ保護層と前記エピタキシャルＳｉ層との間の少なくとも一方の間に高濃度Ｓｉ層を具備することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

A strained silicon layer forming the first channel region has a grating constant different from that of its background layer.例文帳に追加

第１チャネル領域を形成する歪みシリコン層は、その下地層の格子定数とは異なる格子定数を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing a strained silicon substrate wafer having less dislocation and a SiGe layer in which strain is relaxed.例文帳に追加

より転位が少なく、かつ歪み緩和されたＳｉＧｅ層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a MOS transistor, having a strained silicon region, can be made high in its performance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

歪みシリコン領域を有するＭＯＳトランジスタの高性能化を図る半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with strained silicon technology exhibiting effects applied even in a microfabricated structure, and its method for manufacturing.例文帳に追加

微細化された構造においても効果を発揮する歪みシリコン技術を適用した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon substrate wafer having a layer which is further reduced in dislocation and relieved in strain.例文帳に追加

より転位が少なく、かつ歪み緩和された層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology to reduce the on-state resistance of a power MISFET, while suppressing the occurrence of defects in strained silicon layer.例文帳に追加

歪シリコン層における欠陥の発生を抑制しながらパワーＭＩＳＦＥＴのオン抵抗を低減することができる技術を提供する。 - 特許庁

A strained silicon layer may be epitaxially deposited on the relaxed SiGe structure which has been finally produced on the insulator.例文帳に追加

歪みシリコン層は、絶縁体上に結果として生じる緩和したＳｉＧｅの構造上に、エピタキシャルに堆積され得る。 - 特許庁