「substrate combination region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This method includes a step to grow the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy using a gas including nitrogen-containing molecules which dissociate on the surface of the substrate at a temperature at which the active region is grown.例文帳に追加

当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 - 特許庁

Thus, this substrate can permit the formation of different devices on the optimum substrate region with the different surface orientation, the different thickness, the different structure from the bulk or SOI, or the combination of these different ones.例文帳に追加

そのため、この基板により、表面配向が異なるか、または厚さが異なるか、あるいはバルクまたはＳＯＩと構造が異なるか、あるいはこれら異なるものが組み合わされた最適な基板領域上に異なるデバイスを形成することができる。 - 特許庁

This method keeps a combination between the motif and the donor substrate, and peels off a portion of the thin layer which locates in each motif from the donor substrate by generating fracture in the frangible region and a thickness of the thin layer, then gives energy in order to make the peeled portion be the structure.例文帳に追加

この方法は、モチーフとドナー基板との間の結合を保持し、脆弱領域内と薄い層の厚み内とにおいて破断を起こさせて各モチーフに位置する薄い層の部分をドナー基板から剥離させ、この剥離された部分を構造体とするために、エネルギを与えることを特徴とする。 - 特許庁

When the β iron silicide region is manufactured on the silicon substrate by using a sputtering method, the conditions of the type of ion and its accelerating voltage, a pressure in an apparatus, an incident angle of ion or their combination are set to set a sputtering yield to 2.4 or more.例文帳に追加

シリコン基板にβ鉄シリサイド領域をスパッタ法を用いて作製する際、スパッタリング収率を２．４以上に設定するような、イオンの種類及びその加速電圧、装置内の圧力、イオンの入射角、またはその組み合わせの条件を設定する。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the IGZO-based amorphous oxide thin film by forming the IGZO-based amorphous oxide thin film on a substrate by sputtering and then performing annealing processing, in which the amorphous oxide thin film having the arbitrary electric resistance value within the range from the conductor region to the insulator region is manufactured by changing a combination of an amount of water in a film forming device and temperature of the annealing processing.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

The avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes at least one unit-cell structure which consists of combination of a carrier-multiplication structure layer for multiplying carriers, a carrier guide structure layer and a QW active region to which carriers are injected and in which optical radiative transitions occur.例文帳に追加

半導体基板上に形成される第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を含み、 前記活性層は、キャリアを増倍させるキャリア増倍構造層と、キャリアガイド構造層と、前記キャリアが注入され、光放射遷移(optical radiative transition)が生じるＱＷ活性領域との組み合わせからなる少なくとも一つの単位セル構造物を含む。 - 特許庁