「v element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光素子 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

The V-I converters include a switch element SWO.例文帳に追加

Ｖ・Ｉ変換器は、スイッチ素子ＳＷ0を含む。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体および発光素子 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体及び発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体及び発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

After the joining, a V counter cutting face 68, a V element cutting face 67 and an H element cutting face are scribed.例文帳に追加

接合後、Ｖ対向切断面６８と、Ｖ素子切断面６７及びＨ素子切断面をスクライブする。 - 特許庁

The 74HCT type CMOS gate element 10 is operated to switch in both of 3 V system input (2.7 V to 3.3 V) and 5 V system input (4.5 V to 5.5 V), and a 5 V system voltage or a 3 V system voltage is output corresponding to a power source voltage to be supplied from an output destination circuit.例文帳に追加

74HCTタイプCMOSゲート素子10は3V系入力（2.7V〜3.3V）であっても5V系入力（4.5V〜5.5V）であってもスイッチング動作し、出力先回路から供給される電源電圧に応じて5V系電圧または3V系電圧が出力される。 - 特許庁

To obtain a III-V nitride based semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency by suppressing re-evaporation of a group III-V element.例文帳に追加

III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

GROUP III-V SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体素子、およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III-V NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物系発光素子 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。 - 特許庁

The layer 5 is constituted of a III-V compound semiconductor containing an at least nitrogen element as a V group element.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CLASS III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

GaN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体スイッチング素子 - 特許庁

GAN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR TWO TERMINAL ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体二端子素子 - 特許庁

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子及び発光装置 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

In the formula (2), M represents a transition metal, a group III element, a group IV element, or a group V element in the periodic table, and b represents 1-3, m represents 0-8, and q represents 0 or 1.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体の製造方法及び発光素子 - 特許庁

GAS PHASE GROWTH OF GROUP III TO V ELEMENT COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁

LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THEREFOR例文帳に追加

発光素子用３−５族化合物半導体及び発光素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光素子を作製する方法 - 特許庁

The oxidation suppressing element is one kind or two kinds of Al and V.例文帳に追加

酸化抑制元素がＡｌ、Ｖの１種または２種である。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

When the power supply voltage of 20 V drive this, the voltage applied to the organic EL element becomes 13 V, then, the element emits light normally.例文帳に追加

これを２０Ｖの電源電圧により駆動したところ、有機ＥＬ素子に加わる電圧は１３Ｖであり、素子は正常に発光した。 - 特許庁

III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体レーザ素子とその製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

The impurity diffusing agent contains a compound of a group III element or a compound of a group V element.例文帳に追加

前記不純物拡散剤はＩＩＩ族元素の化合物又はＶ族元素の化合物を含む。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained.例文帳に追加

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Ge channel element small in hysteresis in a C-V characteristic.例文帳に追加

Ｃ−Ｖ特性におけるヒステリシスの小さなＧｅチャネル素子を得る。 - 特許庁

Both of Mn and group V element are co-added to a group IV semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体に、ＭｎとＶ族元素との２つを共添加する。 - 特許庁

Next, λ is computed from the electromotive voltage V of the O2 sensor element at S8.例文帳に追加

次に、Ｏ２センサ素子の起電圧Ｖからλを算出する（Ｓ８）。 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、及びそれを用いた半導体素子 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 - 特許庁

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

That is, in the case of fixing the lens element to the V-shaped groove substrate 300, the lens element is easily fixed to the V-shaped groove substrate by soldering.例文帳に追加

すなわち，レンズ素子をＶ溝基板３００に固定する際に，はんだを用いて容易にＶ溝基板に固定することが可能である。 - 特許庁