w-e-e-kの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
A moving window adaptive decision feedback equalizer (DFE) is given according to Cn(k+1)=Cn(k)-W(k)E(k)Xn(k).例文帳に追加
移動ウインド適応決定フィードバック・イコライザー(DFE)が,Cn(k+1) = Cn(k) - W(k)E(k)Xn(k)にしたがって与えられる。 - 特許庁
The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加
アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁
A delta indicates a step size, the Cn indicates a tap value of the number of taps (n), the E(k) indicates an error output at a time (k), the Xn(k) indicatess a reception signal to a front cursor tap (FFE) and a past decision output to a back cursor tap (DFE) and the W(k) indicates a sliding window function.例文帳に追加
デルタはステップサイズで,Cnはタップ数nのタップ値で,E(k)は時間kのときのエラー出力で,Xn(k)は,前カーソルタップ(FFE)に対する受信信号及び後カーソルタップ(DFE)に対する過去決定出力で,W(k)は時間kのスライディングウインド関数である。 - 特許庁
The formulae (1) to (3) are represented F_E=a(C+kE)/W+b (1), α=CaO/(SiO_2+Al_2O_3) (2), and k=lC+m(C/E)+nα+o(1/R^2)+p(1/R)+q (3).例文帳に追加
F_E=a(C+kE)/W+b … 式1 α=CaO/(SiO_2+Al_2O_3) ・・・ 式2 k=lC+m(C/E)+nα+o(1/R^2)+p(1/R)+q … 式3 - 特許庁
The friction coefficient μ corresponding to the temperature is obtained by the formula expressed by the sum of the term of adhesion A × s/W and the term of histeresis k × tan δ × E'^-n/W by using the obtained values, respectively.例文帳に追加
得られた値をそれぞれ用いて、凝着の項A・s/Wとヒステリシスの項k・tan δ・E’^-n/Wとの和で表す式により、温度に対応した摩擦係数μを求める。 - 特許庁
The alphabet of 26 characters are divided in a vowel group 'A, I, U, E, O', a first consonant group 'K, S, T, N', a second consonant group 'W, R, Y, M, H' and a remaining alphabet group.例文帳に追加
アルファベット26文字は、母音群「A、I、U、E、O」、子音第1群「K、S、T、N」、子音第2群「W、R、Y、M、H」、残りのアルファベット群に分けられている。 - 特許庁
First, a TEG film E of the wafer W formed with a low dielectric constant interlayer insulation film (Low-k film) is cut to a predetermined depth by a first blade 10, and then the wafer W is cut from above the groove cut out by the first blade 10 by means of a second blade 11 which is wider than the first blade 10.例文帳に追加
低誘電率の層間絶縁膜(Low−k膜)が形成されたウェーハWのTEG膜Eを第1のブレード10により所定深さまで切削し、第1のブレード10よりも幅の厚い第2のブレード11により、第1のブレード10が切削した溝上を第2のブレード11で切削し、ウェーハWの切断を行なう。 - 特許庁
A heating and curing section E in which a mold resin is heated and cured in a tightly closed curing furnace 43 as the work W after molding the resin is held by inserting a carrier plate K into a slit 43a formed at the curing furnace 43 is provided in a part of a work transporting path from a press C toward a work housing F.例文帳に追加
樹脂モールド後のワークWをキュア炉43内に設けられたスリット43aにキャリアプレートKを挿入して保持させたまま当該キュア炉43を密閉してモールド樹脂を加熱硬化させる加熱硬化部Eをプレス部Cからワーク収納部Fに至るワーク搬送路の一部に備えている。 - 特許庁
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