アステロイドの英語

書込ビット線電流Ｉ_Ｂにより発生するビット線磁界Ｈ_ｘと書込ワード線電流Ｉ_Ｗにより発生するワード線磁界Ｈ_ｙとにより表されるアステロイド曲線において、製造ばらつきと設計マージンを考慮し、全メモリセルのアステロイド曲線（図中ハッチング領域内に収まる）よりも外側にアステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔを想定する。例文帳に追加

In an asteroid curve represented by a bit line magnetic field H_x generated by a write bit line current I_B and a word line magnetic field H_y generated by a write word line current I_W, manufacturing variations and a design margin are taken into consideration to assume an asteroid curve AC_out outside all memory cell asteroid curves (located with a hatched area of Figure). - 特許庁

すぐれたアステロイド曲線と、高い抵抗変化率および保磁力の低減、磁気特性の安定化を図ることができるようにする。例文帳に追加

To stabilize magnetic characteristics involving an excellent asteroid curve, high resistance variation rate, and coercive force reduction. - 特許庁

記憶素子自体の変更を伴うことなく、その記憶素子における磁化方向の変化閾値の不均衡（例えば、アステロイド曲線の中心と原点とのずれ）を容易に補正可能とする。例文帳に追加

To enable to easily correct unbalance of a changing threshold, in the direction of magnetization of memory elements (e.g., deviation of the center of asteroid curve from the original point), without modifying the memory device itself. - 特許庁

実際のアステロイド曲線（実線）が困難軸方向へＨｏだけずれている場合、書き込み動作時に、修正された合成磁界Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈｏを発生させることにより、磁化反転を確実に行う。例文帳に追加

When the actual asteroid curve (solid line) deviates by Ho to the direction of the hard axis, the corrected synthetic magnetic field H1+H2+Ho is generated during the writing operation, by which the magnetization inversion is surely performed. - 特許庁

さらに、マルチセレクションを防止するため、アステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔ上の点Ｈ１と点Ｈ２との間の曲線上に合成磁界を形成するような書込ビット線電流及び書込ワード線電流を選択する。例文帳に追加

In addition, a write bit line current and a write word line current are selected so as to form a synthetic magnetic field on a curve between a point H1 and a point H2 on the asteroid curve AC_out in order to prevent multi-selection. - 特許庁

理想的なアステロイド曲線（破線）を有するＴＭＲ素子に対して、困難軸方向の磁界Ｈ１と容易軸方向の磁界Ｈ２とを同時に作用させることにより、ＴＭＲ素子の記憶層の磁化方向を反転させることができるものとする。例文帳に追加

A magnetic field H1 in the direction of a hard axis and a magnetic field H2 in the direction of an easy axis are simultaneously acted on a TMR (Tunneling Magneto-Resistive) element 1 having an ideal asteroid curve (broken line), by which the magnetization direction of the memory layer of the TMR element 1 can be inverted. - 特許庁