アバランシ電圧の英語

電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。例文帳に追加

To provide an avalanche photodiode which is capable of supplying desired stable avalanche breakdown voltage and which has an electric field control layer by means of an electron as an effective carrier. - 特許庁

このような構成により、アバランシェ耐量を著しく向上させることができるので、アバランシェ降伏電圧を低下させ、低損失化を実現することが可能となる。例文帳に追加

With such a configuration, since the avalanche resistance can be remarkably improved, it is made possible to lower the loss without lowering the avalanche breakdown voltage. - 特許庁

よって、２つのアバランシェフォトダイオード１１，１２にパルス状にバイアス電圧を印加することによって生じるスパイク電圧は、アバランシェフォトダイオード１１，１２の出力電圧の差を信号出力とすることで打ち消される。例文帳に追加

Spike voltages occurring upon application of a pulse bias voltage to two avalanche photodiodes 11 and 12 are canceled by delivering the difference of the output voltages from the avalanche photodiodes 11 and 12 as a signal. - 特許庁

ESD現象の間、静電電荷がLDMOSトランジスタ（２１）の降伏電圧を越えた後、LDMOSトランジスタ（２１）はアバランシェ降伏に入る。例文帳に追加

After the electrostatic charge exceeds the breakdown voltage of an LDMOS transistor 21 during an ESD phenomenon, the LDMOS transistor 21 is turned into avalanche yield. - 特許庁

このようにして、ＭＯＳＦＥＴ２１のアバランシェ電圧より低く、且つ、動作抵抗が小さなＥＳＤ保護素子２０を形成することができる。例文帳に追加

Consequently, an ESD protection element 20 having an avalanche voltage lower than that of the MOSFET 21 and a small operating resistance can be formed. - 特許庁

高電界時には広禁制帯幅の第１のチャネルが主となるため、アバランシェ電圧が高くなり、耐圧を向上することが可能となる。例文帳に追加

Since the first channel of a wide forbidden band at time of high electric field becomes the main, an avalanche voltage becomes high, and breakdown strength can be enhanced. - 特許庁

メモリトランジスタは、アバランシェブレークダウンにより発生した電荷の制御ゲートＣＧへの注入によってしきい値電圧が制御される。例文帳に追加

The threshold voltage of the memory transistor is controlled through injecting the charges generated by an avalanche breakdown into the control gate CG. - 特許庁

低クランプ電圧を実現すべくダイオードは典型的には順方向に導通するように接続され、高いクランプ電圧を実現すべくダイオードはアバランシェブレークダウンを生じるように接続される。例文帳に追加

The diode or diodes to achieve a low clamping voltage are typically connected so as to conduct in a forward direction and the diode or diodes to achieve a high clamping voltage are connected so as to cause an avalanche breakdown. - 特許庁