アモルファスセレンの英語

アモルファスセレンを主成分とする光導電層を備えた放射線固体検出器において、画像斑や放電破壊等の問題を生じることなく光導電層を保護する。例文帳に追加

To protect a photoconducting layer without problems of an image spot and a discharge breakdown in a radiation solid-state detector having the photoconducting layer consisting primary of amorphous selenium. - 特許庁

密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する。例文帳に追加

After producing a mother selenium alloy doped with an alkaline metal of concentration higher than a prescribed concentration in a closed system, the mother selenium alloy and pure selenium alloy are mixed with each other to manufacture amorphous selenium doped with the alkaline metal of the prescribed concentration. - 特許庁

基板上にアモルファスセレンを主成分とする材料を真空蒸着させてなる蒸着層を有してなる放射線画像検出器の製造方法において、蒸着層の蒸着中に突沸が発生した場合でもその影響を低減させる。例文帳に追加

To reduce the influence even when bumping occurs during the vapor deposition of a vapor deposition layer in a method of manufacturing a radiograph detector provided with the vapor deposition layer formed by executing the vacuum deposition of a material whose main component is amorphous selenium on a substrate. - 特許庁

記録用光導電層の両側に電極が設けられ、該電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより前記記録用光導電層内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器において、記録用光導電層に１．９５±０．０２の配位数を有するアモルファスセレンを用いる。例文帳に追加

The radiation detector is provided with electrodes on both sides of a photoconductive layer for recording, and detects electric charge generated within the photoconductive layer for recording as an electric signal by being irradiated with radiation while applying a predetermined bias voltage between the electrodes, and uses amorphous selenium having a coordination number of 1.95±0.02 for the photoconductive layer for recording. - 特許庁

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。例文帳に追加

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium. - 特許庁