イントリンシックの英語

リ　光ファイバーを用いていない磁場勾配計であって、イントリンシック型のもののうち、ノイズレベルが〇・〇一五ナノテスラ毎メートル未満のもの例文帳に追加

(i) Among magnetic gradiometers which do not use optical fibers and which are intrinsic gradiometers, those the noise level of which is less than 0.015 nanoteslas per meter発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

このためデバイス工程で銅、ニッケルといった重金属イオンにさらされたとしても熱処理の過程でイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）が作用して、これら銅、ニッケルを捕獲することができる。例文帳に追加

Even if the silicon wafer is exposed to heavy metal ions of copper, nickel, or the like, in the device process, intrinsic gettering (IG) acts in the heat treatment process to capture the copper and nickel. - 特許庁

半導体層４０を選択的にマスクしてドープすることにより、第一及び第二ドープ区４２ａ、４２ｂ、４４ａ、４４ｂ、第一及び第二チャネル４６、及びイントリンシック区５４を形成する。例文帳に追加

The method further comprises the steps of selectively masking the layer 40 and doping the layer, thereby forming first and second doping regions 42a, 43b, 44a, and 44b, and first and second channels 46 and an intrinsic region 54. - 特許庁

ウェーハ内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、イントリンシック・ゲッタリング能力を高めることが可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer, for suppressing the variation in density of vacancy inside a wafer and improving gettering performance. - 特許庁

塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining a silicon thin film having a structure wherein a contact layer of high conductivity and an intrinsic silicon layer are laminated by a simpler method to which a coating method is applied. - 特許庁

そして、上記第１のコンタクト層に電子の移動度が高いｎ型不純物が添加されたＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓを用い、且つ電界強度緩和層にイントリンシック型のＩｎＧａＰを設けたことを特徴としている。例文帳に追加

GaAs or InGaAs where n-type impurity of high electron mobility is added is used for the first contact layer, while an intrinsic type InGaP is provided to the field intensity reducing layer. - 特許庁

そのウエハは、アモルファス層を単結晶半導体材料の第二の層１６へ変換させ、さらに損傷を受けた単結晶半導体材料のゾーンを合体させるのに効果的な条件下で加熱され、イントリンシックゲッタリングゾーン１７が形成する。例文帳に追加

The wafer causes the amorphous layer to change into a second layer 16 of the single crystal semiconductor material, and further the second layer 16 is heated under conditions effective to combine the zone of the single crystal semiconductor material damaged into one, and forms an intrinsic gettering zone 17. - 特許庁

直径が４５０ｍｍ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハに、インゴット引き上げ時の溶融液への窒素、炭素、またはその両方の導入によりイントリンシックゲッタリング機能を付与した。例文帳に追加

Intrinsic gettering functions are imparted to a large-sized silicon wafer having a diameter of 450 mm or larger and a specific resistivity of 0.1 Ω cm or larger by introducing nitrogen, carbon, or both of them to a melt on pulling up an ingot. - 特許庁