リフトオフプロセスの英語

低温液体を用いたリフトオフプロセス例文帳に追加

LIFT-OFF PROCESS USING CRYOGENIC LIQUID - 特許庁

リソグラフィ技術を使用せずに、リフトオフプロセスを利用してパターニングを行う。例文帳に追加

To perform patterning using a lift-off process without using a lithographic technology. - 特許庁

蒸着温度が高い場合であってもリフトオフプロセスにおいて十分に剥離することのできるフォトレジストを用いた３Ｍａｓｋ方式の表示素子基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a display element substrate of 3 Mask type by using photoresist being sufficiently strippable in a lift-off process irrespective of high temperature in vapor deposition. - 特許庁

ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドを作成する際に、ＣＭＰを利用したリフトオフプロセスを用いると磁区制御層が削れてしまい、安定性の高い再生ヘッドを作成し難い。例文帳に追加

To solve the problems that a magnetic domain control layer is chipped off due to a lift off process utilizing a CMP in creating a CPP-GMR (giant magnetorsistance effect) head thereby a reproducing head is hardly created at high stability. - 特許庁

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。例文帳に追加

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material. - 特許庁

図示を省略するが、その後、レジストマスク１２の上から蒸着法によりメタルをデポジションし、リフトオフプロセスにより、レジストマスク１２より上のメタルを除去し、シリコン基板１０の窪み部にメタルが埋め込んだ標準サンプルを形成する。例文帳に追加

Although Fig is not shown, but thereafter metal is deposited through the resist mask 12 by a vapor deposition method; and the metal located higher than the resist mask 12 is removed by a lift-off process to form the standard sample, wherein the recess parts of the silicon substrate 10 have been filled with the metal. - 特許庁

リフトオフプロセスにより、微細配線を形成する方法において、基板１上に配線材料からなる薄膜を形成する成膜工程の途中に、レジストパターン２上の堆積膜７の一部又は全部を除去してレジストパターン２の開口部３の平面面積を広くする堆積膜除去工程を一回以上実施する。例文帳に追加

In the method by which fine wiring is formed through a lift-off process, a deposited-film removing process is performed one or more times in the course of forming a thin film composed of a wiring material on a substrate 1 for widening the planar area of the opening 3 of a resist pattern 2 by partially or wholly removing a film 7 deposited on a resist pattern 2. - 特許庁