固相エピタキシーの英語

バルク結晶に匹敵する結晶完全性を有した薄膜を製造でき、かつ、製造コストが低い、固相フラックスエピタキシー成長法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid phase flux epitaxy growth method by which a thin film having crystalline completeness comparable with a bulk crystal can be produced at a low production cost. - 特許庁

単結晶基板５による液相エピタキシー作用と、液相固相界面１０の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面１０の移動と、単結晶基板５と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。例文帳に追加

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase. - 特許庁

本発明は、固溶体層を熱力学的に安定させた状態で成長させることができ、液相エピタキシー法による固溶体層と酸化物超電導層の生成を安定的に行うことができ、歩留まりを良好として、良質の酸化物超電導層を生成させることを目的とする例文帳に追加

To enable to grow a solid solution in a thermodynamically stable state, to enable to stably form the solid solution layer and the oxide superconductor layer by liquid phase epitaxy method, and to make the oxide superconductor of good quality grow with good yield. - 特許庁

ペロブスカイト型酸化物の前駆体と種子単結晶との複合体を熱処理により前駆体に固相エピタキシーを生じさせて単結晶化することにより、所望の組成のペロブスカイト型酸化物単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a perovskite-type oxide single crystal having a desired composition by heat-treating a complex of a perovskite-type oxide precursor and a seed single crystal to induce solid phase epitaxy in the precursor by heat treating to form a single crystal. - 特許庁

固相エピタキシーを生じさせて前駆体部を単結晶化し単結晶構造体を得ることにより、微細構造体の形状を保持し均一に単結晶化してペロブスカイト型酸化物単結晶構造体を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a perovskite-type oxide single crystal structure, in which shapes of a microstructure are maintained and the structure is uniformly single-crystallized by inducing solid phase epitaxy to single-crystallize a precursor part to obtain a single crystal structure. - 特許庁

固相エピタキシー工程を用いたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上の第１金属層と、前記第１金属層上の窒化物系バリヤメタルと、前記バリヤメタル上の第２金属層と、前記エピタキシャル層と第１金属層との間に形成された金属シリサイドとを含む。例文帳に追加

The semiconductor element comprises an epitaxial layer using a solid phase epitaxy process, a first metal layer on the epitaxial layer, a nitride barrier metal on the first metal layer, a second metal layer on the barrier metal and metal silicide formed between the epitaxial layer, and the first metal layer. - 特許庁

第２の工程において、少なくとも第２の部分および第３の部分に対して加熱処理を施すことにより、第１の部分の少なくとも一部をシードとする第２の部分及び第３の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。例文帳に追加

In the second process, solid-phase epitaxy process of the second portion and the third portion wherein at least a part of the first portion is taken as a seed is induced by performing heating treatment for at least the second portion and the third portion. - 特許庁

種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程Ｓ２と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程Ｓ３とを具備する。例文帳に追加

The method includes: a step S2 of depositing a perovskite-type oxide precursor at least a part of which is in an amorphous state on a seed single crystal substrate to form a complex of the seed single crystal and the precursor; and a step S3 of heat-treating the complex to induce solid epitaxy in the precursor to obtain an oxide single crystal. - 特許庁