気相率の英語

前記気液混相流体に含まれる酸素のモル分率は、１百分率以下である。例文帳に追加

A molar fraction of oxygen contained in the gas-liquid mixed phase fluid is 1% or less. - 特許庁

気相成長装置及び気相成長方法において、気相成長処理時に半導体ウェハが反応炉を占める時間を短縮し、気相成長処理の効率向上を図ること。例文帳に追加

To enhance efficiency of vapor phase epitaxial growth processing by shortening the time when a reactor is occupied by a semiconductor wafer during vapor phase epitaxial growth process in vapor phase epitaxial growth device and method. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用い、複数枚を同時に処理する半導体気相成長装置及び気相成長方法において、半導体膜の気相成長速度が速く、原料ガス利用効率が高く、均一な半導体膜が得ることができる気相成長装置及び気相成長方法を開発する。例文帳に追加

To develop a vapor growth device and method for obtaining a uniform semiconductor film where the vapor growth speed of the semiconductor film is fast and feed gas efficiency is high in the semiconductor vapor growth device, and a method for simultaneously treating a plurality of semiconductor films using a horizontal reaction pipe. - 特許庁

受液器から過冷却部に流入する気液混相冷媒中の気相冷媒の比率を低くすることができる熱交換器を提供する。例文帳に追加

To provide a heat exchanger capable of reducing a ratio of a gas phase refrigerant of a gas-liquid mixed phase refrigerant made to flow from a liquid receiver into a supercooling part. - 特許庁

パーツの消耗を防ぎ、かつ材料ガスの消費効率に優れる気相成長装置および気相成長方法、を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor growth device and a vapor growth method which prevent the consumption of a part and are excellent in terms of efficiency of consumption of material gas. - 特許庁

これにより、右バンク側の気筒に対する燃料量を左バンク側の気筒よりも相対的に減量し、吸気分配率及びエバポガス分配率の相違による気筒間の空燃比ばらつきを解消する。例文帳に追加

Therefore, the amount of fuel to the cylinder in the right bank side is relatively decreased to be smaller than the cylinder in the left bank side, thereby resolving variations of an air-fuel ratio between cylinders owing to the differences in the intake air distribution rate and the evaporated gas distribution rate. - 特許庁