注形成型法の英語

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法によりＮ型領域４およびＰ型領域５を形成してフォトダイオードを形成する。例文帳に追加

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, an n-type region 4 and a p-type region 5 are formed by an ion implantation method to form a photodiode. - 特許庁

ウレタンエラストマー形成性組成物および注型ウレタンエラストマーの製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING URETHANE ELASTOMER AND METHOD FOR PRODUCING CAST URETHANE ELASTOMER - 特許庁

まず、ラジカル注入型プラズマＣＶＤ法によって基板上にカーボンナノウォールを形成した。例文帳に追加

First, the carbon nanowall is formed on a substrate by a radical injection type plasma CVD method. - 特許庁

共注型方法により作製した多層液体シートから多層多孔質膜を形成する方法及びこうして形成された膜を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a multilayered porous film from a multilayered liquid sheet produced by a co-casting method and to provide a film formed by the method. - 特許庁

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。例文帳に追加

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment. - 特許庁

注型用金型１の成形面２に大理石柄を表現する模様付き樹脂層３を形成した後、注型用金型１内にベース樹脂組成物４を注入して成形硬化させる人造大理石の製造方法に関する。例文帳に追加

A patterned resin layer 3 expressing a marble pattern is formed on the molding surface 2 of a casting mold 1 and, thereafter, a base resin composition 4 is injected in the casting mold 1 to be molded and cured to manufacture artificial marble. - 特許庁

ｎ^+ 型ソース領域４の形成をイオン注入によって形成する際に、ｎ^+ 型半導体基板１の法線を軸としてｎ^+ 型半導体基板１を回転させ、さらにイオン注入を斜めにして行う。例文帳に追加

When an n+ type source region 4 is formed through ion implantation, an n+ type semiconductor substrate 1 is rotated about the normal of the n+-type semiconductor substrate 1 as the rotational axis, and further ion implantation is carried out obliquely. - 特許庁

注型用金型３内の内面に大理石柄を表現する模様付き樹脂層１を形成した後、注型用金型３内に注型用樹脂組成物８を注入し、成形硬化させて人造大理石４を製造する方法に関する。例文帳に追加

The method for manufacturing the artificial marble comprises the steps of forming the resin layer 1 with the pattern for representing a marble design on an inner surface in a casing mold 3, then casting the casting resin composition 8 in the mold 3, molding and curing the composition to manufacture the artificial marble 4. - 特許庁